器件采用 MPS 結構設計
額定電流 4 A~ 40 A
正向壓降、電容電荷和反向漏電流低
Vishay推出17款新型第三代 650V 碳化硅(SiC)肖特基二極管。Vishay Semiconductors 器件采用混合 PIN Schottky(MPS)結構設計,具有高浪涌電流保護能力,正向壓降、電容電荷和反向漏電流低,有助于提升開關電源設計能效和可靠性。
日前發布的新一代 SiC 二極管包括 4A 至 40A 器件,采用 TO-22OAC 2L 和 TO-247AD 3L 插件封裝和 D2PAK 2L(TO-263AB 2L)表面貼裝封裝。由于采用 MPS 結構,器件正向壓降比上一代解決方案低 0.3V,正向壓降與電容電荷乘積,即電源能效重要優值系數(FOM),相比上一代解決方案降低 17%。
與接近的競品解決方案相比,二極管室溫下典型反向漏電流低 30%,高溫下低 70%。因此降低了導通損耗,確保系統輕載和空載期間的高能效。與超快恢復二極管不同,第三代器件幾乎沒有恢復拖尾,從而能夠進一步提升效率。
與擊穿電壓相當的硅二極管相比,SiC 二極管熱導率高,反向電流低,反向恢復時間短。二極管反向恢復時間幾乎不受溫度變化的影響,可在 +175?C 高溫下工作,不會因開關損耗造成能效變化。
器件典型應用包括發電和勘探應用領域 FBPS 和 LLC 轉換器中的 AC/DC 功率因數校正(PFC)和 DC/DC 超高頻輸出整流。器件具有高可靠性,符合 RoHS 標準,無鹵素,通過 2,000 小時高溫反偏(HTRB)測試和 2,000 次熱循環溫度循環測試,測試時間和循環次數是 AEC-Q101 規定的兩倍。
新型 SiC 二極管現可提供樣品并已實現量產,供貨周期為八周。
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原文標題:開關電源設計優質選擇!高能效,更可靠,第三代650V SiC二極管
文章出處:【微信號:Vishay威世科技,微信公眾號:Vishay威世科技】歡迎添加關注!文章轉載請注明出處。
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