羅姆(ROHM)650V和1200V碳化硅(SiC)MOSFET中的溝槽(Trench)技術據麥姆斯咨詢介紹,碳化硅(SiC)與目前主流的硅基功率半導體器件相比,切換損耗小、耐壓性強、在高溫下也能擁有優異的電子特性。因此,很多廠商生產碳化硅產品,例如Cree、Microsemi、Infineon、ROHM等。碳化硅器件市場前景看好,預計2017~2021年復合年增長率(CAGR)高達31%。由于汽車和工業應用的拓展,預計2023年碳化硅器件市場將超過15億美元。
硅基IGBT和碳化硅MOSFET的切換損耗對比ROHM是碳化硅MOSFET分立器件和模組領域第二大公司,提供650V~1700V范圍內各種產品。在商業化碳化硅生產后僅七年時間,ROHM推出了溝槽式碳化硅MOSFET,成為全球第一家量產此類產品的廠商。該產品系列基于ROHM專有的雙溝槽設計,包括柵極溝槽和源極溝槽。這種設計相對于平面碳化硅器件,將導通電阻(Rdson)減小了近一半;并且相對于具有相同電壓的硅基IGBT,電流密度增加了近五倍。
ROHM第三代碳化硅MOSFET特點(相比第二代)ROHM第三代設計應用于650V和1200V產品之中,包括分立或模組封裝。本報告深入分析了650V和1200V第三代溝槽MOSFET,并利用光學顯微鏡和掃描電鏡研究復雜的碳化硅溝槽結構。
ROHM第三代碳化硅MOSFET拆解與逆向分析本報告還對分立器件SCT3120AL進行生產成本剖析,并提供650V和1200V第三代技術及器件對比分析,以及第三代和第二代碳化硅MOSFET對比分析。
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原文標題:《ROHM第三代碳化硅MOSFET溝槽設計系列》
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