為滿(mǎn)足電動(dòng)汽車(chē)市場(chǎng)的需求，英飛凌推出了全新的650V CoolMOS? SJ功率 MOSFET CFD7A系列。這一產(chǎn)品經(jīng)過(guò)專(zhuān)門(mén)優(yōu)化，可以滿(mǎn)足電動(dòng)汽車(chē)應用 （如車(chē)載充電器、HV-LV DC-DC 轉換器和輔助電源）的要求。
2020-05-31 09:15:36
1509 科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出了650 V CoolSiCTM?MOSFET系列新產(chǎn)品。該產(chǎn)品具有高可靠性、易用性和經(jīng)濟實(shí)用等特點(diǎn)，能夠提供卓越的性能。這些SiC器件采用了英飛凌先進(jìn)的SiC溝槽工藝、緊湊的D2PAK 表面貼裝7引腳封裝和.XT互連技術(shù)
2022-03-31 18:10:574794 
新款 CoolSiC Hybrid產(chǎn)品系列結合了650 V TRENCHSTOP? 5 IGBT技術(shù)和碳化硅肖特基二極管的主要優(yōu)點(diǎn)，具備出色的開(kāi)關(guān)速度和更低的開(kāi)關(guān)損耗，特別適用于 DC-DC 功率變換器和PFC電路。
2021-08-06 15:40:471728 
英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管（TO247-3pin和TO-247-4pin）。用最新的650V/SiC/G6/SBD續流二極管，取代了傳統Si的Rapid1快速續流二極管，配合650V/TS5的IGBT芯片（S5/H5），進(jìn)一步優(yōu)化了系統效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2021-08-31 10:38:421942 
有了全面的提升。 ? 性能全方面提升 ? 英飛凌在2017年正式推出了第一代溝槽柵SiC MOSFET，即CoolSiC MOSFET G1。在CoolSiC MOSFET G1中，英飛凌采用溝槽
2024-03-19 18:13:181494 
電池充電，還能作為意外停電時(shí)的備用電源，以及高效綠色能源發(fā)電設備的核心組件。該雙向逆變器搭載了英飛凌的****1200 V M1H CoolSiC? EasyPACK? 1B模塊 和采用 D2PAK
2022-08-09 15:17:41
功率密度。得益于此，英飛凌率先將40 A 650V IGBT和40 A二極管組合到D2PAK封裝中。較之競爭對手的D2PAK封裝產(chǎn)品，這個(gè)新的產(chǎn)品家族的額定參數高于市場(chǎng)上的所有其他產(chǎn)品，其他組合封裝
2018-10-23 16:21:49
SJ MOSFET是一種先進(jìn)的高電壓功率MOSFET，根據P&S的超結原理。報價(jià)設備提供了快速切換的所有好處并且導通電阻低，使其特別適用于需要更多高效，更緊湊，LED照明，高
性能適配器等。
2023-09-15 08:16:02
0前言家用逆變焊機因其體較小，操作方便，市場(chǎng)接受度逐步提高。因市電220V輸入的特點(diǎn)，一般采用600V/650V規格的IGBT作為逆變主功率器件。IGBT (Insulated Gate
2014-08-13 09:25:59
可靠性是什么？充實(shí)一下這方面的知識 產(chǎn)品、系統在規定的條件下，規定的時(shí)間內，完成規定功能的能力稱(chēng)為可靠性?！ ∵@里的產(chǎn)品可以泛指任何系統、設備和元器件。產(chǎn)品可靠性定義的要素是三個(gè)“規定”：“規定
2015-08-04 11:04:27
、元器件產(chǎn)品、失效分析中如何確定環(huán)境應力第三章 產(chǎn)品可靠性能檢驗基礎知識、產(chǎn)品的壽命規律及常用分布、可靠性試驗數據的分析與處理、常用失效分析與儀器簡(jiǎn)介、電子元器件失效率鑒定試驗六、高級證培訓鑒定費用
2010-08-27 08:25:03
電子可靠性資料匯編內容： 降額設計規范；電子工藝設計規范；電氣設備安全通用要求設計規范 ；嵌入式
2010-10-04 22:31:56
工作納入產(chǎn)品研制（生產(chǎn)）的正常的技術(shù)計劃渠道，在進(jìn)行每一項技術(shù)工作的同時(shí)，權衡性能與可靠性，才能把高可靠性“注入”到產(chǎn)品中去，才能最終達到性能、可靠性、進(jìn)度、經(jīng)費的綜合最佳效果。7.3.3 可靠性
2009-05-24 16:49:57
AD7981是什么？AD7981有什么特性？AD7981有哪些應用實(shí)例？AD7981是如何在極端溫度下實(shí)現突破性能和可靠性的？
2021-05-17 07:17:52
CoolMOS CFD2系列，具有快速的體二極管，低Coss，高達650V的擊穿電壓，使LLC拓撲開(kāi)關(guān)電源具有更高的效率和可靠性。 參考文獻：1. Gary Chang “Why choose
2018-12-05 09:56:02
作者：Sandeep Bahl 最近，一位客戶(hù)問(wèn)我關(guān)于氮化鎵（GaN）可靠性的問(wèn)題：“JEDEC（電子設備工程聯(lián)合委員會(huì )）似乎沒(méi)把應用條件納入到開(kāi)關(guān)電源的范疇。我們將在最終產(chǎn)品里使用的任何GaN器件
2018-09-10 14:48:19
SiC MOS器件的柵極氧化物可靠性的挑戰是，在某些工業(yè)應用給定的工作條件下，保證最大故障率低于1 FIT，這與今天的IGBT故障率相當。除了性能之外，可靠性和堅固性是SiC MOSFET討論最多
2022-07-12 16:18:49
家公司已經(jīng)建立了SiC技術(shù)作為其功率器件生產(chǎn)的基礎。此外，幾家領(lǐng)先的功率模塊和功率逆變器制造商已為其未來(lái)基于SiC的產(chǎn)品的路線(xiàn)圖奠定了基礎。碳化硅（SiC）MOSFET即將取代硅功率開(kāi)關(guān);性能和可靠性
2019-07-30 15:15:17
問(wèn)題。（※在SBD和MOSFET的第一象限工作中不會(huì )發(fā)生這類(lèi)問(wèn)題）ROHM通過(guò)開(kāi)發(fā)不會(huì )擴大堆垛層錯的獨特工藝，成功地確保了體二極管通電的可靠性。在1200V 80Ω的第二代SiC MOSFET產(chǎn)品中，實(shí)施了
2018-11-30 11:30:41
進(jìn)行半導體元器件的評估時(shí)，電氣/機械方面的規格和性能當然是首先要考慮的，而可靠性也是非常重要的因素。尤其是功率元器件是以處理較大功率為前提的，更需要具備充分的可靠性。SiC-SBD的可靠性SiC作為
2018-11-30 11:50:49
strcpy()函數標準該如何去實(shí)現呢？TCP協(xié)議如何保證可靠性呢？
2021-12-24 06:10:04
；TSD5N60MTruesemi 其它相關(guān)產(chǎn)品請 點(diǎn)擊此處 了解特性：3.0A，650V，最大RDS（on）= 3.0Ω@ VGS = 10V低柵極電荷（典型值為16nC）快速切換經(jīng)過(guò)100％雪崩測試改進(jìn)的dv/dt功能主要參數：應用：高效開(kāi)關(guān)模式電源，基于半橋拓撲的有源功率因數校正`
2020-04-30 15:13:55
電子可靠性資料匯編內容： 降額設計規范；電子工藝設計規范；電氣設備安全通用要求設計規范 ；嵌入式
2010-10-04 22:34:14
、團隊素質(zhì)”等一系列影響因子。因此，評估PCB是否具備“高可靠性”需要深度確認工廠(chǎng)的下列管控項目是否已經(jīng)完全受控。1.預防機制1)工程設計：客戶(hù)要求識別、信息化管理、自動(dòng)化作業(yè)、專(zhuān)業(yè)化技能；設計標準
2020-07-03 11:09:11
。對于產(chǎn)品來(lái)說(shuō)，可靠性是產(chǎn)品性能得以發(fā)揮的保證，如果產(chǎn)品不可靠，技術(shù)性能即使再好也得不到發(fā)揮?！爱a(chǎn)品可靠性”就等同于產(chǎn)品靠不靠譜！換言之，“高可靠性”指的是產(chǎn)品壽命更長(cháng)，并且在產(chǎn)品生命周期內很少
2020-07-08 17:10:00
控“工程設計、生產(chǎn)物料、制造設備、流程工藝、品保設施、生產(chǎn)環(huán)境、管理體系、團隊素質(zhì)”等一系列影響因子。因此，評估PCB是否具備“高可靠性”需要深度確認工廠(chǎng)的下列管控項目是否已經(jīng)完全受控。1.預防機制1)工程設計
2020-07-03 11:18:02
一定的短路能力。下表是派恩杰半導體部分產(chǎn)品短路能力：表1 1200V/650V MOSFET器件短路耐量派恩杰半導體針對柵極的可靠性是嚴格按照AEC-Q101標準進(jìn)行，在柵極分別加負壓和正壓（-4V
2022-03-29 10:58:06
基于行業(yè)標準、國家標準的可靠性測試方法企業(yè)設計的可靠性測試方法
2021-03-08 07:55:20
組成，只適用于某一領(lǐng)域中的硬件系統設計?；谟布脚_設計的應用系統有基本的可靠性保證。一個(gè)良好的硬件平臺應具備：標準化、系列化、規范化設計的電路系統；柔性特性的基本應用系統體系結構；豐富的軟件支持
2021-01-11 09:34:49
可靠性設計是單片機應甩系統設計必不可少的設計內容。本文從現代電子系統的可靠性出發(fā)，詳細論述了單片機應用系統的可靠性特點(diǎn)。提出了芯片選擇、電源設計、PCB制作、噪聲失敏控制、程序失控回復等集合硬件系統
2021-02-05 07:57:48
。 BM1Pxxx支持隔離和非隔離器件，可以更簡(jiǎn)單地設計各種類(lèi)型的低功耗電氣轉換器。 BM1Pxxx內置高壓?jiǎn)?dòng)電路，可承受650V電壓，有助于降低功耗
2020-08-14 06:52:48
MOSFET 寄生特性都比硅MOSFET為好。但是，這種技術(shù)確實(shí)能夠提供許多優(yōu)勢，加上在硬開(kāi)關(guān)應用中的牢固性，使其值得在更高效電源轉換應用中考慮采用。650V CoolSiC系列的推出令這些優(yōu)勢更加明顯，從而
2023-03-14 14:05:02
為了FPGA保證設計可靠性, 需要重點(diǎn)關(guān)注哪些方面？
2019-08-20 05:55:13
高可靠性系統設計包括使用容錯設計方法和選擇適合的組件，以滿(mǎn)足預期環(huán)境條件并符合標準要求。本文專(zhuān)門(mén)探討實(shí)現高可靠性電源的半導體解決方案，這類(lèi)電源提供冗余、電路保護和遠程系統管理。本文將突出顯示，半導體技術(shù)的改進(jìn)和新的安全功能怎樣簡(jiǎn)化了設計，并提高了組件的可靠性。
2021-03-18 07:49:20
`請問(wèn)如何提高PCB設計焊接的可靠性？`
2020-04-08 16:34:11
PMU的原理是什么？如何提高數據采集系統的實(shí)時(shí)性與可靠性？
2021-05-12 06:45:42
。因此，硬件可靠性設計在保證元器件可靠性的基礎上，既要考慮單一控制單元的可靠性設計，更要考慮整個(gè)控制系統的可靠性設計。
2021-01-25 07:13:16
BM2P033 PWM AC / DC變換器的典型應用電路。用于A(yíng)C / DC的PWM型（BM2PXX3）為包含電源插座的所有產(chǎn)品提供了最佳系統。 BM2PXX3支持隔離和非隔離器件，可以更簡(jiǎn)單地設計各種類(lèi)型的低功耗電氣轉換器。 BM2PXX3內置高壓?jiǎn)?dòng)電路，可承受650V電壓，有助于實(shí)現低功耗
2020-06-05 09:15:07
摘要：工業(yè)電器自動(dòng)化設備的限位開(kāi)關(guān)、微型開(kāi)關(guān)的使用漸漸趨向于靈活、方便和高薪科技的方向發(fā)展，以至于被接近開(kāi)關(guān)傳感器所取代并廣泛使用。通過(guò)可靠性試驗研究，獲得最優(yōu)化數據參數，顯示其使用的優(yōu)越性
2018-11-13 16:28:52
650V耐壓的buck電路夠不夠用
2023-08-01 14:38:42
可靠性相關(guān)理論對現場(chǎng)返還數據進(jìn)行分解與建模分析，獲得一個(gè)融合了產(chǎn)品設計能力、使用環(huán)境、工藝水平、制造能力、檢測能力以及質(zhì)量管理水平的產(chǎn)品失效率模型，并建立了一套符合無(wú)線(xiàn)通信產(chǎn)品研發(fā)生產(chǎn)過(guò)程各項可靠性
2019-06-19 08:24:45
用于A(yíng)C/DC變換器應用的新型650V GaNFast半橋IC(氮化鎵)
2023-06-19 07:57:31
我想問(wèn)一下高速電路設計，是不是只要做好電源完整性分析和信號完整性分析，就可以保證系統的穩定了。要想達到高的可靠性，要做好哪些工作??？在網(wǎng)上找了好久，也沒(méi)有找到關(guān)于硬件可靠性的書(shū)籍。有經(jīng)驗的望給點(diǎn)提示。
2015-10-23 14:47:17
?！ 】偨Y 與硅替代品相比，SiC MOSFET 具有一系列優(yōu)勢，再加上其在硬開(kāi)關(guān)應用中的魯棒性，使其值得在最有效的功率轉換應用中加以考慮。650 V CoolSiC 系列的推出使 SiC? MOSFET 技術(shù)在經(jīng)濟上更加可行，適合那些將功率轉換推向極限的用戶(hù)。
2023-02-23 17:11:32
650 V CoolSiC?混合分立器件，該器件包含一個(gè)50A TRENCHSTOP? 快速開(kāi)關(guān) IGBT 和一個(gè) CoolSiC 肖特基二極管，能夠提升性?xún)r(jià)比并帶來(lái)高可靠性。這種組合為硬開(kāi)關(guān)拓撲
2021-03-29 11:00:47
剛剛接觸PCBA可靠性，感覺(jué)和IC可靠性差異蠻大，也沒(méi)有找到相應的測試標準。請問(wèn)大佬們在做PCBA可靠性時(shí)是怎么做的，測試條件是根據什么設定？
2023-02-15 10:21:14
相比特性非常優(yōu)異。BUxxJA2MNVX-C系列是實(shí)現了近年來(lái)車(chē)載用電源IC所要求的小型、低功耗、高性能、高可靠性LDO穩壓器。相關(guān)文章 重點(diǎn)必看安裝面積比同等產(chǎn)品少55％，支持AEC-Q100
2018-12-04 10:13:49
時(shí)間內（由600V IGBT3的6微秒增至650V IGBT4的10微秒），該器件具備出類(lèi)拔萃的開(kāi)關(guān)性能和短路魯棒性。結論利用英飛凌新型650V IGBT4可開(kāi)發(fā)出專(zhuān)用于大電流應用的逆變器設計，以部署
2018-12-07 10:16:11
摘要新一代CoolMOS? 650V CFD2技術(shù)為具備高性能體二極管的高壓功率MOSFET樹(shù)立了行業(yè)新桿標。該晶體管將650V的擊穿電壓、超低通態(tài)電阻、低容性損耗特性與改進(jìn)反向恢復過(guò)程中的體二極管
2018-12-03 13:43:55
Toshiba推出高性能功率MOSFET TK系列
Toshiba推出新系列的功率MOSFET，這些功率MOSFET改善效率和具有快速開(kāi)關(guān)速度，應用工作電壓高達650V, 電流20A。新的TK系列器件適合用于各
2010-03-30 10:37:181447 英飛凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列。該產(chǎn)品系列將現代超級結（SJ）器件的優(yōu)勢（如低導通電阻和低容性開(kāi)關(guān)損耗）與輕松控制的開(kāi)關(guān)行為、及
2010-07-05 08:48:261672 英飛凌目前正推出另一項重要的創(chuàng )新型高壓CoolMOS MOSFET。這種全新的650V CoolMOS CFD2是全球首款具備650V漏源電壓并集成快速體二極管的高壓晶體管。
2011-02-16 09:11:171845 英飛凌科技股份有限公司擴展其車(chē)用功率半導體系列產(chǎn)品，推出全新 650V CoolMOS CFDA。這是業(yè)界首創(chuàng )整合高速本體二極體技術(shù)的超接面 MOSFET 解決方案，符合最高的汽車(chē)認證標準 AEC-Q101。
2012-04-05 09:31:021458 2015年3月2日，德國慕尼黑——英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）發(fā)布了能夠讓?xiě)糜谄?chē)中的高速開(kāi)關(guān)實(shí)現最高效率的高堅固性650V IGBT系列。
2015-03-04 10:00:291443 SiC MOSFET與傳統硅MOSFET在短路特性上有所差異，以英飛凌CoolSiC? 系列為例，全系列SiC MOSFET具有大約3秒的短路耐受能力?？梢岳闷骷旧淼倪@一特性，在驅動(dòng)設計中考慮短路保護功能，提高系統可靠性。
2018-06-15 10:09:3825116 
ROHM第三代碳化硅MOSFET特點(diǎn)（相比第二代）ROHM第三代設計應用于650V和1200V產(chǎn)品之中，包括分立或模組封裝。本報告深入分析了650V和1200V第三代溝槽MOSFET，并利用光學(xué)顯微鏡和掃描電鏡研究復雜的碳化硅溝槽結構。
2018-08-20 17:26:299042 CoolSiC肖特基二極管650V G6系列是英飛凌不斷提高技術(shù)和流程的結果，讓碳化硅肖特基二極管的設計和開(kāi)發(fā)更具價(jià)格優(yōu)勢，性能一代更比一代強。因此，G6是英飛凌最具有性?xún)r(jià)比的CooSiC肖特基二極管的一代，在同等價(jià)格下提供最高能效。
2019-09-24 10:42:523697 
在220V單相家用便攜式焊機應用中，大部分設計是使用650V IGBT單管制作逆變電源，開(kāi)關(guān)頻率最高可以到50kHz，如果采用軟開(kāi)關(guān)技術(shù)，開(kāi)關(guān)頻率還能更高，也有使用650V硅基MOSFET為功率器件
2020-03-31 15:32:383409 英飛凌宣布推出650V SiC MOSFET，標志著(zhù)公司進(jìn)一步增強了在低壓SiC領(lǐng)域的布局，650V CoolSiC MOSFET系列。
2020-05-09 15:07:504267 什么樣的MOSFET才適合儲能系統？英飛凌全新推出了碳化硅MOSFET：650V CoolSiC MOSFET產(chǎn)品系列，幫助儲能系統輕松實(shí)現更高效、更高功率密度以及雙向充/放電的設計。
2020-08-21 14:01:251014 
使用此SMD封裝從而提高應用性能的多種方法：被動(dòng)冷卻解決方案、增大功率密度、延長(cháng)使用壽命等等。請聯(lián)系您當地的英飛凌代表，詳細了解無(wú)風(fēng)扇伺服驅動(dòng)的實(shí)現、機器人和自動(dòng)化行業(yè)的逆變器-電機一體化，以及低功率緊湊型充電器解決方案。 CoolSiC溝槽MOSFET技術(shù)經(jīng)過(guò)優(yōu)化，將性能與
2020-11-03 14:09:492695 效率。 了解使用此 SMD 封裝從而提高應用性能的多種方法：被動(dòng)冷卻解決方案、增大功率密度、延長(cháng)使用壽命等等。 CoolSiC?溝槽 MOSFET 技術(shù)經(jīng)過(guò)優(yōu)化，將性能與可靠性相結合，并具有 3μs 的短路時(shí)間。由于采用 .XT 連接技術(shù)，其小巧封裝外形的散熱性能得到顯著(zhù)改善。相比標準封裝的連接技術(shù)，
2021-03-01 12:16:022084 東芝電子元件及存儲裝置株式會(huì )社（東芝）宣布，在其TOLL（TO-無(wú)引線(xiàn)）封裝的DTMOSVI系列中推出650V超級結功率MOSFET-
2021-03-15 15:44:231117 
前言背景： 英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續流二極管，取代了傳統Si的Rapid1快速續流二極管
2021-03-26 16:40:202349 
英飛凌科技股份公司將EasyDUAL? CoolSiC? MOSFET模塊升級為新型氮化鋁（AIN） 陶瓷。
2021-08-06 15:25:301192 TP650H070L系列650V，72m? 氮化鎵（GaN）FET是常關(guān)器件。它們結合了最先進(jìn)的技術(shù)高壓GaN HEMT和低壓硅MOSFET提供卓越可靠性和性能的技術(shù)。
2022-03-31 15:03:35
10 650V 60mΩ SiC MOSFET主要應用市場(chǎng)包括光伏和儲能、驅動(dòng)、電動(dòng)汽車(chē)及充電樁、UPS、電源等。據HIS報告，電動(dòng)汽車(chē)充電市場(chǎng)的增長(cháng)將非常強勁，高達59%。
2022-08-02 15:06:55614 
英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續流二極管，取代了傳統Si的Rapid1快速續流二極管，配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5)，進(jìn)一步優(yōu)化了系統效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2022-08-01 10:11:29538 
Wolfspeed 新款車(chē)規級 E-系列（E3M）650V、60 mΩ MOSFET 系列幫助設計人員滿(mǎn)足 EV 車(chē)載充電機應用。采用 Wolfspeed 第三代 SiC MOSFET 技術(shù)
2022-11-07 09:59:21917 650V 快速恢復 SuperFET? II MOSFET 在諧振拓撲中實(shí)現高系統效率和可靠性
2022-11-14 21:08:360 繼先后推出成熟化的全系列碳化硅二極管、碳化硅MOSFET以及碳化硅模塊產(chǎn)品后，2023年7月 森國科正式對外推出650V超結MOSFET系列新品 ，相較于傳統的功率MOSFET，SJMOSFET具有
2023-07-20 11:09:16638 
電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SLP12N65C美浦森高壓MOSFET 650V 12A.pdf》資料免費下載
2022-04-29 14:06:570 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SLP10N65C美浦森高壓MOSFET 650V 12A.pdf》資料免費下載
2022-04-29 14:12:250 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SLP8N65C美浦森高壓MOSFET 650V 7.5A.pdf》資料免費下載
2022-04-29 14:30:151 電子發(fā)燒友網(wǎng)站提供《SLP5N65C美浦森高壓MOSFET 650V 4.5A.pdf》資料免費下載
2022-04-29 14:33:490 碳化硅MOSFET在材料與器件特性上不同于傳統硅，如何保證性能和可靠性的平衡是所有廠(chǎng)家需要面對的首要問(wèn)題，英飛凌作為業(yè)界為數不多的采用溝槽柵做SiCMOSFET的企業(yè)，如何使用創(chuàng )新的非對稱(chēng)溝槽
2023-11-28 08:13:57372 
IGBT 作為一種功率半導體器件，廣泛應用于工業(yè)節能、電動(dòng)汽車(chē)和新能源裝備等領(lǐng)域。IGBT 具有節能、安裝方便、維護方便、散熱穩定等特點(diǎn)，是能量轉換和傳輸的核心裝置。瑞能的650V IGBT產(chǎn)品在電性能和可靠性等方面具備諸多優(yōu)勢，在行業(yè)內也處于領(lǐng)先地位。
2023-12-26 13:31:35276 
近日，瞻芯電子采用TO263-7封裝的第二代SiC MOSFET中650V 40mΩ產(chǎn)品IV2Q06040D7Z通過(guò)了嚴苛的車(chē)規級可靠性認證，該產(chǎn)品采用TO263-7貼片封裝，具有體積較小，安裝簡(jiǎn)便，損耗更低的特點(diǎn)。
2024-01-16 10:16:24770 
英飛凌科技股份公司近日發(fā)布了全新的650V軟特性發(fā)射極控制高速二極管EC7。這款二極管采用TO247-2封裝，具有2個(gè)引腳，不僅增加了安規距離，提高了可靠性，而且適用于多種應用場(chǎng)景。
2024-02-01 10:50:02365 英飛凌科技股份公司近日發(fā)布了全新的CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列。這款產(chǎn)品采用了先進(jìn)的TO-247PLUS-4-HCC封裝，規格為12-100mΩ，旨在滿(mǎn)足高壓應用的需求。
2024-02-01 10:51:00381 Ω規格的IV2Q06060D7Z，均成功通過(guò)了嚴苛的車(chē)規級可靠性認證。這一認證標志著(zhù)瞻芯電子的SiC MOSFET產(chǎn)品已經(jīng)滿(mǎn)足了汽車(chē)行業(yè)對高可靠性、高性能的嚴格要求，為新能源汽車(chē)市場(chǎng)的高效發(fā)展注入了新的活力。
2024-03-07 09:43:18222 另外，CoolSiC MOSFET產(chǎn)品組合還成功實(shí)現了SiC MOSFET市場(chǎng)中的最低導通電阻值（Rdson），這大大提高了能效、功率密度，以及在電力系統中的可靠性，降低了零件使用數量。
2024-03-10 12:32:41502 3月8日，瞻芯電子開(kāi)發(fā)的3款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品通過(guò)了嚴格的車(chē)規級可靠性認證（AEC-Q101 Qualified）。
2024-03-11 09:24:38287 
近日，瞻芯電子宣布其研發(fā)的三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品成功通過(guò)了嚴格的AEC-Q101車(chē)規級可靠性認證，這一里程碑式的成就標志著(zhù)瞻芯電子在功率電子領(lǐng)域的持續創(chuàng )新與技術(shù)突破。
2024-03-12 11:04:24260 瞻芯電子近日宣布成功推出三款第二代650V SiC MOSFET產(chǎn)品，這些產(chǎn)品不僅通過(guò)了嚴格的車(chē)規級可靠性認證（AEC-Q101 Qualified），還具備業(yè)界領(lǐng)先的低損耗水平。這些新型MOSFET的推出，標志著(zhù)瞻芯電子在半導體技術(shù)領(lǐng)域的又一重要突破。
2024-03-13 09:24:13279 英飛凌最近發(fā)布了全新的750VG1分立式CoolSiC?MOSFET，滿(mǎn)足工業(yè)和汽車(chē)領(lǐng)域對更高能效和功率密度的不斷增長(cháng)需求。這款產(chǎn)品系列包含了專(zhuān)為圖騰柱PFC、T型、LLC/CLLC、雙有源
2024-03-15 16:31:45209 
英飛凌科技股份公司，作為全球領(lǐng)先的半導體公司，近日推出了全新的CoolSiC? 2000V SiC MOSFET系列，這一創(chuàng )新產(chǎn)品采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，為設計人員提供了滿(mǎn)足更高功率密度需求的解決方案。
2024-03-20 10:27:29126 英飛凌科技股份公司推出的新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術(shù)，無(wú)疑為功率系統和能量轉換領(lǐng)域帶來(lái)了革命性的進(jìn)步。與上一代產(chǎn)品相比，全新的CoolSiC? MOSFET 650V和1200V
2024-03-20 10:32:36132 CoolSiC 2000V SiC MOSFET系列采用TO-247PLUS-4-HCC封裝，規格為12-100mΩ。由于采用了.XT互聯(lián)技術(shù)，CoolSiC技術(shù)的輸出電流能力強，可靠性提高。
2024-03-22 14:08:3565
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