美國SemiSouth Laboratories公司發布了耐壓為650V和耐壓為1700V的SiC制JFET產品，均為常開型功率元件。耐壓為650V的產品名稱為“SJDA065R055”，導通電阻為55mΩ，漏電流在室溫時（25℃）為30A，在
2012-05-21 10:31:01
2494 瑞薩電新發表13款具備高效能之第7代絕緣閘雙極性電晶體（IGBT）系列新產品。新款IGBT包括650V的RJH/RJP65S系列與1250V的RJP1CS系列。新款IGBT是將系統中的直流電轉換為交流電的功率半導體裝
2012-07-31 11:34:281650 全球知名半導體制造商ROHM新開發出兼備業界頂級低傳導損耗※1和高速開關特性的650V耐壓IGBT※2“RGTV系列（短路耐受能力※3保持版）”和“RGW系列（高速開關版）”，共21種機型。這些產品
2018-04-17 12:38:467742 
與600V IGBT3一樣，新的650V IGBT4也是采用了溝槽的MOS-top-cell薄片技術和場截止的概念（如圖1 所示），但與600V IGBT3相比，芯片厚度增加了大約15%，并且MOS
2018-10-26 09:17:007600 Nexperia今天推出650V的功率器件GAN063-650WSA，宣布其進入氮化鎵場效應管（GaN）市場。
2019-11-22 15:16:321787 英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管（TO247-3pin和TO-247-4pin）。用最新的650V/SiC/G6/SBD續流二極管，取代了傳統Si的Rapid1快速續流二極管，配合650V/TS5的IGBT芯片（S5/H5），進一步優化了系統效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2021-08-31 10:38:421943 
ROHM面向工業設備用電源、太陽能發電功率調節器及UPS等的逆變器、轉換器，開發出1200V耐壓的400A/600A的全SiC功率模塊“BSM400D12P3G002
2018-12-04 10:20:43
我想控制20Hz到20KHz脈沖波的幅值，步進100mv輸出最大達到3v，我嘗試過用ad603、vca810等壓控放大器，但效果不理想，請問大神們有什么方法可以把輸入為300mv20Hz到20KHz脈沖波達到這要求嗎？
2014-08-16 22:59:38
在《電子學》這個大布頭里面看見過喇叭在20到20kHz的頻響曲線，這個文章還詳細的介紹了分貝和響度
2019-05-31 08:15:57
40 A 650V IGBT，它與IGBT相同額定電流的二極管組合封裝到表面貼裝TO-263-3（亦稱D2PAK）封裝中。全新D2PAK封裝TRENCHSTOP 5 IGBT可滿足電源設備對功率
2018-10-23 16:21:49
逆變器等中高功率領域，可顯著的減少電路的損耗，提高電路的工作頻率?！ ￡P斷波形圖（650V/10A產品） 650V/1200V碳化硅肖特基二極管選型
2020-09-24 16:22:14
0前言家用逆變焊機因其體較小，操作方便，市場接受度逐步提高。因市電220V輸入的特點，一般采用600V/650V規格的IGBT作為逆變主功率器件。IGBT (Insulated Gate
2014-08-13 09:25:59
求解 用DSP28335采樣高頻電流（頻率20KHz左右），要跟蹤其頻率及過零點，用ADC采樣能做嗎，求大神賜教?。。?！
2014-01-23 21:15:29
你好！我有一個 SPC58EC-DISP；我設置PWM頻率20KHz，占空比1%，然后不輸出，設置8%時輸出2us時間；我發現最小的PWM輸出時間好像是2us?，F在我想要 PWM 頻率 20KHz(50us) 和 1%(0.5us) 輸出，我該怎么辦？
2023-01-10 07:25:53
@STM32f103產生50Hz—20kHz正弦波頻率幅值可調正弦波很多時候我們需要生成一些特定頻率和幅值的正弦波波形，近期個人研究這部分的原理和代碼，將成果做一下分享，如有不對之處，歡迎大佬補刀
2021-12-03 07:53:32
；TSD5N60MTruesemi 其它相關產品請 點擊此處 了解特性：3.0A，650V，最大RDS（on）= 3.0Ω@ VGS = 10V低柵極電荷（典型值為16nC）快速切換經過100％雪崩測試改進的dv/dt功能主要參數：應用：高效開關模式電源，基于半橋拓撲的有源功率因數校正`
2020-04-30 15:13:55
中國上海，2023年3月9日 ——東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布推出一款用于空調和工業設備大型電源的功率因數校正（PFC）電路的650V分立IGBT---“GT30J65MRB
2023-03-09 16:39:58
最近在做使用DAC產生20kHz頻率的任意波形，單周期內64點以上，也就是說控制頻率為1.28MHz，為控制DAC波形的頻率，使用1.28MHz的定時器中斷，在中斷里控制DAC輸出，最終達到任意波形
2021-08-13 08:07:55
的IGBT模塊相比，具有1）可大大降低開關損耗、2）開關頻率越高總體損耗降低程度越顯著 這兩大優勢。下圖是1200V/300A的全SiC功率模塊BSM300D12P2E001與同等IGBT的比較。左圖
2018-11-27 16:37:30
其授權代理商。廣大客戶現可通過華秋商城購買MDD品牌產品！產品簡介MDD7N65F應用場景 ：LED驅動，適配器功能特點 ：低導電阻、優異的開關性能和高雪崩能量產品參數 ：VDSS：650V，ID
2022-11-11 11:50:23
SBD）* ? Hybrid型的IGBT* ? 顯著降低損耗* ? RGWxx65C系列* ? 650V耐壓* ? 與使用Si快速恢復二極管（Si FRD）的IGBT相比，開通損耗顯著降低
2022-07-27 10:27:04
。 BM1Pxxx支持隔離和非隔離器件，可以更簡單地設計各種類型的低功耗電氣轉換器。 BM1Pxxx內置高壓啟動電路，可承受650V電壓，有助于降低功耗
2020-08-14 06:52:48
我想在1KHz或更低的帶寬下制作18KHz和20KHz帶通濾波器。 TI會推薦嗎？ 謝謝]
2018-11-06 09:34:12
電機驅動市場特別是家電市場對系統的能效、尺寸和穩健性的要求越來越高?！ 闈M足市場需求，意法半導體針對不同的工況提供多種功率開關技術，例如， IGBT和最新的超結功率MOSFET?！ ”疚脑趯嶋H
2018-11-20 10:52:44
。此外本文所述大功率igbt驅動保護電路是指應用于直流母線電壓在650v～1000v范圍、輸出電流的交流有效值在100a～600a范圍的場合。詳情見附件。。。。。。
2021-04-06 14:38:18
本帖最后由 gk320830 于 2015-3-5 16:57 編輯
針對10V以下 20kHz正弦信號的隔離變壓器 信號失真程度不能太高 請幫忙推薦一款芯片 謝謝了！
2014-04-22 10:09:19
概述：FSQ100是飛兆半導體出品的一款開關電源電路，FSQ100采用8-DIP封裝，輸入電壓8V~20V．輸出電壓650V，功率13W，開關振蕩頻率范圍在61kHz~73kHz，工作溫度為250C~850C。
2021-04-09 06:34:00
大家好，我想對頻率在0~20kHz變化，幅值為±0.5+3.5V的正弦信號進行采樣，如何選擇合適的采樣頻率？能否推薦一款合適的ADC芯片？謝謝！
2023-12-08 08:07:40
BM2P033 PWM AC / DC變換器的典型應用電路。用于AC / DC的PWM型（BM2PXX3）為包含電源插座的所有產品提供了最佳系統。 BM2PXX3支持隔離和非隔離器件，可以更簡單地設計各種類型的低功耗電氣轉換器。 BM2PXX3內置高壓啟動電路，可承受650V電壓，有助于實現低功耗
2020-06-05 09:15:07
本帖最后由 3T華鉆電子 于 2020-9-22 17:05 編輯
新潔能原廠 NCE65T360F 650V 11A TO-220F 超結場效應管 ，原裝正品，優勢價格。深圳市華鉆電子
2019-12-31 15:08:03
各位專家好，得麻煩各位幫助我解決3個問題哈：1：采集放大Vpp=10mv/20kHz的交流信號（可能包含檢波、低通濾波），先整成全波再放大至Vpp=3V；2：檢測640kHz的信號源（用工字電感識別
2018-07-30 11:03:21
650V耐壓的buck電路夠不夠用
2023-08-01 14:38:42
現在想用adau1452輸出20khz以上的正弦波，比如40khz或者60khz。目前調節了sampling rate之后，仍然無法達到想要的正弦頻率，而且本身的正弦波控件頻率也改變了，比如我設置
2023-11-28 06:18:03
用于AC/DC變換器應用的新型650V GaNFast半橋IC(氮化鎵)
2023-06-19 07:57:31
設計更具靈活性。BM2P189TF和BM2P209TF的最大差別在于VCC控制電壓，典型值分別為18V和20V，轉換輸出電壓（DRAIN）最大均可達650V。另外，VCC引腳具有欠壓保護和過壓保護
2019-04-08 09:33:54
設計用于驅動N通道功率MOSFET或IGBT，其工作電壓最高可達650V。
特性
?650V無芯變壓器隔離驅動器IC
?軌到軌輸出
?保護功能
?浮動高側驅動
?雙通道欠壓鎖定
?3.3V和5V TTL
2023-08-24 18:21:45
我想請教一下，AD8302這款幅值比相位差檢測芯片的如下問題。1，它能檢測100HZ~20KHZ這個頻率范圍內的信號的幅值比和相位差嗎？我看芯片資料上面寫的是大于0，小于3GHZ。2，如果能檢測
2018-11-22 09:26:05
600V IGBT3，全新芯片具備更出色的關斷軟度和更高的阻斷電壓功能。此外，該器件的短路能力大幅增強。而600V IGBT3主要適用于低功率應用或雜散電感很低的高功率應用。650V IGBT4的設計與技術
2018-12-07 10:16:11
能夠貼近負載點，且仍然可提供95％以上的能效。高水平的集成和功率轉換的結合并非傳統上好的搭配，因為通常來說，兩者所采用的流程并不完全兼容。在某些情況下，不可避免的妥協是可以容忍的，例如在相對較窄的輸入
2020-10-28 09:10:17
摘要新一代CoolMOS? 650V CFD2技術為具備高性能體二極管的高壓功率MOSFET樹立了行業新桿標。該晶體管將650V的擊穿電壓、超低通態電阻、低容性損耗特性與改進反向恢復過程中的體二極管
2018-12-03 13:43:55
雙極晶體管(High Speed IGBT)已針對高頻率硬切換應用優化，因此，該零件為太陽能應用中功率模塊的理想選擇。 本文將說明650伏特(V)IGBT3、650V IGBT4及650V高速
2018-10-10 16:55:17
20KHz非穩態電路:
在溫度、電壓和晶體管增益變化范圍很寬的情況下，單電容器電路是可靠的。電源電壓在6～12V之間變化時，頻率變化僅為0.05%。用R1、R2和C可改變時間周期，
2007-06-15 12:16:53
22 SVF10N65F 650v 10a大功率mos管特征■ 10A,650V,RDs(on)(典型值)=0.8Ω @Vcs=10V■ 開關速度快■ 低柵極電荷量■ 低反向傳輸電容■ 提升
2022-03-30 15:52:04
供應igbt雙極性晶體管650V、75A 大功率igbt開關電源SGTP75V65SDS1P7 ，具有較低的導通損耗和開關損耗，SGTP75V65SDS1P7可應用于光伏，UPS,SMPS以及PFC等領域，更多產品手冊、應用料資請向士蘭微代理驪微電子申請。>>
2022-08-02 17:11:03
AFSK偏移到20KHz的電路
2009-03-21 18:57:26871 
20kHz帶通有源濾波器電路圖
2009-03-30 09:05:312766 
20kHz方波發生器
2009-06-10 10:06:116947 
用于紅外線接收器的高增益20kHz音頻放大器電路圖
2009-06-10 10:15:323859 
韓國成功改良NOR芯片 可大幅提升手機性能
首爾大學指出，1組韓國工程師已改良手機用芯片技術，可大幅提升手機性能。
2010-01-28 09:23:52899 
英飛凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列。該產品系列將現代超級結（SJ）器件的優勢（如低導通電阻和低容性開關損耗）與輕松控制的開關行為、及
2010-07-05 08:48:261674 美高森美公司宣布提供下一代650V非穿通型（NPT）絕緣柵雙極晶體管（IGBT）產品，備有45A、70A和95A額定電流型款。美高森美全新NPTIGBT產品系列專為嚴苛環境工作而設計，尤其適用于太陽能逆變器、焊接機和開關電源等工業產品。
2013-08-19 16:08:18863 2014年10月21日，北京——全球功率半導體和管理方案領導廠商 – 國際整流器公司 （International Rectifier，簡稱IR） 推出多款堅固可靠的650V IRGP47xx器件，藉以擴充絕緣柵雙極晶體管 （IGBT） 系列。
2014-10-21 15:27:421975 2015年3月2日，德國慕尼黑——英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）發布了能夠讓應用于汽車中的高速開關實現最高效率的高堅固性650V IGBT系列。
2015-03-04 10:00:291443 ?正溫度系數，易于并聯使用?不受溫度影響的開關特性?最高工作溫度175℃?零反向恢復電流? 零正向恢復電壓
650V 4A 碳化硅肖特基功率二極管
兼容 C3D04060A C3D04065A
2016-06-06 15:09:147 G2S06505A 650V 5A 碳化硅肖特基功率二極管 TO-220
2016-06-17 15:42:454 G2S06505C 650V 5A 碳化硅肖特基功率二極管 兼容C3D03065E C3D04065E
650V/5A碳化硅肖特基功率二極管
產品特性
?
正溫度系數，易于并聯使用
?不受溫度影響的開關特性
?
最高工作溫度175℃?零反向恢復電流? 零正向恢復電壓
2016-06-17 15:42:454 G2S06530A 650V 30A 碳化硅肖特基功率二極管
正溫度系數，易于并聯使用?
不受溫度影響的開關特性?
最高工作溫度175℃
?零反向恢復電流? 零正向恢復電壓
2016-06-23 17:56:190 為了得到高達 20kHz 的開關頻率，賽米控在 SKiM功率模塊中集成了三電平逆變器結構。SKiM IGBT 產品組合為光伏和 UPS 市場上提供了最優的效率。相對于標準兩電平解決方案減少的損耗
2017-11-14 13:03:0211 英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）進一步壯大其薄晶圓技術TRENCHSTOP?5 IGBT產品陣容。新的產品家族可提供最高40 A 650V IGBT，它與
2018-06-04 08:31:002054 / 650V IGBT和一個NTC熱敏電阻。Q2PACK模塊采用一個分立式NPC拓撲結構，使用160A / 1200V IGBT、100A / 650V IGBT和一個NTC熱敏電阻。這些拓撲結構適用于更高的功率電平。
2019-03-14 06:12:004628 
意法半導體的HB2 650V IGBT系列采用最新的第三代溝柵場截止（TFS）技術，可提高PFC轉換器、電焊機、不間斷電源（UPS）、太陽能逆變器等中高速應用設計的能效和性能。該系列還包括符合AEC-Q101 Rev. D標準的汽車級產品。
2019-05-14 11:38:533363 本文檔的主要內容詳細介紹的是MSP430F5529輸出占空比為0.35頻率為20KHZ的PWM的程序免費下載。
2019-07-02 08:00:0023 在220V單相家用便攜式焊機應用中，大部分設計是使用650V IGBT單管制作逆變電源，開關頻率最高可以到50kHz，如果采用軟開關技術，開關頻率還能更高，也有使用650V硅基MOSFET為功率器件
2020-03-31 15:32:383409 英飛凌宣布推出650V SiC MOSFET，標志著公司進一步增強了在低壓SiC領域的布局，650V CoolSiC MOSFET系列。
2020-05-09 15:07:504268 TRENCHSTOP IGBT7現在提供TO-247封裝，電流等級為20-75A。 TRENCHSTOP IGBT7帶來更高的擊穿電壓（650V）、一流的性價比和效率，實現簡單的即插即用解決方案
2020-10-22 09:33:303193 650 V 場截止 IGBT 如何幫助將廚房烹飪提升到一個全新的水平。 電磁爐制造商正在努力增加最大功率并減少烹飪時間，同時實現高系統效率以滿足嚴格的能源之星標準。 這些趨勢對選擇合適的 IGBT 提出了新的要求，這些 IGBT 是感應加熱系統中的關鍵
2021-06-01 14:56:251831 
東芝電子元件及存儲裝置株式會社（東芝）宣布，在其TOLL（TO-無引線）封裝的DTMOSVI系列中推出650V超級結功率MOSFET-
2021-03-15 15:44:231117 
ADP1614：650 kHz /1.3 MHz、4 A、升壓PWM DC-DC開關轉換器
2021-03-18 20:27:453 ，配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5)，進一步優化了系統效率、性能與成本之間的微妙平衡。 IGBT混搭SiC SBD續流二極管，在硬換流的場合，至少有兩個主要優勢： 沒有Si二極管的反向恢復
2021-03-26 16:40:202349 
。本文將介紹大功率IGBT模塊ST20在風電應用中的優勢。 1.背景 1.1 風電大功率趨勢 風電大兆瓦時代已經來臨，尤其是海上風電。眾所周知，海上風電機組不論是施工難度還是投資額度均遠高于陸上，若規劃相同規模風場，機組單機容量的增
2021-10-19 18:09:033728 英飛凌最近推出了系列650V混合SiC單管(TO247-3pin和TO-247-4pin)。用最新的650V/SiC/G6/SBD續流二極管，取代了傳統Si的Rapid1快速續流二極管，配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5)，進一步優化了系統效率、性能與成本之間的微妙平衡。
2022-08-01 10:11:29540 
現在主流400V架構中，電驅動的功率管主要采用IGBT器件，但IGBT耐壓值通常不高于650V，基本不能用于800V架構。即便采用超級結工藝的高耐壓IGBT，工作電壓也不超過900V，而且成本高不說，其體積也要比普通IGBT大很多，這無疑為車內空間布置及散熱設計帶來困難。
2022-08-17 11:12:303878 電子發燒友網站提供《使用藍牙制作20khz信號發生器.zip》資料免費下載
2023-02-06 14:42:350 ROHM最近新推出650V耐壓IGBT“RGTV系列（短路耐受能力保持型）”和“RGW系列（高速開關型）”共21種機型，該系列產品同時實現了業界頂級的低傳導損耗和高速開關特性，并大大減少了開關時的過沖。
2023-02-09 10:19:25724 
20khz 超聲波電源發生器該控制電路包括信號發生器、功率放大器、電源、功率匹配電路、控制面板、繼電器以及超聲波換能器，其中，超聲波信號發生器分別連接所述電源和功率放大器，所述信號發生器產生超聲波
2023-03-03 10:33:46319 
20khz 60W超聲波清洗換能器振子是能量傳遞件，將輸入220V電壓和電功率轉換成機械功率傳遞到不銹鋼板，在水里面產生無數的水波，水波對工件進行無數次的沖刷達到清潔的效果。超聲波清洗換能器振子主要
2023-03-06 17:10:05310 
RJP65T43DPQ-A0 數據表 (650V - 30A - IGBT, Application: Power Factor Correction circuit)
2023-03-22 18:36:590 RJP65T54DPM-A0 數據表 (650V - 30A - IGBT Application: Partial switching circuit)
2023-03-23 19:10:100 RJH65D27BDPQ-A0 數據表 (650V - 50A - IGBT Application: Inverter)
2023-03-24 18:53:250 Nexperia | 用于汽車和工業的650V超快恢復整流管
2023-05-24 12:16:57300 潤新微電子（Runxin Microelectronics）榮幸推出了最新一代的650V GaN功率晶體管（FET），該產品具備卓越的性能和廣泛的應用領域。 產品特點： 易于使用：650V GaN
2023-06-12 16:38:34698 新品EVAL-IHW65R62EDS06J這塊感應加熱半橋評估板采用新一代650V逆導型R6系列IGBT和SOI技術的EiceDRIVERIGBT驅動器，產品針對100kHz的諧振開關應用感應
2022-03-01 09:32:40559 
RJP65T43DPQ-A0 數據表 (650V - 30A - IGBT, Application: Power Factor Correction circuit)
2023-07-07 20:26:120 RJP65T54DPM-A0 數據表 (650V - 30A - IGBT Application: Partial switching circuit)
2023-07-10 19:00:430 RJH65D27BDPQ-A0 數據表 (650V - 50A - IGBT Application: Inverter)
2023-07-10 20:42:510 圳市森國科科技股份有限公司日前發布了第五代Thinned MPS SiC二極管KS04065（650V/4A）、KS06065（650V/6A）
2023-07-12 17:06:27522 
一：方案名稱PWM調光頻率20KHz以內，共陽極控制高輝無頻閃調光方案FP7125/FP7122/FP7123二：方案品牌遠翔FEELING（雅欣）三：方案特點①工作電壓范圍：8V-100V②調光
2021-10-18 13:57:251124 
SP9683高頻準諧振、集成650V氮化鎵功率器件，30W高性能ACDC芯片
2023-10-21 15:43:271010 
供應40A、650V新能源絕緣柵雙極型晶體管SGTP40V65SDB1P7，提供SGTP40V65SDB1P7關鍵參數，更多產品手冊、應用料資請向士蘭微mos代理驪微電子申請。>>
2022-08-01 16:18:473 供應SGTP75V65SDS1P775A、650V光伏逆變器igbt-三相igbt逆變電源，提供SGTP75V65SDS1P7關鍵參數，更多產品手冊、應用料資請向士蘭微mos代理驪微電子申請。>>
2022-08-02 17:12:195 IGBT 作為一種功率半導體器件，廣泛應用于工業節能、電動汽車和新能源裝備等領域。IGBT 具有節能、安裝方便、維護方便、散熱穩定等特點，是能量轉換和傳輸的核心裝置。瑞能的650V IGBT產品在電性能和可靠性等方面具備諸多優勢，在行業內也處于領先地位。
2023-12-26 13:31:35276 
本次推出的產品主要為50A 650V TO-247封裝IGBT單管；
2024-03-15 14:26:07189 
近日，國內半導體功率器件領軍企業揚州揚杰電子科技股份有限公司（以下簡稱“揚杰科技”）再度刷新業界認知，推出了一款專為光伏儲能充電樁等高頻應用而設計的50A 650V TO-247封裝IGBT單管產品
2024-03-16 10:48:19565
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