美國SemiSouth Laboratories公司發布了耐壓為650V和耐壓為1700V的SiC制JFET產品，均為常開型功率元件。耐壓為650V的產品名稱為“SJDA065R055”，導通電阻為55mΩ，漏電流在室溫時（25℃）為30A，在
2012-05-21 10:31:01
2494 瑞薩電新發表13款具備高效能之第7代絕緣閘雙極性電晶體（IGBT）系列新產品。新款IGBT包括650V的RJH/RJP65S系列與1250V的RJP1CS系列。新款IGBT是將系統中的直流電轉換為交流電的功率半導體裝
2012-07-31 11:34:281650 高功率密度 → 更緊湊的設計CoolMOS CFD7A在硬開關和諧振開關拓撲中，尤其是輕負荷條件下具有較大改進，令效率更上一層樓。與之前幾代產品相比，其在相同柵極損耗的水平下可實現更高的開關頻率；而且這一產品組合極具前景，使CFD7A成為減少系統重量和空間以實現更緊湊設計的關鍵因素。
2023-09-12 10:46:36519 
Nexperia今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA，宣布其進入氮化鎵場效應管（GaN）市場。
2019-11-22 15:16:321787 隨著新產品的發布，英飛凌完善了其600V/650V細分領域的硅基、碳化硅以及氮化鎵功率半導體產品組合
2020-02-26 08:26:001315 憑借在汽車領域的多年從業經驗，英飛凌將遠超AEC Q101標準的最高品質與出色的技術知識相結合，推出CoolMOS? CFD7A系列。
2020-05-09 09:05:38986 英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管（TO247-3pin和TO-247-4pin）。用最新的650V/SiC/G6/SBD續流二極管，取代了傳統Si的Rapid1快速續流二極管，配合650V/TS5的IGBT芯片（S5/H5），進一步優化了系統效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2021-08-31 10:38:421943 
40 A 650V IGBT，它與IGBT相同額定電流的二極管組合封裝到表面貼裝TO-263-3（亦稱D2PAK）封裝中。全新D2PAK封裝TRENCHSTOP 5 IGBT可滿足電源設備對功率密度
2018-10-23 16:21:49
Parameter Symbol Value Unit TO-220F TO-220 TO-247 Drain-Source Voltage (VGS = 0V) VDSS 650 V
2021-04-06 11:35:02
逆變器等中高功率領域，可顯著的減少電路的損耗，提高電路的工作頻率?！ ￡P斷波形圖（650V/10A產品） 650V/1200V碳化硅肖特基二極管選型
2020-09-24 16:22:14
0前言家用逆變焊機因其體較小，操作方便，市場接受度逐步提高。因市電220V輸入的特點，一般采用600V/650V規格的IGBT作為逆變主功率器件。IGBT (Insulated Gate
2014-08-13 09:25:59
2是Infineon CoolMOS CFD系列的第二代產品也是目前市場上第一顆650V并且帶快恢復二極管的650V高壓MOSFET。極低的Qrr和trr使得該MOSFET可以輕松的應對LLC硬關斷時各種現象
2018-12-05 09:56:02
在“CH32FV2x_V3x 系列應用手冊 （V1.03版）”的383頁中關于MDC與MDIO的引腳序號似乎與“CH32V20x_30x 數據手冊(V2.2版)”有差異。而在對應的數據手冊中的第24
2022-07-19 07:45:08
很不錯的資料{:7:}FYD12864帶字庫使用手冊.pdf 2015-7-27 08:31 上傳 點擊文件名下載附件 1.88 MB, 下載次數: 1FYD12864無字庫3A中文使用手冊
2018-07-19 02:46:32
ICE3A2065ELJ離線式SMPS電流模式控制器的典型應用電路，集成650V CoolMOS和啟動單元（鎖存和頻率抖動模式）。 CoolSETF3 ELJ版本是針對系統噪音的增強型LJ版本。它
2019-06-13 13:46:19
COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION MOSFE
2023-11-01 14:33:15
COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION MOSFE
2023-11-01 14:33:09
COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION MOSFE
2023-11-01 14:33:13
650V FET COOLMOS TO247
2023-11-01 13:40:13
IPW65R080CFD - 650V CoolMOS CFD Power Transistor - Infineon Technologies AG
2022-11-04 17:22:44
IPW65R310CFD - 650V CoolMOS C6 CFD Power Transistor - Infineon Technologies AG
2022-11-04 17:22:44
IPW65R420CFD - 650V CoolMOS C6 CFD Power Transistor - Infineon Technologies AG
2022-11-04 17:22:44
IPW65R660CFD - 650V CoolMOS CFD Power Transistor - Infineon Technologies AG
2022-11-04 17:22:44
IPX65R310CFD - 650V CoolMOS C6 CFD Power Transistor - Infineon Technologies AG
2022-11-04 17:22:44
非常的KEIL軟件使用手冊，內部包含詳細的軟件的使用介紹，含示例詳解
2020-10-20 19:12:27
在內的各種應用中的采用。當前的SiC-SBD產品結構分為耐壓為650V與1200V、額定電流為5A～40A的產品，具體因封裝而異。其概要如下表所示。另外，ROHM正在開發650V產品可支持達100A
2018-12-04 10:09:17
`深圳市三佛科技有限公司 供應 ITA07N65650V 7A N溝道 MOS管 7N65，原裝，庫存現貨熱銷ITA07N657A 650V TO-220FN溝道 MOS管 /場效應管
2021-03-24 10:35:56
；TSD5N60MTruesemi 其它相關產品請 點擊此處 了解特性：3.0A，650V，最大RDS（on）= 3.0Ω@ VGS = 10V低柵極電荷（典型值為16nC）快速切換經過100％雪崩測試改進的dv/dt功能主要參數：應用：高效開關模式電源，基于半橋拓撲的有源功率因數校正`
2020-04-30 15:13:55
USB AVR Prog+ V2.0使用手冊
2012-08-20 11:03:00
Xilinx_A7_K7_V7系列Cadence符號庫及PCB庫
2021-01-28 06:39:41
aglient 2000系列使用手冊.pdf
2012-07-20 23:01:24
aglient 5000系列使用手冊.pdf
2012-07-20 23:03:17
加密芯片的安全性：1、芯片本身硬件的安全，采用U盾芯片2、算法安全，可以采用國家商用密碼算法，如SM1,SM7,SSF33等算法，是保密非公開算法。加密芯片使用手冊見附件 加密芯片使用手冊.rar (79.94 KB )
2019-07-09 04:35:14
。 BM1Pxxx支持隔離和非隔離器件，可以更簡單地設計各種類型的低功耗電氣轉換器。 BM1Pxxx內置高壓啟動電路，可承受650V電壓，有助于降低功耗
2020-08-14 06:52:48
目前已在鋰電池充電器中做了實驗，輸出為48V，2A的充電器。效率可達90%。有需要試用的可以發站內信聯系我！基本參數為650V，20A，Rdson160毫歐姆。
2010-12-31 15:00:21
：www.ncepower.com。歡迎大家查看。目前我司已經量產的Super junction有以下幾類：650V 25A/11A/7A/4ATO220/TO247600V 25A/11A/7A/4ATO220
2011-01-05 09:49:53
CoolMOSCFD/CFD7系列的Qrr比上一代CoolMOS CFD改進了十倍，但CoolSiC的Qrr參數再比CoolMOS CFD/CFD7的Qrr又降低了五到十倍。這意味著，通過使用48mΩCoolSiC
2023-03-14 14:05:02
BM2P033 PWM AC / DC變換器的典型應用電路。用于AC / DC的PWM型（BM2PXX3）為包含電源插座的所有產品提供了最佳系統。 BM2PXX3支持隔離和非隔離器件，可以更簡單地設計各種類型的低功耗電氣轉換器。 BM2PXX3內置高壓啟動電路，可承受650V電壓，有助于實現低功耗
2020-06-05 09:15:07
本帖最后由 3T華鉆電子 于 2020-9-22 17:05 編輯
新潔能原廠 NCE65T360F 650V 11A TO-220F 超結場效應管 ，原裝正品，優勢價格。深圳市華鉆電子
2019-12-31 15:08:03
求一份intel 8237A的使用手冊，謝謝熱心的大佬們！
2020-11-27 00:22:48
650V耐壓的buck電路夠不夠用
2023-08-01 14:38:42
用于AC/DC變換器應用的新型650V GaNFast半橋IC(氮化鎵)
2023-06-19 07:57:31
% Inom（IC=300A）電流關斷時，600V IGBT3會產生一個很高的過沖電壓VCE,max 和階躍振蕩。相反，特別為這種高電流應用設計的650V IGBT4，即使典型直流電壓達到300V
2018-12-07 10:16:11
CoolMOS? 650V CFD器件具備極低的反向恢復電荷Qrr、極短的反向恢復時間trr 和極小的反向恢復電流最大值Irrm。 圖2在di/dt=100A/μs、 25°C和 Vr=400V等條件下測量
2018-12-03 13:43:55
深愛半導體MOS管 SIF7N65F TO220F 場效應管 7A 650V 原裝現貨供應
2022-03-17 17:53:20
微電子供應svf7n65f場效應管7a 650v mos管封裝TO-220F提供svf7n65f參數詳細參數、規格書等，是士蘭微MOS代理商，更多產品手冊、應用料
2022-03-30 15:41:09
了dv/dt能力驪微電子供應SVF10N65F 650v 10a大功率mos管提供svf10n65f電路圖、詳細參數、規格書等，是士蘭微MOS代理商，更多產品手冊、應
2022-03-30 15:52:04
供應40A、650V國產絕緣柵雙極型晶體管SGTP40V65SDB1P7 ，具有較低的導通損耗和開關損耗，該產品可應用于光伏，UPS,SMPS以及PFC等領域，更多產品手冊、應用料資請向士蘭微代理驪微電子申請。>>
2022-08-01 16:16:15
供應SGTP40V65FDR1P7 絕緣柵雙極型晶體管耐壓650V、40A，提供SGTP40V65FDR1P7關鍵參數 ，更多產品手冊、應用料資請向士蘭微mos代理驪微電子申請。>>
2022-08-01 16:29:51
供應SGTP75V65SDB1P7 n溝道絕緣柵雙極型晶體管650V、75A ，具有較低的導通損耗和開關損耗，該產品可應用于光伏，UPS,SMPS以及PFC等領域，更多產品手冊、應用料資請向士蘭微代理驪微電子申請。>>
2022-08-02 14:02:39
供應SGTP75V65FDB1P7 壓縮機絕緣柵雙極晶體管650V、75A ，SGTP75V65FDB1P7 具有較低的導通損耗和開關損耗，該產品可應用于光伏，UPS,SMPS以及PFC等領域，更多產品手冊、應用料資請向士蘭微代理驪微電子申請。>>
2022-08-02 14:55:36
供應igbt雙極性晶體管650V、75A 大功率igbt開關電源SGTP75V65SDS1P7 ，具有較低的導通損耗和開關損耗，SGTP75V65SDS1P7可應用于光伏，UPS,SMPS以及PFC等領域，更多產品手冊、應用料資請向士蘭微代理驪微電子申請。>>
2022-08-02 17:11:03
SVSP35NF65P7D3 超結MOS管國產35A,650V，適用于硬/軟開關拓撲，更多產品手冊、應用料資請向士蘭微MOS管一級代理驪微電子申請。>>
2022-09-06 14:54:50
SVSP65R041P7HD4 70A，650V 高壓超結mos管，提供SVSP65R041P7HD4關鍵參數 ，更多產品手冊、應用料資請向士蘭微mos代理驪微電子申請。>>
2022-09-19 14:56:39
供應SVS7N65FJD2 7A,650V 超結MOS管國產-士蘭微mos管，適用于硬/軟開關拓撲，照明，適配器等領域，更多產品手冊、應用料資請向士蘭微MOS管一級代理驪微電子申請。>>
2022-11-02 14:34:47
華潤微coolMOS / CRJF390N65GC_TO220F / 650V11A / 390mΩ 現貨供應 CRJF390N65GCSJMOS N-MOSFET 650V
2022-12-16 22:00:21
華潤微coolMOS 現貨供應 CRJF290N65G2_TO220F650V15A240mΩ
2022-12-27 22:15:06
英飛凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列。該產品系列將現代超級結（SJ）器件的優勢（如低導通電阻和低容性開關損耗）與輕松控制的開關行為、及
2010-07-05 08:48:261675 Cree 公司日前宣布推出最新Z-Rec 650V 結型肖特基勢壘 (JBS) 二極管系列，以滿足最新數據中心電源系統要求。新型 JBS
2010-12-23 08:49:371290 英飛凌新一代CoolMOS CFD2器件具備最低的通態電阻和高達650V的阻斷電壓。這種的器件還具備極低的反向恢復電荷和結實耐用的內置體二極管。數據表規范中將提供全新的Qrr和trr最大值。
2011-02-14 09:04:423957 
英飛凌目前正推出另一項重要的創新型高壓CoolMOS MOSFET。這種全新的650V CoolMOS CFD2是全球首款具備650V漏源電壓并集成快速體二極管的高壓晶體管。
2011-02-16 09:11:171846 英飛凌科技股份有限公司擴展其車用功率半導體系列產品，推出全新 650V CoolMOS CFDA。這是業界首創整合高速本體二極體技術的超接面 MOSFET 解決方案，符合最高的汽車認證標準 AEC-Q101。
2012-04-05 09:31:021458 2014年10月21日，北京——全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR） 推出多款堅固可靠的650V IRGP47xx器件，藉以擴充絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 系列。
2014-10-21 15:27:421975 2015年3月2日，德國慕尼黑——英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）發布了能夠讓應用于汽車中的高速開關實現最高效率的高堅固性650V IGBT系列。
2015-03-04 10:00:291443 G2S06505C 650V 5A 碳化硅肖特基功率二極管 兼容C3D03065E C3D04065E
650V/5A碳化硅肖特基功率二極管
產品特性
?
正溫度系數，易于并聯使用
?不受溫度影響的開關特性
?
最高工作溫度175℃?零反向恢復電流? 零正向恢復電壓
2016-06-17 15:42:45
4 意法半導體推出新款M系列650V IGBT，為電源設計人員提供一個更快捷經濟的能效解決方案,新款M系列650V IGBT，為電源設計人員提供一個更快捷經濟的能效解決方案，適用于暖通空調系統（HVAC
2016-11-02 17:19:431958 ROHM第三代碳化硅MOSFET特點（相比第二代）ROHM第三代設計應用于650V和1200V產品之中，包括分立或模組封裝。本報告深入分析了650V和1200V第三代溝槽MOSFET，并利用光學顯微鏡和掃描電鏡研究復雜的碳化硅溝槽結構。
2018-08-20 17:26:299042 Infineon公司CoolMOS?系列一直是行業標桿， 從跨時代意義的CoolMOS? C3到升級版的 CoolMOS? C6、 CoolMOS? C7、CoolMOS? P6、 CoolMOS
2018-09-06 15:54:256755 碳化硅（SiC）功率半導體制造商UnitedSiC/美商聯合碳化硅股份有限公司 宣布，已經為UJ3C（通用型）和UF3C（硬開關型）系列650V SiC FET新增加了7種新的TO220-3L和D2PAK-3L器件/封裝組合產品。
2019-05-08 09:04:021767 CoolSiC肖特基二極管650V G6系列是英飛凌不斷提高技術和流程的結果，讓碳化硅肖特基二極管的設計和開發更具價格優勢，性能一代更比一代強。因此，G6是英飛凌最具有性價比的CooSiC肖特基二極管的一代，在同等價格下提供最高能效。
2019-09-24 10:42:523700 
、CFD7系列，與650V CoolSiC G6系列肖特基二極管則是方案設計中能效與功率密度的“雙贏”之選。再搭配英飛凌最新的第五代準諧振CoolSET 系列產品以及EiceDRIVER系列驅動IC芯片。
2019-09-24 11:20:593014 
英飛凌宣布推出650V SiC MOSFET，標志著公司進一步增強了在低壓SiC領域的布局，650V CoolSiC MOSFET系列。
2020-05-09 15:07:504268 新款 650 V器件擴展了聲譽卓越的 CoolMOS CFD7 系列的電壓范圍，且為 CoolMOS CFD2 的后繼產品。
2020-10-09 15:28:261169 東芝電子元件及存儲裝置株式會社（東芝）宣布，在其TOLL（TO-無引線）封裝的DTMOSVI系列中推出650V超級結功率MOSFET-
2021-03-15 15:44:231117 
前言背景： 英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續流二極管，取代了傳統Si的Rapid1快速續流二極管
2021-03-26 16:40:202349 
TP650H070L系列650V，72m? 氮化鎵（GaN）FET是常關器件。它們結合了最先進的技術高壓GaN HEMT和低壓硅MOSFET提供卓越可靠性和性能的技術。
2022-03-31 15:03:3510 650V 60mΩ SiC MOSFET主要應用市場包括光伏和儲能、驅動、電動汽車及充電樁、UPS、電源等。據HIS報告，電動汽車充電市場的增長將非常強勁，高達59%。
2022-08-02 15:06:55616 
英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續流二極管，取代了傳統Si的Rapid1快速續流二極管，配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5)，進一步優化了系統效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2022-08-01 10:11:29540 
CoolMOS? CFD7 是英飛凌最新具有集成快速體二極管的高壓 superjunction MOSFET 技術，補全了 CoolMOS? 7 系列。
2022-09-30 17:09:321183 Wolfspeed 新款車規級 E-系列（E3M）650V、60 mΩ MOSFET 系列幫助設計人員滿足 EV 車載充電機應用。采用 Wolfspeed 第三代 SiC MOSFET 技術
2022-11-07 09:59:21918 650V 快速恢復 SuperFET? II MOSFET 在諧振拓撲中實現高系統效率和可靠性
2022-11-14 21:08:360 ROHM最近新推出650V耐壓IGBT“RGTV系列（短路耐受能力保持型）”和“RGW系列（高速開關型）”共21種機型，該系列產品同時實現了業界頂級的低傳導損耗和高速開關特性，并大大減少了開關時的過沖。
2023-02-09 10:19:25724 
Nexperia | 用于汽車和工業的650V超快恢復整流管
2023-05-24 12:16:57300 潤新微電子（Runxin Microelectronics）榮幸推出了最新一代的650V GaN功率晶體管（FET），該產品具備卓越的性能和廣泛的應用領域。 產品特點： 易于使用：650V GaN
2023-06-12 16:38:34698 新品EVAL-IHW65R62EDS06J這塊感應加熱半橋評估板采用新一代650V逆導型R6系列IGBT和SOI技術的EiceDRIVERIGBT驅動器，產品針對100kHz的諧振開關應用感應
2022-03-01 09:32:40559 
圳市森國科科技股份有限公司日前發布了第五代Thinned MPS SiC二極管KS04065（650V/4A）、KS06065（650V/6A）
2023-07-12 17:06:27522 
繼先后推出成熟化的全系列碳化硅二極管、碳化硅MOSFET以及碳化硅模塊產品后，2023年7月 森國科正式對外推出650V超結MOSFET系列新品 ，相較于傳統的功率MOSFET，SJMOSFET具有
2023-07-20 11:09:16640 
電子發燒友網站提供《SLP12N65C美浦森高壓MOSFET 650V 12A.pdf》資料免費下載
2022-04-29 14:06:570 電子發燒友網站提供《SLP10N65C美浦森高壓MOSFET 650V 12A.pdf》資料免費下載
2022-04-29 14:12:250 電子發燒友網站提供《SLP8N65C美浦森高壓MOSFET 650V 7.5A.pdf》資料免費下載
2022-04-29 14:30:151 電子發燒友網站提供《SLP5N65C美浦森高壓MOSFET 650V 4.5A.pdf》資料免費下載
2022-04-29 14:33:490 供應40A、650V新能源絕緣柵雙極型晶體管SGTP40V65SDB1P7，提供SGTP40V65SDB1P7關鍵參數，更多產品手冊、應用料資請向士蘭微mos代理驪微電子申請。>>
2022-08-01 16:18:473 供應SGTP75V65SDS1P775A、650V光伏逆變器igbt-三相igbt逆變電源，提供SGTP75V65SDS1P7關鍵參數，更多產品手冊、應用料資請向士蘭微mos代理驪微電子申請。>>
2022-08-02 17:12:195 SVSP35NF65P7D3士蘭微高壓超結mos管650V,35A，提供SVSP35NF65P7D3關鍵參數，更多產品手冊、應用料資請向士蘭微mos代理驪微電子申請。>>
2022-09-06 14:57:507 供應無錫士蘭微mos管SVS11N65FJD211A,650V高壓超結mos管，適用于硬/軟開關拓撲，照明，適配器等領域，更多產品手冊、應用料資請向士蘭微MOS管一級代理驪微電子申請。>>
2022-11-02 15:07:350 供應SVSP11N65DD211A,650V士蘭微超結MOS，提供SVSP11N65DD211A,650V士蘭微超結MOS關鍵參數，更多產品手冊、應用料資請向士蘭微mos代理驪微電子申請。>>
2022-11-02 15:17:061 IGBT 作為一種功率半導體器件，廣泛應用于工業節能、電動汽車和新能源裝備等領域。IGBT 具有節能、安裝方便、維護方便、散熱穩定等特點，是能量轉換和傳輸的核心裝置。瑞能的650V IGBT產品在電性能和可靠性等方面具備諸多優勢，在行業內也處于領先地位。
2023-12-26 13:31:35276 
本次推出的產品主要為50A 650V TO-247封裝IGBT單管；
2024-03-15 14:26:07189 
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