瑞能650V IGBT的結構解析

IGBT 作為一種功率半導體器件，廣泛應用于工業節能、電動汽車和新能源裝備等領域。IGBT 具有節能、安裝方便、維護方便、散熱穩定等特點，是能量轉換和傳輸的核心裝置。瑞能的650V IGBT產品在電性能和可靠性等方面具備諸多優勢，在行業內也處于領先地位。

650V IGBT的晶胞結構優化

上圖是我們瑞能650V IGBT的晶胞結構，為了提高產品性能我們做了諸多優化，主要體現在：

正面結構

1優化柵極布局來降低柵極電荷

2采用載流子存儲效應來改善Vcesat

3增加了鎮流電阻，平滑開關波形，防止在使用過程中的波形震蕩

背面結構

1背面結構中優化FS(場截止)層，降低電場應力，來提高產品的開關速度及增強產品的魯棒性

2背面結構采用先進的薄片技術，能夠有效降低導通損耗和開關損耗

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從上圖幾個關鍵的性能上的參數可以看出瑞能650V IGBT采用優化后的結構性能有了飛躍的提升，主要體現在Vcesat 更低、Qg更小、開關損耗更低。

這些也就意味著瑞能的650V IGBT在客戶使用過程中損耗更小，效率更高，更有利于客戶的設計和應用。

650V IGBT的性能定位

與全球領先的650V IGBT供應商產品相比，瑞能的650V器件具有類似甚至更好的權衡性能。

650V IGBT在PFC應用中的性能驗證

操作條件：

?Vin=220V(ac)&50Hz

?Po=3KW, Vout=320V(dc)

?Lb=500uH

?Fs=72kHz, Tc=100oC

?Vge=+15/0V, Rg=10ohm

在PFC應用中,瑞能650V 50A產品比競品具有更好的開關導通損耗和熱性能。

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審核編輯：湯梓紅