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標簽 > 長鑫存儲

長鑫存儲

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2016年5月,長鑫存儲技術有限公司的事業在 “創新之都”——安徽合肥啟動。作為一體化存儲器制造商,公司專業從事動態隨機存取存儲芯片(DRAM)的設計、研發、生產和銷售,目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產。DRAM 產品廣泛應用于移動終端、電腦、服務器、虛擬現實和物聯網等領域,市場需求巨大并持續增長。

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長鑫存儲動態

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長鑫存儲簡介

  2016年5月,長鑫存儲技術有限公司的事業在 “創新之都”——安徽合肥啟動。作為一體化存儲器制造商,公司專業從事動態隨機存取存儲芯片(DRAM)的設計、研發、生產和銷售,目前已建成第一座12英寸晶圓廠并投產。DRAM 產品廣泛應用于移動終端、電腦、服務器、虛擬現實和物聯網等領域,市場需求巨大并持續增長。

  我們將憑借值得信賴的產品和服務滿足不斷增長的市場需求,致力于成為技術領先與商業成功的半導體存儲芯片公司,以存儲科技賦能信息社會,改善人類生活。

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長鑫存儲技術

基于長鑫國產顆粒的DDR4內存的測試報告

從2018年開始,世界的局勢越來越緊張,米國尤其在以芯片為代表的高科技行業對我們全方面的彈壓,所以保證芯片的自立自主呼聲越來越高。之前我們也測試過一對紫...

2020-07-29 標簽:DDR4紫光長鑫存儲 8210 0

內外兼修,江波龍DDR4內存已通過KTI專項測試認證

繼推出全系列容量的DDR4內存和基于長鑫存儲DRAM資源的國產化內存后,江波龍在內存測試技術上不斷探索,除了自主開發基于10nm ASIC的測試系統外,...

2020-06-23 標簽:內存DDR4江波龍 2493 0

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長鑫存儲資訊

長鑫存儲&quot;半導體器件冷卻設備&quot;專利公開

長鑫存儲&quot;半導體器件冷卻設備&quot;專利公開

該發明涉及一種新型半導體器件冷卻裝置,主要由冷卻部及驅動部組成。冷卻部內置第一冷卻介質通道,驅動部可在第一位置與第二位置間移動,在第一位置時,驅動部與冷...

2024-04-26 標簽:半導體器件長鑫存儲 101 0

長鑫存儲公布新型存儲器延時控制電路

長鑫存儲公布新型存儲器延時控制電路

具體來說,譯碼模塊負責接收并解析模式寄存器信號,產生多個譯碼信號。而延時模塊則由多個延時子模塊組成,可以根據譯碼信號選擇合適的目標延時模塊,然后根據目標...

2024-04-26 標簽:寄存器存儲器長鑫存儲 141 0

長鑫存儲科技有限公司“沉積設備、靜電卡盤、加熱系統及其控溫技術”

長鑫存儲科技有限公司“沉積設備、靜電卡盤、加熱系統及其控溫技術”

此項發明涉及一種新型沉積設備、靜電卡盤和加熱機構,并提供了相應的控溫方法。加熱機構主要由導熱板、加熱組件及控制器組成。加熱組件包含至少兩個加熱元件,其中...

2024-04-15 標簽:控制器熱元件長鑫存儲 134 0

長鑫存儲獲半導體器件制備裝置及方法專利

長鑫存儲獲半導體器件制備裝置及方法專利

這項發明涉及半導體器件制備設備及制備策略,主要包含氣體管道、氣體優化系統及反應腔室三大組件。其中,氣體管道設有多個氣體入口管道;在反應腔室內,自上而下依...

2024-04-03 標簽:晶圓半導體器件長鑫存儲 121 0

長鑫科技融資108億元!增資助推DRAM業務騰飛,估值達1400億元

長鑫科技融資108億元!增資助推DRAM業務騰飛,估值達1400億元

本輪所有投資人均以相同條款及價格,與長鑫科技、上述三個早期股東簽署增資協議,并將簽署《關于長鑫科技集團股份有限公司之股東協議》,共同參與長鑫科技增資事項。

2024-03-30 標簽:DRAM長鑫存儲 2185 0

長鑫存儲新專利揭示半導體結構與制造方法

長鑫存儲新專利揭示半導體結構與制造方法

這個新穎的發明主要是關于一款包含以下幾個部分的半導體結構:基底,基底上分布著一系列等距排列的電容接觸結構,隔離結構,它處于基底頂部并在電容接觸結構之間;...

2024-03-14 標簽:半導體電容長鑫存儲 214 0

首款國產LPDDR5存儲芯片來了!已在小米、傳音等品牌機型上完成驗證

LPDDR5芯片是第五代超低功耗雙倍速率動態隨機存儲器。與上一代LPDDR4X相比,長鑫存儲LPDDR5單一顆粒的容量和速率均提升50%,分別達到12G...

2023-12-06 標簽:芯片長鑫存儲LPDDR5 662 0

中國長鑫存儲自主研發 LPDDR5 完成

中國長鑫存儲自主研發 LPDDR5 完成

長鑫存儲最近在其官網上宣布,已研發出中國首款 LPDDR5 DRAM記憶體芯片,并即將推出包括12GB LPDDR5、POP封裝的12GB LPDDR5...

2023-12-03 標簽:芯片DRAM長鑫存儲 411 0

長鑫存儲取得時鐘信號生成技術專利

據國家知識產權局公告,長鑫存儲技術有限公司取得一項名為“時鐘信號生成電路、方法及存儲器”的專利,授權公告號CN116631469B,申請日期為2023年7月。

2023-12-04 標簽:時鐘信號長鑫存儲 238 0

長鑫存儲LPDDR5正式進軍移動終端市場

資料顯示,LPDDR是低功耗的DRAM存儲器,由DDR內存演化而來。LPDDR的架構和接口針對低功耗應用進行了專門優化,提供更窄的通道寬度、尺寸更小、工...

2023-12-01 標簽:DRAMDDRLPDDR 268 0

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    NVM Express(NVMe),或稱非易失性內存主機控制器接口規范(英語:Non Volatile Memory Host Controller Interface Specification,縮寫:NVMHCIS),是一個邏輯設備接口規范。它是與AHCI類似的、基于設備邏輯接口的總線傳輸協議規范(相當于通訊協議中的應用層)
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時鐘 時鐘振蕩器 時鐘發生器 時鐘緩沖器 定時器 寄存器 實時時鐘 PWM 調制器
視頻放大器 功率放大器 頻率轉換器 揚聲器放大器 音頻轉換器 音頻開關 音頻接口 音頻編解碼器
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