近日，華潤微電子正式發(fā)布1200V 和650V 工業(yè)級SiC肖特基二極管系列產(chǎn)品，并實(shí)現量產(chǎn)。其碳化硅二極管將主打充電樁、太陽(yáng)能、UPS、通信和服務(wù)器電源等應用。該產(chǎn)品的多項關(guān)鍵參數均可與國
2020-07-21 11:16:20
12912 極快反向恢復速度的600V-1200V碳化硅肖特基二極管芯片及成品器件 。海飛樂(lè )技術(shù)600V碳化硅二極管現貨選型相比于Si半導體材料，SiC半導體材料具有禁帶寬度較大、臨界電場(chǎng)較大、熱導率較高的特點(diǎn)，SiC
2019-10-24 14:25:15
Nov. 2019IV1D12010T2 – 1200V 10A 碳化硅肖特基二極管特性 封裝外形?最大結溫為 175°C?高浪涌電流容量?零反向恢復電流?零正向恢復電壓?高頻工作?開(kāi)關(guān)特性不受溫度
2020-03-13 13:42:49
逆變器等中高功率領(lǐng)域，可顯著(zhù)的減少電路的損耗，提高電路的工作頻率?！ ￡P(guān)斷波形圖（650V/10A產(chǎn)品） 650V/1200V碳化硅肖特基二極管選型
2020-09-24 16:22:14
SiC-MOSFET－溝槽結構SiC-MOSFET與實(shí)際產(chǎn)品SiC功率元器件基礎篇前言前言何謂SiC（碳化硅）？何謂碳化硅SiC功率元器件的開(kāi)發(fā)背景和優(yōu)點(diǎn)SiC肖特基勢壘二極管所謂SiC-SBD－特征以及與Si
2018-11-27 16:40:24
ROHM努力推進(jìn)最適合處理高耐壓與大電流電路使用SiC（碳化硅）材料的SBD（肖特基勢壘二極管）。2010年在日本國內率先開(kāi)始SiC SBD的量產(chǎn)，目前正在拓展第二代SiC-SBD，并推動(dòng)在包括車(chē)載
2018-12-04 10:09:17
10倍的絕緣擊穿場(chǎng)強,所以不僅能保持實(shí)際應用特性且可耐高壓。ROHM的650V和1200V的SiC-SBD已經(jīng)實(shí)現量產(chǎn)，1700V產(chǎn)品正在開(kāi)發(fā)中。SiC-SBD和Si-PN結二極管通過(guò)Si二極管來(lái)應對
2018-11-29 14:35:50
常適合功率元器件的半導體材料，具有優(yōu)異的特性。作為肖特基勢壘二極管時(shí)，具有卓越的高速性能，可實(shí)現Si-SBD無(wú)法匹敵的高耐壓元器件。從耐壓的角度可與Si-FRD一爭高下，但其恢復性能更具優(yōu)勢。高速恢復
2018-12-03 15:12:02
STMicroelectronics的快速碳化硅結構肖特基二極管 STMicroelectronics碳化硅結構肖特基二極管的開(kāi)關(guān)使設計人員可以達到更高的效率和功率密度。ST的650V
2020-06-30 16:26:30
、SCT50N120 （Vbr=1200v（SCT*N120），Vbr=650v（SCT*N65G2/G2V））.高溫時(shí)功率損耗低.高溫工作性能（200C）.無(wú)恢復損耗的體二極管.驅動(dòng)方便.低柵極充電（SCT*N65G2V）了解更多信息，請關(guān)注英特洲電子，QQ584140894
2017-07-27 17:50:07
肖特基二極管、穩壓二極管、瞬態(tài)二極管之間的區別和理解1、肖特基二極管肖特基二極管是以貴金屬為正極，N型半導體為負極，利用二者接觸面上形成的勢壘具有整流特性制成的金屬-半導體器件。肖特基整流管的結構
2021-11-15 06:47:36
肖特基二極管SCHOTTKY 100V 1A POWERDI123 常州鼎先電子有限公司***邢思前專(zhuān)業(yè)生產(chǎn)瞬態(tài)抑制二極管陣列 TVS ESD Array`
2020-11-02 10:14:46
` 快恢復二極管是指反向恢復時(shí)間很短的二極管（5us以下），工藝上多采用摻金措施，結構上有采用PN結型結構，有的采用改進(jìn)的PIN結構。其正向壓降高于普通二極管（1-2V），反向耐壓多在1200V
2019-01-08 13:56:57
肖特基二極管分貼片和插件這兩種類(lèi)別，一種是常見(jiàn)三個(gè)腳的肖特基二極管，印字是“例：MBR20100FCT”，符號是 “ ”；第二種是貼片肖特基二極管，貼片肖特基二極管的印字多數是用型號來(lái)做印字
2021-07-09 11:45:01
。Si-SBD的特點(diǎn)是：正向壓降PN結二極管的UDF低，僅為后者的1/2～1/3；trr約為10ns數量級；適用于低電壓（小于50V）的功率電子電路中（當電路電壓高于100V以上時(shí)，則要選用PIV高的SBD
2019-01-03 13:36:59
），工藝上多采用摻金措施，結構上有采用PN結型結構，有的采用改進(jìn)的PIN結構。其正向壓降高于普通二極管（0.5-2V），反向耐壓多在1200V以下。從性能上可分為快恢復和超快恢復兩個(gè)等級。 前者
2016-04-19 14:29:35
肖特基二極管正向導通電壓很低，只有0.4V，反向在擊穿電壓之前不會(huì )導通，起到快速反應開(kāi)關(guān)的作用。而穩壓二極管正向導通電壓跟普通二級管一樣約為0.7V，反向狀態(tài)下在臨界電壓之前截止，在達到臨界電壓
2020-09-25 15:38:08
` 在電子產(chǎn)品生產(chǎn)中，都會(huì )用到一種材料，它也因此被譽(yù)為電子行業(yè)的“生命之源”這種材料就是肖特基二極管，又稱(chēng)肖特基勢壘二極管（簡(jiǎn)稱(chēng)SBD），它屬一種低功耗、超高速半導體器件。最顯著(zhù)的特點(diǎn)為反向恢復
2019-02-20 12:01:29
（金屬－絕緣體－半導體）肖特基二極管可以用來(lái)制作太陽(yáng)能電池或發(fā)光二極管。 復二極管：有0.8-1.1V的正向導通壓降，35-85nS的反向恢復時(shí)間，在導通和截止之間迅速轉換，提高了器件的使用頻率并改善了
2015-11-27 18:02:58
肖特基二極管和普通穩壓二極管有什么區別
2020-04-13 17:11:31
直接影響二極管的開(kāi)關(guān)速度，但不一定說(shuō)這個(gè)值小就好。也即當肖特基二極管由導通突然反向時(shí)，反向電流由很大衰減到接近IR時(shí)所需要的時(shí)間。大功率開(kāi)關(guān)管工作在高頻開(kāi)關(guān)狀態(tài)時(shí)，此項指標至為重要。肖特基二極管規格書(shū)下載：
2022-01-24 11:27:53
，肖特基二極管反向漏電流較大，選擇肖特基二極管是盡量選擇IR較小的二極管。三、額定電流IF：指肖特基二極管長(cháng)期運行時(shí)，根據允許溫升折算出來(lái)的平均電流值。肖特基二極管規格書(shū)下載：
2022-05-31 17:17:19
肖特基二極管一種應用電路，這是肖特基二極管在步進(jìn)電動(dòng)機驅動(dòng)電路中的應用。利用肖特基二極管的管壓降小、恢復時(shí)間短的特點(diǎn)，這樣大部分電流就流過(guò)外部的肖特基二極管，從而集成電路內部的功耗就小了很多，提高了熱穩定性能，也就提高了可靠性。?肖特基二極管規格書(shū)下載：
2021-04-12 17:25:17
1、肖特基它是一種低功耗、超高速半導體器件，廣泛應用于開(kāi)關(guān)電源、變頻器、驅動(dòng)器等電路，作高頻、低壓、大電流整流二極管、續流二極管、保護二極管使用，或在微波通信等電路中作整流二極管、小信號檢波二極管
2021-06-30 16:48:53
半導體器件。其反向恢復時(shí)間極短（可以小到幾納秒），正向導通壓降僅0.4V左右，而整流電流卻可達到幾千安培。這些優(yōu)良特性是快恢復二極管所無(wú)法比擬的。中、小功率肖特基整流二極管大多采用封裝形式。[編輯本段
2017-10-19 11:33:48
?肖特基二極管具有開(kāi)關(guān)頻率高和正向壓降低等優(yōu)點(diǎn)，但其反向擊穿電壓比較低，大多不高于60V，*高僅約100V，以致于限制了其應用范圍。像在開(kāi)關(guān)電源（SMPS）和功率因數校正（PFC）電路中功率開(kāi)關(guān)器件
2020-11-26 17:31:19
?肖特基二極管具有開(kāi)關(guān)頻率高和正向壓降低等優(yōu)點(diǎn)，但其反向擊穿電壓比較低，大多不高于60V，*高僅約100V，以致于限制了其應用范圍。像在開(kāi)關(guān)電源（SMPS）和功率因數校正（PFC）電路中功率開(kāi)關(guān)器件
2021-11-16 17:02:37
肖特基二極管優(yōu)點(diǎn)：肖特基二極管具有開(kāi)關(guān)頻率高和正向壓降低等優(yōu)點(diǎn)，但其反向擊穿電壓比較低，大多不高于60V，最高僅約100V，以致于限制了其應用范圍。像在開(kāi)關(guān)電源（SMPS）和功率因數校正（PFC
2021-09-09 15:19:01
一、對于浪涌電壓或浪涌電流比較大的應用電路應該加抑制和吸收電路。二、應用電路的峰值工作電壓應小于MDD肖特基二極管的最高反向擊穿電壓Vrrm。三、應用電路內的MDD肖特基二極管的實(shí)際工作溫升應小于
2021-06-15 15:33:58
、肖特基二極管、發(fā)光二極管、硅功率開(kāi)關(guān)二極管、旋轉二極管等。3、按照管芯結構，又可分為點(diǎn)接觸型二極管、面接觸型二極管及平面型二極管。1） 整流二極管 將交流電源整流成為直流電流的二極管叫作整流二極管。2
2016-03-22 14:55:18
是貴金屬（金、銀、鋁、鉑等）A為正極，以N型半導體B為負極，利用二者接觸面上形成的勢壘具有整流特性而制成的金屬-半導體器件。 肖特基（Schottky）二極管的最大特點(diǎn)是正向壓降 VF 比較小。在同樣
2021-04-17 14:10:23
肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名的，完整的叫法是：肖特基整流二極管（Schottky Rectifier Diode 縮寫(xiě)成SR），也有人叫做：肖特基勢壘二極管
2021-06-30 17:04:44
較低，一般不超過(guò)去時(shí)100V。因此適宜在低壓、大電流情況下工作。利用其低壓降這特點(diǎn)，能提高低壓、打電流整流（或續流）電路的效率。肖特基二極管的作用：肖特基（Schottky）二極管，又稱(chēng)肖特基勢壘二極管
2020-10-27 06:31:18
在不同的電路部分。這是一個(gè)追求性能和用戶(hù)體驗，對成本不敏感的行業(yè)，是肖特基二極管(同時(shí)也是sic功率器件)的第1個(gè)民用下游領(lǐng)域，曾經(jīng)在早期為siC功率器件廠(chǎng)家提供了最初的現金流。由于我國缺乏高端音響制造業(yè)
2018-11-14 14:54:30
集成電路Al內部的功耗就小了很多，提高了熱穩定性能，也就提高了可靠性。肖特基二極管是近年來(lái)問(wèn)世的低功耗、大電流、超高速半導體器件。其反向恢復時(shí)間極短（可以小到幾納秒），正向導通壓降僅0.4V左右，而整流
2021-03-15 14:44:01
` 雖然肖特基二極管是一個(gè)簡(jiǎn)單器件，但它卻有許多值得考慮的特性。這些特性通常取決于應用，其中一些應用包括：整流器、信號線(xiàn)或、晶體管關(guān)閉、續流（電感器和電機）等，當然還有專(zhuān)用功能如LED和基準電壓
2019-02-21 13:39:32
除了型號，外形上一般沒(méi)什么區別，但可以測量正向壓降進(jìn)行區別，直接用數字萬(wàn)用表測（小電流）普通二極管在0.5V以上，肖特基二極管在0.3V以下，大電流時(shí)普通二極管在0.8V左右，肖特基二極管在0.5V
2019-06-12 04:20:33
肖特基二極管的額定電流是什么呢？額定電流是肖特基二極管的主要標稱(chēng)值，比如10A /100V的肖特基二極管，10A就是該肖特基二極管的額定電流。通常額定電流的定義是該肖特基二極管所能通過(guò)的額定平均電流
2020-09-16 16:04:11
肖特基二極管的額定電流是什么呢？額定電流是肖特基二極管的主要標稱(chēng)值，比如10A /100V的肖特基二極管，10A就是該肖特基二極管的額定電流。通常額定電流的定義是該肖特基二極管所能通過(guò)的額定平均電流
2021-07-21 15:26:58
物理學(xué)家Walter Schottky開(kāi)發(fā)了金屬-半導體接觸的模型。與半導體-半導體接觸相反，肖特基二極管由于材料組成的選擇方式在半導體的界面上形成了一個(gè)耗盡區而因此具有勢壘。這防止了低于特定功率閾值
2017-04-19 16:33:24
(Schottky)二極管，又稱(chēng)肖特基勢壘二極管(簡(jiǎn)稱(chēng)SBD)，它屬一種低功耗、超高速半導體器件。最顯著(zhù)的特點(diǎn)為反向恢復時(shí)間極短(可以小到幾納秒)，正向導通壓降僅0.4V左右。其多用作高頻、低壓、大電流
2018-10-25 14:48:50
`編輯ZASEMI肖特基二極管MBR60200PT是肖特基二極管中非常常見(jiàn)的型號，TO-247封裝，正向整流60A，反向耐壓200V，正向壓降0.87V，正向峰值浪涌電流500A，反向漏電流為
2021-04-29 16:26:23
和小信號檢測二極管。 肖特基二極管是功率整流應用的最佳半導體器件，因為這些器件具有高電流密度和低正向壓降，這與普通的PN結器件不同。這些優(yōu)勢有助于降低熱量水平，減少設計中包含的散熱器數量，并提高電子
2021-10-18 16:45:00
Basic Semi代理商 B1D02065K是一款碳化硅肖特基二極管，與傳統的硅基器件相比，具有更優(yōu)越的性能，零開(kāi)關(guān)損耗，提高效率，降低解決方案成本，功率密度增加，實(shí)現更高的開(kāi)關(guān)頻率，減少對散熱器
2021-11-09 16:36:57
Basic Semi代理商 B1D02065E 是一款碳化硅肖特基二極管，與傳統的硅基器件相比，具有更優(yōu)越的性能，零開(kāi)關(guān)損耗，極低反向電流 ，無(wú)反向恢復電流 ，低電容電荷， 提高效率，降低解決方案
2021-10-27 15:00:42
SiC JBS二極管提供卓越的功能，包括但不限于高溫操作，高阻斷電壓和快速開(kāi)關(guān)能力。本文檔介紹高級交換與SiC肖特基二極管相比，GeneSiC的1200 V/12 A SiC JBS二極管提供的性能
2023-06-16 11:42:39
沒(méi)有開(kāi)關(guān)損耗? 硅二極管系統效率的提高? 功率密度增加? 實(shí)現更高的開(kāi)關(guān)頻率? 減少對散熱器的需求? 由于更小的磁性，系統成本節約? 減少電磁干擾廣泛應用于新能源、電動(dòng)汽車(chē)、智能電網(wǎng)、軌道交通、工業(yè)
2021-11-06 09:26:20
阻。盡管普通二極管的“慣性”較大，但是在超過(guò)200V的工作電壓場(chǎng)合，普通的PIN二極管占主導地位?！ ≡从诠杌?b class="flag-6" style="color: red">肖特基二極管，近年來(lái)開(kāi)發(fā)出來(lái)新的基于碳化硅(SiC)的肖特基二極管用于一些效率很關(guān)鍵的電力
2019-01-02 13:57:40
二極管，它是一種熱載流子二極管?！ ∈墙陙?lái)問(wèn)世的低功耗、大電流、超高速半導體器件。其反向恢復時(shí)間極短（可以小到幾納秒），正向導通壓降僅0.4V左右，而整流電流卻可達到幾千毫安。這些優(yōu)良特性是快恢復二極管
2010-08-17 09:31:20
(1)由于肖特基勢壘的高度低于PN結勢壘，肖特基二極管的正向傳導閾值電壓和正向壓降均低于PN結勢壘，約低0.2V。(2)由于肖特基二極管是一種大多數載流子導電器件，不存在少數載流子壽命和反向恢復問(wèn)題。肖特基二極管規格書(shū)下載：
2022-01-18 10:35:14
恢復二極管是指反向恢復時(shí)間很短的二極管(5us以下)，工藝上多采用摻金措施，結構上有采用PN結型結構，有的采用改進(jìn)的PIN結構。其正向壓降高于普通二極管(1-2V)，反向耐壓多在1200V以下。從性能
2019-03-11 11:24:39
mV 時(shí)，電流就開(kāi)始成指數增長(cháng)。需要注意的是，肖特基二極管是單極性器件，而 PN 結二極管是雙極性器件。通過(guò)肖特基二極管的電流只是由于電子。而在 PN 結二極管中，流過(guò)二極管的電流是由電子和空穴
2022-03-19 22:39:23
什么是肖特基二極管？
2014-03-05 09:25:07
擴展了其650伏(V) SiC二極管系列，提供更高的能效、更高的功率密度和更低的系統成本。工程師在設計用于太陽(yáng)能光伏逆變器、電動(dòng)車(chē)/混和動(dòng)力電動(dòng)車(chē)（EV / HEV）充電器、電信電源和數據中心電源等
2018-10-29 08:51:19
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術(shù)，提供更出色的開(kāi)關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無(wú)反向恢復電流，且具有不受溫度影響的開(kāi)關(guān)特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導體。
2020-07-30 07:14:58
0.61V，這樣就大大的提升了工作效率，所以低壓降肖特基二極管能廣泛的應用于有六級能效要求的方案中。另外，低壓降肖特基二極管的反向恢復時(shí)間可以小到幾納秒，而且它的整流電流可以達到幾千安，適用于低電壓、大電流的條件下工作。低壓降肖特基二極管規格書(shū)下載：
2022-01-24 15:00:32
本產(chǎn)品說(shuō)明展示了接近理論的理想因素和勢壘高度GeneSiC的1200V SiC肖特基二極管，設計用于工作溫度> 225°C主要應用于井下石油鉆井、航空航天和電動(dòng)汽車(chē)。溫度理想因子
2023-06-16 06:15:24
所示的曲線(xiàn)關(guān)系:正向導通壓降與導通電流成正比，其浮動(dòng)壓差為0.2V。從輕載導通電流到額定導通電流的壓差雖僅為0.2V,但對于功率肖特基二極管來(lái)說(shuō)它不僅影響效率也影響肖特基二極管的溫升，所以在價(jià)格條件
2018-10-18 18:19:30
`肖特基（Schottky）二極管也稱(chēng)肖特基勢壘二極管（簡(jiǎn)稱(chēng)SBD），它是一種低功耗、超高速半導體器件，廣泛應用于開(kāi)關(guān)電源、變頻器、驅動(dòng)器等電路，作高頻、低壓、大電流整流二極管、續流二極管、保護
2018-12-10 15:19:35
性能良好。通常高壓大功率肖特基二極管都用高純單晶硅制造(摻雜較多時(shí)容易反向擊穿）。這種器件的結面積較大，能通過(guò)較大電流（可達上千安），但工作頻率不高，一般在幾十千赫以下?！ ∫?、肖特基二極管的選擇
2018-10-30 15:59:52
` 低壓降肖特基二極管是正向壓降比普通肖特基二極管還要低的一種半導體器件，可以理解成升級版性能更優(yōu)，壓降更低，效率更高的肖特基二極管?！ ?b class="flag-6" style="color: red">肖特基二極管SBT20V100也稱(chēng)為金屬半導體結二極管
2018-10-17 15:20:19
SiC-SBD的特征，下面將介紹一些其典型應用。主要是在電源系統應用中，將成為代替以往的Si二極管，解決當今的重要課題——系統效率提高與小型化的關(guān)鍵元器件之一。＜應用例＞PFC（功率因數改善）電路電機驅動(dòng)器電路
2018-12-04 10:26:52
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術(shù)，提供更出色的開(kāi)關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無(wú)反向恢復電流，且具有不受溫度影響的開(kāi)關(guān)特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導體。
2019-07-25 07:51:59
轉換器，以及作為續流二極管和極性保護二極管使用。國內大小電流肖特基二極管的主要作用是整流、檢波、續流、保護等。賽特微電子所生產(chǎn)研發(fā)的小電流肖特基二極管大部分屬于貼片系列，體積小、效率高、低損耗、腳位平直
2020-08-28 17:12:29
,小電流的電子產(chǎn)品；10A或以上的肖特基二極管常用于較復雜的電路中，對電流要求比較高。如:PC 電源,適配器等。 因此，10A是一個(gè)較為敏感的界限，10A以上一般稱(chēng)之為大電流肖特基二極管。肖特基二極管規格書(shū)下載：
2022-03-31 16:56:22
電場(chǎng)而具有高擊穿電壓。例如，商用硅肖特基二極管的電壓小于300V，而第一個(gè)商用SiC肖特基二極管的擊穿電壓已達到600V。3）碳化硅具有較高的導熱性。4）SiC器件可以在更高的溫度下工作，而Si器件
2023-02-07 15:59:32
僅約為100V，以致于限制了肖特基二極管的應用范圍。在變壓器次級用100V以上的高頻整流二極管、開(kāi)關(guān)電源和功率因數校正電路中的功率開(kāi)關(guān)器件續流二極管、RCD緩沖器電路中用600V～1.2kV之間的高速
2018-10-19 11:44:47
恢復二極管的反向擊穿電壓高，一般都高于200V，甚至幾千伏，而肖特基二極管的反向擊穿電壓很低，普遍在100以下，有些會(huì )高一點(diǎn)；3、快恢復二極管的功耗較大，而肖特基二極管反向恢復時(shí)間短、損耗小、噪聲低。原作者：大年君愛(ài)好電子
2023-02-16 14:56:38
客戶(hù)簡(jiǎn)單講解一下。肖特基二極管是屬于低功耗、大電流、超高速的半導體器件，其特長(cháng)是開(kāi)關(guān)速度非?？?，反向恢復時(shí)間可以小到幾個(gè)納秒，正向導通壓降僅0.4V左右，而整流電流卻可達到幾千安。所以適合在低電壓、大電流
2015-10-19 11:26:11
機變頻調速等電子設備中得到了廣泛的應用，是極有發(fā)展前途的電力、電子半導體器件。 肖特基二極管是屬于低功耗、大電流、超高速的半導體器件，其特長(cháng)是開(kāi)關(guān)速度非?？?，反向恢復時(shí)間可以小到幾個(gè)納秒，正向導通壓降僅
2022-03-31 10:04:12
結型結構，有的采用改進(jìn)的PIN結構。其正向壓降高于普通二極管（1-2V），反向耐壓多在1200V以下。從性能上可分為快恢復和超快恢復兩個(gè)等級。前者反向恢復時(shí)間為數百納秒或更長(cháng)，后者則在100納秒以下
2020-12-15 15:45:54
的產(chǎn)品線(xiàn)涉及基礎核心技術(shù)產(chǎn)品、碳化硅成型產(chǎn)品以及多套行業(yè)解決方案。公司基礎核心產(chǎn)品以碳化硅肖特基二極管為代表，其中650V/3A～100A,1200V/2A～50A和1700V/3300V等系列的碳化硅
2018-03-12 14:55:36
一、肖特基二極管的定義與特點(diǎn)1.什么是肖特基二極管肖特基二極管(肖特基勢壘二極管):它是屬于一種低功耗、超高速的半導體器件，其反向恢復時(shí)間極短（可以小到幾納秒)。正向導通壓降僅0.4V左右。2.
2016-04-19 14:24:47
普通二極管和肖特基二極管的伏安特性如何
2021-10-13 08:57:54
），工藝上多采用摻金措施，結構上有采用PN結型結構，有的采用改進(jìn)的PIN結構。其正向壓降高于普通二極管（1-2V），反向耐壓多在1200V以下。從性能上可分為快恢復和超快恢復兩個(gè)等級。前者反向恢復時(shí)間為
2019-06-12 02:34:10
1. 器件結構和特征SiC能夠以高頻器件結構的SBD（肖特基勢壘二極管）結構得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現在主流產(chǎn)品快速PN結
2019-05-07 06:21:51
` 肖特基(Schottky)二極管是一種快恢復二極管，它屬一種低功耗、超高速半導體器件。其顯著(zhù)的特點(diǎn)為反向恢復時(shí)間極短(可以小到幾納秒)，正向導通壓降僅0.4V左右。肖特基(Schottky
2018-10-22 15:32:15
器件比較理想的材料，2000年5月4日，美國CREE公司和日本關(guān)西電力公司聯(lián)合宣布研制成功12.3kV的SiC功率二極管，其正向壓降VF在100A/cm2電流密度下為4.9V。這充分顯示了SiC材料制作功率二極管的巨大威力。轉自：《電力電子網(wǎng)》
2016-11-14 20:01:52
250V左右。對于能夠耐受500～600V以上反向電壓要求，人們開(kāi)始使用碳化硅(SiC)制造器件，因為它能夠耐受較高的電壓?！ 〕艘酝獾?b class="flag-6" style="color: red">器件參數均相當于或優(yōu)于硅肖特基二極管。詳見(jiàn)表2?！ ∮捎?b class="flag-6" style="color: red">SiC器件的成本較高(是同類(lèi)硅器件的3～5倍)，除非性能上要求非用不可，還沒(méi)有用它來(lái)替代硅功率器件。`
2019-01-11 13:42:03
小型化。然而，必須首先解決一個(gè)問(wèn)題：SiC MOSFET反向操作期間，體二極管雙極性導通會(huì )造成導通電阻性能下降。將肖特基勢壘二極管嵌入MOSFET，使體二極管失活的器件結構，但發(fā)現用嵌入式SBD代替
2023-04-11 15:29:18
各種耐高溫的高頻大功率器件，應用于硅器件難以勝任的場(chǎng)合，或在一般應用中產(chǎn)生硅器件難以產(chǎn)生的效果。 肖特基勢壘二極管（SBD）作為一種單極性器件，在導通過(guò)程中沒(méi)有額外載流子注入和儲存，因而基本沒(méi)有
2019-10-24 14:21:23
碳化硅肖特基二極管主要特點(diǎn)及產(chǎn)品系列 基本半導體B1D系列碳化硅肖特基二極管主要技術(shù)參數如下： 650V、1200V系列B1D碳化硅肖特基二極管電流范圍從2-40A，封裝涵蓋TO-220，TO-252，TO-263，TO-247及其家族群封裝，產(chǎn)品列表見(jiàn)下：原作者：基本半導體
2023-02-28 16:55:45
?！ 』景雽w自主研發(fā)推出了650V、1200V、1700V系列標準封裝碳化硅肖特基二極管及1200V碳化硅MOSFET產(chǎn)品，具有極高的工作效率，性能優(yōu)越達到國際先進(jìn)水平，可廣泛應用于新能源充電樁、光伏逆變器
2023-02-28 16:34:16
200V，但是碳化硅肖特基二極管能擁有較短恢復時(shí)間實(shí)踐，同時(shí)在正向電壓也減少，耐壓也大大超過(guò)200V，典型的電壓有650V、1200V等，另外在反向恢復造成的損耗方面碳化硅肖特基二極管也有很大優(yōu)勢。在
2020-06-28 17:30:27
肖特基二極管正向導通電壓很低，只有0.4v，反向在擊穿電壓之前不會(huì )導通，起到快速反應開(kāi)關(guān)的作用。而穩壓二極管正向導通電壓跟普通二級管一樣約為0.7v，反向狀態(tài)下在臨界電壓之前截止，在達到臨界電壓
2021-11-12 06:28:29
我現在有一個(gè)48V的直流接觸器，為了保護電路中元器件，要在其線(xiàn)圈兩端反接一個(gè)二極管，這個(gè)二極管應該用什么型號的二極管，開(kāi)關(guān)二極管好還是肖特基二極管好？有什么區別？
2017-02-03 16:04:22
，同時(shí)在正向電壓也減少，耐壓也大大超過(guò)200V，典型的電壓有650V、1200V等，另外在反向恢復造成的損耗方面碳化硅肖特基二極管也有很大優(yōu)勢。在開(kāi)關(guān)電源輸出整流部分如果用碳化硅肖特基二極管可以用實(shí)現
2023-02-20 15:15:50
肖特基二極管是近年來(lái)問(wèn)世的低功耗、大電流、超高速半導體器件。其反向恢復時(shí)間極短（可以小到幾納秒），正向導通壓降僅0.4V左右，而整流電流卻可達到幾千毫安。這些優(yōu)良特性是快恢復二極管所無(wú)法比擬的。中、小功率肖特基整流二極管大多采用封裝形式。
2019-09-30 09:12:59
采芯網(wǎng)轉載：大功率肖特基二極管（SBD）是貴金屬A為正極，以N型半導體B為負極，利用二者接觸面上形成的勢壘具有整流特性而制成的金屬半導體器件。大功率肖特基二極管的結構和特點(diǎn)使其適合于在低壓、大電流
2016-12-06 18:25:12
的安全裕量。 圖1 CoolMOS高壓功率MOSFET及其內部體二極管的橫截面示意圖2. 反向恢復行為新一代CoolMOS? 650V CFD的反向恢復特性如圖2所示。與標準器件相比，新一代
2018-12-03 13:43:55
工業(yè)級650V、10A SiC肖特基二極管樣品現已開(kāi)始供貨。還將計劃推出1200V/6-20A電流范圍部件和車(chē)規級部件。
2021-11-05 16:18:34678 
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