ICP-RIE全稱是電感耦合等離子體刻蝕機,是半導體芯片微納加工過程中必不可少的設備,可加工微米級納米級的微型圖案。
ICP-RIE機臺的原理是什么樣的?
上圖是一個典型的ICP-RIE設備的原理圖,其中:
ICP Generator(感應耦合等離子體發生器):產生射頻能量以激發氣體并產生等離子體。
CCP Generator(電容耦合等離子體發生器):為下部電極提供射頻能量,以產生電場并加速等離子體中的離子向晶圓表面運動。
Gas Inlet(氣體進口):引入所需的刻蝕氣體到反應室。
Analysis Port(分析口):用于連接在線檢測工具,如質譜儀或光譜儀,用于分析反應室內的氣體成分。
Glow Discharge(輝光放電區):這是等離子體形成和持續作用的區域,等離子體在此區域中發光。
Wafer Clamping(晶圓夾持):用于固定晶圓,確保其在刻蝕過程中位置穩定。
Pumping(泵):保持反應室的真空狀態,排除刻蝕過程中的副產品和未反應氣體。
Cryo Stage:控制晶圓在刻蝕過程中的溫度,防止因溫度過高而損傷晶圓或影響刻蝕結果。
Helium Backing(氦氣背冷):利用氦氣作為冷卻介質,帶走熱量。
Dark Space(暗區或鞘區):一個沒有輝光放電的區域,這有助于改善刻蝕的均勻性。
審核編輯:黃飛
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原文標題:ICP-RIE設備原理
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