美國SemiSouth Laboratories公司發布了耐壓為650V和耐壓為1700V的SiC制JFET產品,均為常開型功率元件。耐壓為650V的產品名稱為“SJDA065R055”,導通電阻為55mΩ,漏電流在室溫時(25℃)為30A,在
2012-05-21 10:31:012494 瑞薩電新發表13款具備高效能之第7代絕緣閘雙極性電晶體(IGBT)系列新產品。新款IGBT包括650V的RJH/RJP65S系列與1250V的RJP1CS系列。新款IGBT是將系統中的直流電轉換為交流電的功率半導體裝
2012-07-31 11:34:281650 為滿足電動汽車市場的需求,英飛凌推出了全新的650V CoolMOS? SJ功率 MOSFET CFD7A系列。這一產品經過專門優化,可以滿足電動汽車應用 (如車載充電器、HV-LV DC-DC 轉換器和輔助電源)的要求。
2020-05-31 09:15:361509 隨著新產品的發布,英飛凌完善了其600V/650V細分領域的硅基、碳化硅以及氮化鎵功率半導體產品組合
2020-02-26 08:26:001315 Teledyne e2v HiRel為其基于GaN Systems技術的650伏行業領先高功率產品系列新增兩款耐用型GaN功率HEMT(高電子遷移率晶體管)。 這兩款全新大功率HEMT
2021-01-09 11:14:212799 基礎半導體器件領域的專家Nexperia今天宣布其第二代650 V功率GaN FET器件系列開始批量供貨。
2021-04-27 09:35:371195 英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續流二極管,取代了傳統Si的Rapid1快速續流二極管,配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5),進一步優化了系統效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2021-08-31 10:38:421942 合并PIN肖特基結構可帶來更高的穩健性和效率 ? 奈梅亨, 2023 年 4 月 20 日: 基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今日宣布推出650?V碳化硅(SiC)肖特基二極管
2023-04-20 09:39:30796 首批支持低電壓(100/150 V)和高電壓(650 V)應用的E-mode(增強型)功率GaN FET。Nexperia在其級聯型氮化鎵產品系列上增加了七款新型E-mode器件,從GaN FET到其他
2023-05-10 09:24:51420 40 A 650V IGBT,它與IGBT相同額定電流的二極管組合封裝到表面貼裝TO-263-3(亦稱D2PAK)封裝中。全新D2PAK封裝TRENCHSTOP 5 IGBT可滿足電源設備對功率
2018-10-23 16:21:49
Parameter Symbol Value Unit TO-220F TO-220 TO-247 Drain-Source Voltage (VGS = 0V) VDSS 650 V
2021-04-06 11:35:02
逆變器等中高功率領域,可顯著的減少電路的損耗,提高電路的工作頻率?! £P斷波形圖(650V/10A產品) 650V/1200V碳化硅肖特基二極管選型
2020-09-24 16:22:14
0前言家用逆變焊機因其體較小,操作方便,市場接受度逐步提高。因市電220V輸入的特點,一般采用600V/650V規格的IGBT作為逆變主功率器件。IGBT (Insulated Gate
2014-08-13 09:25:59
MOS管 N-channel Id=34.5A VDS=650V TO247
2023-03-24 14:52:47
`我看到AD650的技術文檔上說要將信號地直接連在AD650芯片的模擬地管腳上,請問我直接將一整塊電路板覆銅,然后把模擬地接在覆銅上可以嗎?會影響電路的效果嗎?`
2016-01-25 13:56:34
因數校正,新能源電網,新能源汽車,軌道交通等不同領域!附上同系列650V B1D02065E B1D06065FB1D04065KB2D08065K 等更多型號選型表:
2021-11-09 16:36:57
650-621 ExamAdvanced Wireless LAN科目編號:650-621 科目名稱:Advanced
Wireless LAN 考題數目:47 Q&
2010-06-08 09:37:29
`IDM165L650是一種高功率脈沖晶體管,專為工作于0.125-0.167 GHz的Sub-1 GHz系統而設計。 該雙MOSFET器件以1ms的脈沖寬度和20%的占空比工作,在瞬時工作帶寬上以
2021-04-01 10:03:31
`IGN1214M650A是最適合L波段雷達應用的高功率GaN晶體管。 該晶體管被指定用于AB類工作,提供1.2-1.4 GHz的工作頻率,最小650W的峰值脈沖功率,50V和10%的占空比。 該
2020-04-21 11:17:44
;TSD5N60MTruesemi 其它相關產品請 點擊此處 了解特性:3.0A,650V,最大RDS(on)= 3.0Ω@ VGS = 10V低柵極電荷(典型值為16nC)快速切換經過100%雪崩測試改進的dv/dt功能主要參數:應用:高效開關模式電源,基于半橋拓撲的有源功率因數校正`
2020-04-30 15:13:55
模擬和 GaN 邏輯的全功能 650V GaN 功率 IC 于 2016 年和 2017 年以單開關 v 和半橋 vi 格式推出,如圖 2 所示。文章全部詳情,請加V獲?。篽lknch
2021-07-06 09:38:20
。 BM1Pxxx支持隔離和非隔離器件,可以更簡單地設計各種類型的低功耗電氣轉換器。 BM1Pxxx內置高壓啟動電路,可承受650V電壓,有助于降低功耗
2020-08-14 06:52:48
BM2P033 PWM AC / DC變換器的典型應用電路。用于AC / DC的PWM型(BM2PXX3)為包含電源插座的所有產品提供了最佳系統。 BM2PXX3支持隔離和非隔離器件,可以更簡單地設計各種類型的低功耗電氣轉換器。 BM2PXX3內置高壓啟動電路,可承受650V電壓,有助于實現低功耗
2020-06-05 09:15:07
本帖最后由 3T華鉆電子 于 2020-9-22 17:05 編輯
新潔能原廠 NCE65T360F 650V 11A TO-220F 超結場效應管 ,原裝正品,優勢價格。深圳市華鉆電子
2019-12-31 15:08:03
650V耐壓的buck電路夠不夠用
2023-08-01 14:38:42
用于AC/DC變換器應用的新型650V GaNFast半橋IC(氮化鎵)
2023-06-19 07:57:31
600V IGBT3,全新芯片具備更出色的關斷軟度和更高的阻斷電壓功能。此外,該器件的短路能力大幅增強。而600V IGBT3主要適用于低功率應用或雜散電感很低的高功率應用。650V IGBT4的設計與技術
2018-12-07 10:16:11
的安全裕量。 圖1 CoolMOS高壓功率MOSFET及其內部體二極管的橫截面示意圖2. 反向恢復行為新一代CoolMOS? 650V CFD的反向恢復特性如圖2所示。與標準器件相比,新一代
2018-12-03 13:43:55
英飛凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列。該產品系列將現代超級結(SJ)器件的優勢(如低導通電阻和低容性開關損耗)與輕松控制的開關行為、及
2010-07-05 08:48:261672 Cree 公司日前宣布推出最新Z-Rec 650V 結型肖特基勢壘 (JBS) 二極管系列,以滿足最新數據中心電源系統要求。新型 JBS
2010-12-23 08:49:371290 英飛凌目前正推出另一項重要的創新型高壓CoolMOS MOSFET。這種全新的650V CoolMOS CFD2是全球首款具備650V漏源電壓并集成快速體二極管的高壓晶體管。
2011-02-16 09:11:171845 富威集團代理產線Invensense推出IDG-650/ ISZ-650,增加運動傳感之游戲機臺與手持游戲機,增添了新的互動空間。
2011-05-01 08:18:522072 英飛凌科技股份有限公司擴展其車用功率半導體系列產品,推出全新 650V CoolMOS CFDA。這是業界首創整合高速本體二極體技術的超接面 MOSFET 解決方案,符合最高的汽車認證標準 AEC-Q101。
2012-04-05 09:31:021458 2014年10月21日,北京——全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 (International Rectifier,簡稱IR) 推出多款堅固可靠的650V IRGP47xx器件,藉以擴充絕緣柵雙極晶體管 (IGBT) 系列。
2014-10-21 15:27:421975 ?正溫度系數,易于并聯使用?不受溫度影響的開關特性?最高工作溫度175℃?零反向恢復電流? 零正向恢復電壓
650V 4A 碳化硅肖特基功率二極管
兼容 C3D04060A C3D04065A
2016-06-06 15:09:147 G2S06505A 650V 5A 碳化硅肖特基功率二極管 TO-220
2016-06-17 15:42:454 G2S06505C 650V 5A 碳化硅肖特基功率二極管 兼容C3D03065E C3D04065E
650V/5A碳化硅肖特基功率二極管
產品特性
?
正溫度系數,易于并聯使用
?不受溫度影響的開關特性
?
最高工作溫度175℃?零反向恢復電流? 零正向恢復電壓
2016-06-17 15:42:454 G2S06530A 650V 30A 碳化硅肖特基功率二極管
正溫度系數,易于并聯使用?
不受溫度影響的開關特性?
最高工作溫度175℃
?零反向恢復電流? 零正向恢復電壓
2016-06-23 17:56:190 意法半導體推出新款M系列650V IGBT,為電源設計人員提供一個更快捷經濟的能效解決方案,新款M系列650V IGBT,為電源設計人員提供一個更快捷經濟的能效解決方案,適用于暖通空調系統(HVAC
2016-11-02 17:19:431958 ROHM第三代碳化硅MOSFET特點(相比第二代)ROHM第三代設計應用于650V和1200V產品之中,包括分立或模組封裝。本報告深入分析了650V和1200V第三代溝槽MOSFET,并利用光學顯微鏡和掃描電鏡研究復雜的碳化硅溝槽結構。
2018-08-20 17:26:299042 碳化硅(SiC)功率半導體制造商UnitedSiC/美商聯合碳化硅股份有限公司 宣布,已經為UJ3C(通用型)和UF3C(硬開關型)系列650V SiC FET新增加了7種新的TO220-3L和D2PAK-3L器件/封裝組合產品。
2019-05-08 09:04:021767 GAN063-650WSA的特點是低導通電阻(最大RDS(on) 僅為 60 m)以及快速的開關切換;效率非常高。 Nexperia氮化鎵器件的目標是高性能要求的應用市場,包括電動汽車、數據中心、電信設備、工業自動化和高端電源。
2019-11-29 09:00:183369 作為碳化硅技術全球領先企業的科銳(Cree Inc., 美國納斯達克上市代碼:CREE)公司,于近日宣布推出Wolfspeed 650V碳化硅MOSFET產品組合,適用于更廣闊的工業應用,助力新一代電動汽車車載充電、數據中心和其它可再生能源系統應用,提供業界領先的功率效率。
2020-04-02 15:37:563648 英飛凌宣布推出650V SiC MOSFET,標志著公司進一步增強了在低壓SiC領域的布局,650V CoolSiC MOSFET系列。
2020-05-09 15:07:504267 同被稱為第三代半導體材料的氮化鎵(GaN)因其特性,多被用于650V以下的中低壓功率器件及射頻和光電領域,而碳化硅(SiC)則主要用在650V以上的高壓功率器件領域。
2020-06-24 15:56:043046 2020年7月4日 華潤微電子(CR MICRO)正式向市場投入1200V 和650V 工業級SiC肖特基二極管功率器件產品系列,與此同時宣布國內首條6英寸商用SiC晶圓生產線正式量產。 華潤微電子
2020-07-04 22:28:507770 東芝電子元件及存儲裝置株式會社(東芝)宣布,在其TOLL(TO-無引線)封裝的DTMOSVI系列中推出650V超級結功率MOSFET-
2021-03-15 15:44:231117 前言背景: 英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續流二極管,取代了傳統Si的Rapid1快速續流二極管
2021-03-26 16:40:202349 傳統的升壓PFC僅使用一個有源開關,通常是650V超結Si MOSFET。當今,大多數常規開關電源都采用升壓PFC,從而充分利用其簡單性、低成本和可靠性。用650V GaN FET代替650V Si MOSFET可以減少開關損耗,但是效率的提高并不明顯——通常只有0.1%至0.15%。
2021-04-14 11:22:412636 東芝拓展650V超結結構N溝道功率MOSFET新品 景嘉微發布JH920 東芝拓展新一代超級結結構N溝道功率MOSFET“DTMOSVI系列”的產品線 東芝電子元件及存儲裝置株式會社 (“東芝
2022-03-18 17:35:264581 關鍵半導體領域的專家Nexperia今天宣布推出 650 V、10 A SiC 肖特基二極管,進軍大功率碳化硅 (SiC) 二極管市場。這是 Nexperia 的一項戰略舉措,Nexperia 已經是值得信賴的高效功率氮化鎵 (GaN) FET 供應商,旨在擴展其高壓寬帶隙半導體器件產品。
2022-03-28 14:30:092205 TP650H070L系列650V,72m? 氮化鎵(GaN)FET是常關器件。它們結合了最先進的技術高壓GaN HEMT和低壓硅MOSFET提供卓越可靠性和性能的技術。
2022-03-31 15:03:3510 650V 60mΩ SiC MOSFET主要應用市場包括光伏和儲能、驅動、電動汽車及充電樁、UPS、電源等。據HIS報告,電動汽車充電市場的增長將非常強勁,高達59%。
2022-08-02 15:06:55614 英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續流二極管,取代了傳統Si的Rapid1快速續流二極管,配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5),進一步優化了系統效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2022-08-01 10:11:29538 650V 快速恢復 SuperFET? II MOSFET 在諧振拓撲中實現高系統效率和可靠性
2022-11-14 21:08:360 Nexperia(安世半導體)持續加大投資,擴大產能,以滿足市場對于 CFP 封裝產品不斷增長的需求。為滿足高電壓功率應用的廣大需求,Nexperia(安世半導體)計劃進一步擴大 650 V 表面貼裝的快恢復整流管(高達30 A)
2022-11-22 14:57:25569 LP88G24DCD內置650V級聯型結構的GaN功率器件,采用QFN8*8封裝,進一步減小芯片占板面積,底部采用一體化銅基板設計,具有極佳的散熱性能。
2022-11-30 09:41:12628 ROHM最近新推出650V耐壓IGBT“RGTV系列(短路耐受能力保持型)”和“RGW系列(高速開關型)”共21種機型,該系列產品同時實現了業界頂級的低傳導損耗和高速開關特性,并大大減少了開關時的過沖。
2023-02-09 10:19:25723 采用 CCPAK1212 封裝的 650 V、33 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET-GAN039-650NBA
2023-02-16 20:47:212 采用 CCPAK1212i 封裝的 650 V、33 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET-GAN039-650NTBA
2023-02-16 20:47:323 采用 CCPAK1212i 封裝的 650 V、33 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET-GAN039-650NTB
2023-02-16 20:47:450 采用 CCPAK1212 封裝的 650 V、33 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET-GAN039-650NBB
2023-02-16 20:48:020 采用 TO-247 封裝的 650 V、35 mΩ 氮化鎵 (GaN) FET-GAN041-650WSB
2023-02-17 18:46:495 650 V、50 mOhm 氮化鎵 (GaN) FET-GAN063-650WSA
2023-02-17 19:47:245 白皮書:GaN FET 技術和 AEC-Q101 認證所需的穩健性 – 中文(650 V GaN FET 技術可提供出色效率,以及 AEC-Q101 認證所需的耐久性)-nexperia_whitepaper_...
2023-02-17 19:53:032 基礎半導體器件領域的高產能生產專家 Nexperia(安世半導體)近日宣布推出 650 V 碳化硅(SiC)肖特基二極管,主要面向需要超高性能、低損耗和高效功率的電源應用。10 A、650
2023-04-20 15:55:361319 全球知名半導體制造商ROHM(以下簡稱“ROHM”)將650V耐壓的GaN(Gallium Nitride:氮化鎵)HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量產
2023-05-18 16:34:23464 Nexperia | 用于汽車和工業的650V超快恢復整流管
2023-05-24 12:16:57300 全球知名半導體制造商ROHM(以下簡稱“ROHM”)將650V耐壓的GaN(Gallium Nitride:氮化鎵)HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量產,這兩款產品非常適用于服務器和AC適配器等各種電源系統。
2023-05-24 15:19:34447 非常適用于服務器和AC適配器等各種電源系統的效率提升和小型化 全球知名半導體制造商ROHM(以下簡稱“ROHM”)將650V耐壓的GaN(Gallium Nitride:氮化鎵)HEMT
2023-05-25 00:25:01322 Vishay 新型第三代 650V?SiC 二極管 器件采用 MPS 結構設計 額定電流 4 A~ 40 A 正向壓降、電容電荷和反向漏電流低 Vishay? 推出17款新型第三代 650V 碳化硅
2023-05-26 03:05:02358 基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今天宣布推出首批支持低電壓(100/150 V)和高電壓(650 V)應用的E-mode(增強型)功率GaN FET。Nexperia在其級聯型氮化
2023-05-30 09:03:15384 潤新微電子(Runxin Microelectronics)榮幸推出了最新一代的650V GaN功率晶體管(FET),該產品具備卓越的性能和廣泛的應用領域。 產品特點: 易于使用:650V GaN
2023-06-12 16:38:34693 ROHMSemiconductor GNP1 EcoGaN?650V E模式氮化鎵(GaN)FET采用低導通電阻和高速開關來提高電源轉換效率和減小尺寸。該款高度可靠的GNP1 FET具有內置ESD
2023-06-19 15:09:18273 圳市森國科科技股份有限公司日前發布了第五代Thinned MPS SiC二極管KS04065(650V/4A)、KS06065(650V/6A)
2023-07-12 17:06:27522 繼先后推出成熟化的全系列碳化硅二極管、碳化硅MOSFET以及碳化硅模塊產品后,2023年7月 森國科正式對外推出650V超結MOSFET系列新品 ,相較于傳統的功率MOSFET,SJMOSFET具有
2023-07-20 11:09:16638 650V硅上GaN增強型功率品體管,采用5mm雙扁平無引線封裝(DFN)X6毫米大小。增強型晶體管-正常關閉電源開關,符合JEDEC標準的工業應用。
2023-08-16 23:36:51687 650V硅上GaN增強模式功率晶體管,英諾賽科INN650D150A采用雙扁平無引線封裝(DFN),8mmx8mm尺寸,增強型晶體管-正常關閉電源開關
2023-08-07 17:22:17968 基礎半導體器件領域的高產能生產專家 Nexperia(安世半導體)近日宣布推出首批支持低電壓(100/150 V)和高電壓(650 V)應用的 E-mode(增強型)功率 GaN FET
2023-08-10 13:55:54500 SP9683高頻準諧振、集成650V氮化鎵功率器件,30W高性能ACDC芯片
2023-10-21 15:43:271008 電子發燒友網站提供《SLP12N65C美浦森高壓MOSFET 650V 12A.pdf》資料免費下載
2022-04-29 14:06:570 電子發燒友網站提供《SLP10N65C美浦森高壓MOSFET 650V 12A.pdf》資料免費下載
2022-04-29 14:12:250 電子發燒友網站提供《SLP8N65C美浦森高壓MOSFET 650V 7.5A.pdf》資料免費下載
2022-04-29 14:30:151 電子發燒友網站提供《SLP5N65C美浦森高壓MOSFET 650V 4.5A.pdf》資料免費下載
2022-04-29 14:33:490 供應40A、650V新能源絕緣柵雙極型晶體管SGTP40V65SDB1P7,提供SGTP40V65SDB1P7關鍵參數,更多產品手冊、應用料資請向士蘭微mos代理驪微電子申請。>>
2022-08-01 16:18:473 供應SGTP75V65SDS1P775A、650V光伏逆變器igbt-三相igbt逆變電源,提供SGTP75V65SDS1P7關鍵參數,更多產品手冊、應用料資請向士蘭微mos代理驪微電子申請。>>
2022-08-02 17:12:195 SVSP35NF65P7D3士蘭微高壓超結mos管650V,35A,提供SVSP35NF65P7D3關鍵參數,更多產品手冊、應用料資請向士蘭微mos代理驪微電子申請。>>
2022-09-06 14:57:507 供應SVSP11N65DD211A,650V士蘭微超結MOS,提供SVSP11N65DD211A,650V士蘭微超結MOS關鍵參數,更多產品手冊、應用料資請向士蘭微mos代理驪微電子申請。>>
2022-11-02 15:17:061 650V高壓低功耗非隔離電源芯片,默認輸出12V,最大電流2A,具有輸出可設置3-24V
2023-12-01 19:19:030 IGBT 作為一種功率半導體器件,廣泛應用于工業節能、電動汽車和新能源裝備等領域。IGBT 具有節能、安裝方便、維護方便、散熱穩定等特點,是能量轉換和傳輸的核心裝置。瑞能的650V IGBT產品在電性能和可靠性等方面具備諸多優勢,在行業內也處于領先地位。
2023-12-26 13:31:35276 近日,瞻芯電子采用TO263-7封裝的第二代SiC MOSFET中650V 40mΩ產品IV2Q06040D7Z通過了嚴苛的車規級可靠性認證,該產品采用TO263-7貼片封裝,具有體積較小,安裝簡便,損耗更低的特點。
2024-01-16 10:16:24770 近日,全球知名半導體制造商ROHM Co., Ltd.(以下簡稱“羅姆”)宣布,其650V GaN器件(EcoGaN?)已被臺達電子(Delta Electronics, Inc.,以下簡稱
2024-03-12 10:42:46123 近日,瞻芯電子宣布其研發的三款第二代650V SiC MOSFET產品成功通過了嚴格的AEC-Q101車規級可靠性認證,這一里程碑式的成就標志著瞻芯電子在功率電子領域的持續創新與技術突破。
2024-03-12 11:04:24260 瞻芯電子近日宣布成功推出三款第二代650V SiC MOSFET產品,這些產品不僅通過了嚴格的車規級可靠性認證(AEC-Q101 Qualified),還具備業界領先的低損耗水平。這些新型MOSFET的推出,標志著瞻芯電子在半導體技術領域的又一重要突破。
2024-03-13 09:24:13279 本次推出的產品主要為50A 650V TO-247封裝IGBT單管;
2024-03-15 14:26:07188 近日,國內半導體功率器件領軍企業揚州揚杰電子科技股份有限公司(以下簡稱“揚杰科技”)再度刷新業界認知,推出了一款專為光伏儲能充電樁等高頻應用而設計的50A 650V TO-247封裝IGBT單管產品
2024-03-16 10:48:19563 電子發燒友網站提供《具有集成驅動器的 650V 120m? GaN FET LMG3612數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-21 10:20:580 電子發燒友網站提供《具有集成驅動器的650V 270m? GaN FETLMG3616數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-21 10:19:400
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