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美國IR公司生產的IR2110驅動器。它兼有光耦隔離（體積?。┖碗姶鸥綦x（速度快）的優點，是中小功率變換裝置中驅動器件的首選品種。
美國IR公司生產的IR2110驅動器。它兼有光耦隔離（體積?。┖碗姶鸥綦x（速度快）的優點，是中小功率變換裝置中驅動器件的首選品種。
IR2110是美國國際整流器公司（International Rectifier Company ）利用自身獨有的高壓集成電路及無門鎖CMOS 技術，于1990 年前后開發并投放市場的大功率MOSFET和IGBT專用柵極驅動集成電路，已在電源變換、馬達調速等功率驅動領域中獲得了廣泛的應用。該電路芯片體積?。―IP-14、SOIC-16），集成度高（可驅動同一橋臂兩路），響應快（ ton /tof = 120/94 n s ），偏值電壓高（《 600 V ），驅動能力強，內設欠壓封鎖，而且其成本低，易于調試，并設有外部保護封鎖端口。尤其是上管驅動采用外部自舉電容上電，使得驅動電源路數目較其他IC驅動大大減小。對于發射機的4 管構成的全橋電路，采用2片IR2110驅動2個橋臂，僅需要一路10一20V電源，從而大大減小了控制變壓器的體積和電源數目， 降低了產品成本， 提高了系統的可靠性。
美國IR公司生產的IR2110驅動器。它兼有光耦隔離（體積?。┖碗姶鸥綦x（速度快）的優點，是中小功率變換裝置中驅動器件的首選品種。
IR2110是美國國際整流器公司（International Rectifier Company ）利用自身獨有的高壓集成電路及無門鎖CMOS 技術，于1990 年前后開發并投放市場的大功率MOSFET和IGBT專用柵極驅動集成電路，已在電源變換、馬達調速等功率驅動領域中獲得了廣泛的應用。該電路芯片體積?。―IP-14、SOIC-16），集成度高（可驅動同一橋臂兩路），響應快（ ton /tof = 120/94 n s ），偏值電壓高（《 600 V ），驅動能力強，內設欠壓封鎖，而且其成本低，易于調試，并設有外部保護封鎖端口。尤其是上管驅動采用外部自舉電容上電，使得驅動電源路數目較其他IC驅動大大減小。對于發射機的4 管構成的全橋電路，采用2片IR2110驅動2個橋臂，僅需要一路10一20V電源，從而大大減小了控制變壓器的體積和電源數目， 降低了產品成本， 提高了系統的可靠性。
IR2110使用筆記
使用IR2110的目的是為了控制功率電路，IR2110作為高壓集成驅動芯片，集成了高壓側和低壓側兩路驅動的輸出，為驅動半橋和全橋電路提供了便捷。
為利用好這款芯片，需要理解其工作原理。電路需要設計自舉電容，自舉二極管，以及MOS管的外圍配置電路。
以驅動半橋為例來詳述其工作原理：
圖1 自舉電容充電過程
當LO輸出高電平，VCC將電源電壓加在Q2兩端，下管導通，電源VCC通過自舉二極管，自舉電容，下管Q2構成充電回路，給自舉電容C1充電。由于驅動波形是互補輸出，此時HO輸出低電平，上管處于截止狀態，此時由于Q2導通，故Va是處于低電平狀態，此時半橋輸出低電平。VCC經過自舉二極管的壓降，將電壓加在自舉電容C1的兩端。
LO輸出高電平，
第一，將電源電壓加在下管Q2的柵源兩端，開通下管Q2；
第二，電源電壓給自舉電容充電；
第三，半橋中點輸出低電平
自舉電容的計算公式如下：
圖2 自舉電容放電過程
針對實際電路所用的MOS管，在計算出所需的自舉電容值后，當電容兩端電壓達到電源電壓，關斷Q2。HO輸出高電平，自舉電容兩端電壓加在上管Q1的柵源兩端，開通Q1（若是軟開關，會經歷一段死區時間），此時自舉電容兩端電壓會經過VB，HO，上管Q1，構成放電回路。由于Q1處于導通狀態，母線電壓與Va點電壓相同，即此時半橋輸出高電平。
HO輸出高電平，
第一，將自舉電容兩點電壓加在上管Q1的柵源兩端，開通上管Q1；
第二，上管Q1輸出高電平
為了更好地理解，IR2110的工作原理，下面列出了其驅動全橋電路的波形圖。采用移相全橋控制方法，Q1和Q2構成超前臂，Q3和Q4構成滯后臂，結合上述分析可知，當HO輸出高電平的時，半橋中點輸出高電平，LO輸出高電平的時，半橋中點輸出低電平。所以Va，Vb的波形和Q1、Q3是一致的。這樣就得到負載電壓Va-Vb。
圖3 全橋電路原理圖
圖4 全橋電路波形圖
通過上述分析，我們可以得知只有HO輸出高電平的時候，半橋中點才能輸出高電平，而LO輸出高電平的時候，半橋中點輸出低電平，這可以等效于將LO接地。有鑒于此，可以利用IR2110的單路來驅動MOS管。
圖5 IR2110驅動buck電路MOS管
本文開始介紹了IR2110內部結構和特點，其次介紹了高壓側懸浮驅動的自舉原理與自舉元器件的分析與設計，最后介紹了IR2110的擴展應用與應用實例。
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