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電子發燒友網>電源/新能源>功率器件>Nexperia推出650V的功率器件GAN063-650WSA

Nexperia推出650V的功率器件GAN063-650WSA

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Nexperia | 用于汽車和工業的650V超快恢復整流管
2023-05-24 12:16:57300

ROHM具有業界超高性能的650V耐壓GaN HEMT

全球知名半導體制造商ROHM(以下簡稱“ROHM”)將650V耐壓的GaN(Gallium Nitride:氮化鎵)HEMT*1“GNP1070TC-Z”、“GNP1150TCA-Z”投入量產,這兩款產品非常適用于服務器和AC適配器等各種電源系統。
2023-05-24 15:19:34447

ROHM開始量產具有業界超高性能的650V耐壓GaN HEMT!

非常適用于服務器和AC適配器等各種電源系統的效率提升和小型化 全球知名半導體制造商ROHM(以下簡稱“ROHM”)將650V耐壓的GaN(Gallium Nitride:氮化鎵)HEMT
2023-05-25 00:25:01322

開關電源設計優質選擇 Vishay威世科技第三代650V SiC二極管

Vishay 新型第三代 650V?SiC 二極管 器件采用 MPS 結構設計 額定電流 4 A~ 40 A 正向壓降、電容電荷和反向漏電流低 Vishay? 推出17款新型第三代 650V 碳化硅
2023-05-26 03:05:02358

支持低壓和高壓應用的E-mode GAN FET

基礎半導體器件領域的高產能生產專家Nexperia今天宣布推出首批支持低電壓(100/150 V)和高電壓(650 V)應用的E-mode(增強型)功率GaN FET。Nexperia在其級聯型氮化
2023-05-30 09:03:15384

未來智能城市的動力引擎:潤新微電子的650V GaN功率晶體管(FET)

潤新微電子(Runxin Microelectronics)榮幸推出了最新一代的650V GaN功率晶體管(FET),該產品具備卓越的性能和廣泛的應用領域。 產品特點: 易于使用:650V GaN
2023-06-12 16:38:34693

AMEYA360:羅姆 Semiconductor GNP1 EcoGaN? 650V E模式GaN FET

ROHMSemiconductor GNP1 EcoGaN?650V E模式氮化鎵(GaN)FET采用低導通電阻和高速開關來提高電源轉換效率和減小尺寸。該款高度可靠的GNP1 FET具有內置ESD
2023-06-19 15:09:18273

為快充而生的650V/4A &amp; 650V/6A SiC二極管

圳市森國科科技股份有限公司日前發布了第五代Thinned MPS SiC二極管KS04065(650V/4A)、KS06065(650V/6A)
2023-07-12 17:06:27522

森國科650V超結MOSFET系列產品的性能指標

繼先后推出成熟化的全系列碳化硅二極管、碳化硅MOSFET以及碳化硅模塊產品后,2023年7月 森國科正式對外推出650V超結MOSFET系列新品 ,相較于傳統的功率MOSFET,SJMOSFET具有
2023-07-20 11:09:16638

INN650DA260A增強功率晶體管GaN

650V硅上GaN增強型功率品體管,采用5mm雙扁平無引線封裝(DFN)X6毫米大小。增強型晶體管-正常關閉電源開關,符合JEDEC標準的工業應用。
2023-08-16 23:36:51687

INN650D150A增強功率晶體管GaN

650V硅上GaN增強模式功率晶體管,英諾賽科INN650D150A采用雙扁平無引線封裝(DFN),8mmx8mm尺寸,增強型晶體管-正常關閉電源開關
2023-08-07 17:22:17968

安世推出支持低壓和高壓應用的E-mode GAN FET GAN FET

基礎半導體器件領域的高產能生產專家 Nexperia(安世半導體)近日宣布推出首批支持低電壓(100/150 V)和高電壓(650 V)應用的 E-mode(增強型)功率 GaN FET
2023-08-10 13:55:54500

SP9683高頻準諧振、集成650V氮化鎵功率器件,30W高性能ACDC芯片

SP9683高頻準諧振、集成650V氮化鎵功率器件,30W高性能ACDC芯片
2023-10-21 15:43:271008

SLP12N65C美浦森高壓MOSFET 650V 12A

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2022-04-29 14:06:570

SLP10N65C美浦森高壓MOSFET 650V 12A

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2022-04-29 14:12:250

SLP8N65C美浦森高壓MOSFET 650V 7.5A

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2022-04-29 14:30:151

SLP5N65C美浦森高壓MOSFET 650V 4.5A

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2022-04-29 14:33:490

SGTP40V65SDB1P7 650V新能源IGBT

供應40A、650V新能源絕緣柵雙極型晶體管SGTP40V65SDB1P7,提供SGTP40V65SDB1P7關鍵參數,更多產品手冊、應用料資請向士蘭微mos代理驪微電子申請。>>
2022-08-01 16:18:473

SGTP75V65SDS1P7 650V光伏逆變器igbt

供應SGTP75V65SDS1P775A、650V光伏逆變器igbt-三相igbt逆變電源,提供SGTP75V65SDS1P7關鍵參數,更多產品手冊、應用料資請向士蘭微mos代理驪微電子申請。>>
2022-08-02 17:12:195

SVSP35NF65P7D3 士蘭微高壓超結mos管650V

SVSP35NF65P7D3士蘭微高壓超結mos管650V,35A,提供SVSP35NF65P7D3關鍵參數,更多產品手冊、應用料資請向士蘭微mos代理驪微電子申請。>>
2022-09-06 14:57:507

SVSP11N65DD2 11A,650V士蘭微超結MOS-士蘭微mos管規格書

供應SVSP11N65DD211A,650V士蘭微超結MOS,提供SVSP11N65DD211A,650V士蘭微超結MOS關鍵參數,更多產品手冊、應用料資請向士蘭微mos代理驪微電子申請。>>
2022-11-02 15:17:061

650V高壓低功耗非隔離電源芯片eNJ8665

650V高壓低功耗非隔離電源芯片,默認輸出12V,最大電流2A,具有輸出可設置3-24V
2023-12-01 19:19:030

瑞能650V IGBT的結構解析

IGBT 作為一種功率半導體器件,廣泛應用于工業節能、電動汽車和新能源裝備等領域。IGBT 具有節能、安裝方便、維護方便、散熱穩定等特點,是能量轉換和傳輸的核心裝置。瑞能的650V IGBT產品在電性能和可靠性等方面具備諸多優勢,在行業內也處于領先地位。
2023-12-26 13:31:35276

瞻芯電子推出第二代650V車規級TO263-7封裝助力高效高密應用

近日,瞻芯電子采用TO263-7封裝的第二代SiC MOSFET中650V 40mΩ產品IV2Q06040D7Z通過了嚴苛的車規級可靠性認證,該產品采用TO263-7貼片封裝,具有體積較小,安裝簡便,損耗更低的特點。
2024-01-16 10:16:24770

羅姆650V GaN器件助力臺達Innergie AC適配器實現性能提升與小型化

近日,全球知名半導體制造商ROHM Co., Ltd.(以下簡稱“羅姆”)宣布,其650V GaN器件(EcoGaN?)已被臺達電子(Delta Electronics, Inc.,以下簡稱
2024-03-12 10:42:46123

瞻芯電子第二代650V SiC MOSFET產品通過車規級可靠性認證

近日,瞻芯電子宣布其研發的三款第二代650V SiC MOSFET產品成功通過了嚴格的AEC-Q101車規級可靠性認證,這一里程碑式的成就標志著瞻芯電子在功率電子領域的持續創新與技術突破。
2024-03-12 11:04:24260

瞻芯電子推出三款第二代650V SiC MOSFET產品

瞻芯電子近日宣布成功推出三款第二代650V SiC MOSFET產品,這些產品不僅通過了嚴格的車規級可靠性認證(AEC-Q101 Qualified),還具備業界領先的低損耗水平。這些新型MOSFET的推出,標志著瞻芯電子在半導體技術領域的又一重要突破。
2024-03-13 09:24:13279

介紹一款用于光伏儲能充電樁的50A 650V TO-247封裝IGBT單管

本次推出的產品主要為50A 650V TO-247封裝IGBT單管;
2024-03-15 14:26:07188

揚杰科技推出50A 650V TO-247封裝IGBT單管

近日,國內半導體功率器件領軍企業揚州揚杰電子科技股份有限公司(以下簡稱“揚杰科技”)再度刷新業界認知,推出了一款專為光伏儲能充電樁等高頻應用而設計的50A 650V TO-247封裝IGBT單管產品
2024-03-16 10:48:19563

具有集成驅動器的 650V 120m? GaN FET LMG3612數據表

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2024-03-21 10:20:580

具有集成驅動器的650V 270m? GaN FETLMG3616數據表

電子發燒友網站提供《具有集成驅動器的650V 270m? GaN FETLMG3616數據表.pdf》資料免費下載
2024-03-21 10:19:400

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