硅片和soi這兩種材料，他們的不同之處是什么呢？
本文介紹了硅片和SOI兩種材料的不同之處。
硅片和soi這兩種材料，他們的不同之處是什么呢？
硅片與SOI
硅片是半導體制造的基礎，絕大多數的芯片都是在硅片上制造的。SOI（silicon on insulator ）利用絕緣層將單晶硅薄膜與單晶硅片隔離開來。與單晶硅片相比，SOI可以減少寄生電容，漏電流等，是一項比較前沿的技術。
制作方法的不同
硅片的制作方法：先用CZ法或FZ法制作出單晶硅錠，經過切割成片，拋光等工序，得到單晶硅片 SOI晶圓則是需要對已有的單晶硅片再加工，一般的方法有SIMOX，BESOI，晶體生長法等。涉及到的工藝有離子注入，退火，晶圓鍵合，CVD，cmp等。
總的來說，硅片制造的工藝偏向于材料端，但是SOI所需要的工藝更貼近于半導體制造端，更先進更前沿。
SOI技術的前景
SOI技術在微處理器，高性能RF芯片，硅光電子芯片中應用廣泛。
因此針對于當前大環境下的芯片設計，SOI相比于硅片更具有可研究的潛力。
審核編輯：劉清
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原文標題：硅片和SOI的不同之處
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