英飛凌科技推出全新600V CoolMOS P6 產品系列，專為提升系統效率及易于使用所設計，補足了專注提供頂尖效能（CoolMOS CP）及強調使用方便性（如 CoolMOS C6 或 E6）兩者之間的技術區間。
2012-11-13 08:54:33
1677 更高密度的低功率SMPS設計需要越來越多的高壓MOSFET器件。英飛凌科技股份公司（FSE： IFX / OTCQX： IFNNY）推出CoolMOS? P7系列的新成員950 V CoolMOS P7超結MOSFET器件。
2018-08-27 14:15:536079 為滿足電動汽車市場的需求，英飛凌推出了全新的650V CoolMOS? SJ功率 MOSFET CFD7A系列。這一產品經過專門優化，可以滿足電動汽車應用 （如車載充電器、HV-LV DC-DC 轉換器和輔助電源）的要求。
2020-05-31 09:15:361509 高功率密度 → 更緊湊的設計CoolMOS CFD7A在硬開關和諧振開關拓撲中，尤其是輕負荷條件下具有較大改進，令效率更上一層樓。與之前幾代產品相比，其在相同柵極損耗的水平下可實現更高的開關頻率；而且這一產品組合極具前景，使CFD7A成為減少系統重量和空間以實現更緊湊設計的關鍵因素。
2023-09-12 10:46:36518 
隨著新產品的發布，英飛凌完善了其600V/650V細分領域的硅基、碳化硅以及氮化鎵功率半導體產品組合
2020-02-26 08:26:001315 ? S7T產品系列。通過在系統中集成該系列半導體產品，可提升許多電子應用的耐用性、安全性和效率。CoolMOS? S7T具有出色的導通電阻和高精度嵌入式傳感器，最適合用于提高固態繼電器（SSR）應用的性能
2023-12-19 15:22:26900 
意法半導體最先進的40V功率MOSFET可以完全滿足EPS (電動助力轉向系統)和EPB (電子駐車制動系統) 等汽車安全系統的機械、環境和電氣要求。 這些機電系統必須符合汽車AEC Q101規范，具體而言，低壓MOSFET必須耐受高溫和高尖峰電流。
2019-08-09 07:28:08
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 08:19:34
這些超結快速恢復硅基功率MOSFET兼具超低恢復電荷（Qrr）和超快快恢復時間（trr），以及出色的品質因數（RDS(on) x Qg），能夠為要求嚴苛的橋式拓撲和ZVS相移轉換器帶來極高的效率
2023-09-08 06:00:53
SJ MOSFET是一種先進的高壓技術功率MOSFET，根據superP&S的結原理。提供的設備提供快速切換和低導通電阻的所有優點，使其特別適用于需要更高效、更緊湊的LED照明，
高性能適配器等。
2023-09-15 06:19:23
Parameter Symbol Value Unit TO-220F TO-220 TO-247 Drain-Source Voltage (VGS = 0V) VDSS 650 V
2021-04-06 11:35:02
SJ MOSFET是一種先進的高電壓功率MOSFET，根據P&S的超結原理。報價設備提供了快速切換的所有好處并且導通電阻低，使其特別適用于需要更多高效，更緊湊，LED照明，高
性能適配器等。
2023-09-15 08:16:02
逆變器等中高功率領域，可顯著的減少電路的損耗，提高電路的工作頻率?！ ￡P斷波形圖（650V/10A產品） 650V/1200V碳化硅肖特基二極管選型
2020-09-24 16:22:14
2是Infineon CoolMOS CFD系列的第二代產品也是目前市場上第一顆650V并且帶快恢復二極管的650V高壓MOSFET。極低的Qrr和trr使得該MOSFET可以輕松的應對LLC硬關斷時各種現象
2018-12-05 09:56:02
通電阻降低0.4 mΩ，同時大幅改進了電流處理功能。采用7引腳D2PAK封裝的典型代表是IRFS3004-7PPBF。該MOSFET的額定電壓為40 V，導通電阻為1.4 mΩ，漏電流(ID)為240
2019-05-13 14:11:31
mosfet里的jte結終端拓展是什么意思？
2017-12-05 10:03:10
lighting LED調光驅動芯片*NXP(PHILIPS)半導體系列快恢復二極管BYC8-600 : Rectifier diode ultrafast, 超快恢復19ns,8A/600V
2009-10-09 13:40:17
lighting LED調光驅動芯片*NXP(PHILIPS)半導體系列快恢復二極管BYC8-600 : Rectifier diode ultrafast, 超快恢復19ns,8A/600V
2009-10-09 13:55:30
=oxh_wx3、【周啟全老師】開關電源全集http://t.elecfans.com/topic/130.html?elecfans_trackid=oxh_wx 超結功率MOSFET技術白皮書資料來自網絡
2019-06-26 20:37:17
超級結MOSFET是與平面MOSFET相比，導通電阻和柵極電荷（Qg）顯著降低的MOSFET。ROHM的600V超級結MOSFET具有高速、低噪聲、高效率的特性，并已擴展為系列化產品，現已發展到
2018-12-05 10:00:15
COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION MOSFE
2023-11-01 14:33:15
COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION MOSFE
2023-11-01 14:33:09
COOLMOS CFD7 SUPERJUNCTION MOSFE
2023-11-01 14:33:13
IPW65R080CFD - 650V CoolMOS CFD Power Transistor - Infineon Technologies AG
2022-11-04 17:22:44
IPW65R310CFD - 650V CoolMOS C6 CFD Power Transistor - Infineon Technologies AG
2022-11-04 17:22:44
IPW65R420CFD - 650V CoolMOS C6 CFD Power Transistor - Infineon Technologies AG
2022-11-04 17:22:44
IPW65R660CFD - 650V CoolMOS CFD Power Transistor - Infineon Technologies AG
2022-11-04 17:22:44
IPX65R310CFD - 650V CoolMOS C6 CFD Power Transistor - Infineon Technologies AG
2022-11-04 17:22:44
Imagination全新BXS GPU助力德州儀器汽車處理器系列產品實現先進圖形處理功能
2020-12-16 07:04:43
超級結MOSFET是與平面MOSFET相比，導通電阻和柵極電荷（Qg）顯著降低的MOSFET。ROHM的600V超級結MOSFET具有高速、低噪聲等特征，并已擴展為系列化產品，現已發展到第二代。非常
2018-12-04 10:17:20
的設計而言，它大幅降低了MOSFET導通電阻，并保持了出色的開關性能。 英飛凌推出的OptiMOS 3系列進一步改進了設計，使更高電壓等級的器件能夠受益于這種技術。在150 V 至250 V的電壓
2018-12-07 10:21:41
；TSD5N60MTruesemi 其它相關產品請 點擊此處 了解特性：3.0A，650V，最大RDS（on）= 3.0Ω@ VGS = 10V低柵極電荷（典型值為16nC）快速切換經過100％雪崩測試改進的dv/dt功能主要參數：應用：高效開關模式電源，基于半橋拓撲的有源功率因數校正`
2020-04-30 15:13:55
lighting LED調光驅動芯片*NXP(PHILIPS)半導體系列快恢復二極管BYC8-600 : Rectifier diode ultrafast, 超快恢復19ns,8A/600V
2009-10-09 13:58:14
：不含鹵素，符合 IEC 61249-2-21 規定TrenchFET? 功率 MOSFET典型 ESD 保護:800V符合 AEC-Q101經 100% Rg 和 UIS 測試VDS(V)：-60VID(A):-2.9應用：車載/汽車電子`
2019-07-09 17:30:39
Xilinx_A7_K7_V7系列Cadence符號庫及PCB庫
2021-01-28 06:39:41
CoolMOS，這種結構從學術上來說，通常稱為超結型功率MOSFET。圖3：內建橫向電場的SuperJunction結構垂直導電N+區夾在兩邊的P區中間，當MOS關斷時，形成兩個反向偏置的PN結：P和垂直導電
2017-08-09 17:45:55
MOSFET的高性能BM2Pxxx系列，可解決AC/DC轉換器設計的課題。BM2Pxxx系列的產品陣容有24種機型。由“封裝”、“內置MOSFET的導通電阻”、“AC電壓過低時保護（BR：欠壓保護）”、“VCC
2018-12-04 10:08:00
低內阻超結MOS NCE08N608A 600V內阻600豪歐封裝TO-220 TO-251TO-252
2012-08-10 16:43:26
應用可能需要一個額定漏源電壓為20 V 的MOSFET，而汽車應用可能需要一個額定漏源電壓為60 V的MOSFET。最大結溫對MOSFET的可靠性很重要，且一定不可超越。這是決定采用哪個MOSFET用于
2018-10-18 09:13:03
目前已在鋰電池充電器中做了實驗，輸出為48V，2A的充電器。效率可達90%。有需要試用的可以發站內信聯系我！基本參數為650V，20A，Rdson160毫歐姆。
2010-12-31 15:00:21
：www.ncepower.com。歡迎大家查看。目前我司已經量產的Super junction有以下幾類：650V 25A/11A/7A/4ATO220/TO247600V 25A/11A/7A/4ATO220
2011-01-05 09:49:53
- STGIPNxH60y, STGIPQxH60y · 超結MOSFET: 3/5 A、600V 內置快速恢復二極管N溝道 MDMesh? DM2 功率MOSFET - STIPQxM60y 從這兩項技術
2018-11-20 10:52:44
CoolMOSCFD/CFD7系列的Qrr比上一代CoolMOS CFD改進了十倍，但CoolSiC的Qrr參數再比CoolMOS CFD/CFD7的Qrr又降低了五到十倍。這意味著，通過使用48mΩCoolSiC
2023-03-14 14:05:02
基于CFD 的汽車外流場數值模擬的發展概述摘要: 介紹了國內外在應用計算流體力學(Calculation Fluid Dynamics) 對車身外流場數值模擬的研究發展狀況。如今, 國外CFD 軟件
2010-03-18 22:20:11
本文重點介紹為電源用高壓超結MOSFET增加晶圓級可配置性的新方法?，F在有一種為高壓超結MOSFET增加晶圓級可配置性的新方法，以幫助解決電源電路問題。MOSFET 在壓擺率、閾值電壓、導通電
2023-02-27 10:02:15
電壓范圍為 250 至 450V?；?b class="flag-6" style="color: red">650V 60mohm SiC MOSFET C3M0060065D工程樣品構建了原型，驗證了設計的性能和熱完整性。該原型展示了 54 W/in3 的功率密度和充電
2023-02-27 09:44:36
半導體陣容的包括用于主逆變器的650 V至1200V IGBT、1200 V SiC二極管、用于充電器的650 V超級結MOSFET、用于48V系統的80 V至200 V極低RDSon（< 1m
2018-10-25 08:53:48
2015年2月全新悄然上市，搭載基于AMD 最新桌面APU A8系列芯片、與技嘉深度合作定制的專屬主板M1M3XAP，尺寸為10cm×10cm，內建 AMD A8-5545M APU 四核心處理器，使用技嘉
2015-03-10 16:56:21
=100 kHz,測試器件：具備相同硅芯片的IPW65R019C7（TO247）和IPZ65R019C7（TO247 4引腳） V.結語 本文分析了快速開關MOSFET封裝寄生電感對開關性能
2018-10-08 15:19:33
采用溝槽型、低導通電阻碳化硅MOSFET芯片的半橋功率模塊系列 產品型號 BMF600R12MCC4 BMF400R12MCC4 汽車級全碳化硅半橋MOSFET模塊Pcore2
2023-02-27 11:55:35
納芯微全新推出120V半橋驅動NSD1224系列產品，該系列產品具備3A/-4A的峰值驅動電流能力，集成 高壓自舉二極管 ，提供使能、互鎖、欠壓保護不同版本，有SOP8、HSOP8、DFN10
2023-06-27 15:14:07
本帖最后由 3T華鉆電子 于 2020-9-22 17:05 編輯
新潔能原廠 NCE65T360F 650V 11A TO-220F 超結場效應管 ，原裝正品，優勢價格。深圳市華鉆電子
2019-12-31 15:08:03
靈動微電子量身定制IoT專用MCU
2021-01-27 07:30:03
。在今年 7 月的 PCIM（電力元件、可再生能源管理展覽會）虛擬展位上，展示了采用CoolSiC?汽車 MOSFET 技術的 EasyPACK?模塊，即 1200V/8mΩ(150A)的半橋模塊
2021-03-27 19:40:16
＜概要＞全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都）推出600V耐壓超級結 MOSFET“PrestoMOS”系列產品，在保持極快反向恢復時間（trr※1））的同時，提高設計靈活度，非常適用于
2020-03-12 10:08:31
＜概要＞全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都）推出600V耐壓超級結 MOSFET“PrestoMOS”系列產品，在保持極快反向恢復時間（trr※1））的同時，提高設計靈活度，非常適用于
2020-03-12 10:08:47
高速公路服務區的重要基礎設施，確保電動汽車在日常駕駛和長途旅行中有地方充電。 安森德ASDsemi SJ MOSFET系列產品，通過優化器件結構設計，采用先進的工藝制造技術，進一步提高了產品性能，具有
2023-06-13 16:30:37
/600v-coolmos-n-channel-power-mosfet/IPW60R041C6/productType.html?productType=db3a304426e7f13b0127f2050dcb45ac 如何才能獲取到這個芯片的中文資料呢？
2020-05-15 05:55:54
從本篇開始，介紹近年來MOSFET中的高耐壓MOSFET的代表超級結MOSFET。功率晶體管的特征與定位首先來看近年來的主要功率晶體管Si-MOSFET、IGBT、SiC-MOSFET的功率與頻率
2018-11-28 14:28:53
的MOSFET設計了一種商標CoolMOS，這種結構從學術上來說，通常稱為超結型功率MOSFET。圖3：內建橫向電場的SuperJunction結構垂直導電N+區夾在兩邊的P區中間，當MOS關斷
2018-10-17 16:43:26
負載供電。 值得一提的是， CoolMOS? E6——作為英飛凌推出的第六代市場領先的高壓超級結功率MOSFET，可以視作英飛凌不斷創新的工匠精神和數年沉淀的行業經驗的集大成之作。作為業內領先的超結
2017-04-12 18:43:19
650V IGBT4，旨在提供更大的設計自由度。這款全新的IGBT4器件具備更好的關斷軟度，并且由于關斷電流變化率di/dt的降低，帶來了更低的關斷電壓尖峰。該器件專門設計用于中高電流應用。相對于
2018-12-07 10:16:11
500V類似于COOLMOS的內部結構，使500V，12A的MOSFET 可封裝在TO-220管殼內，導通電阻為0.35Ω，低于IRFP450的0.4Ω，電流額定值與IRFP450相近。IXYS也有
2023-02-27 11:52:38
摘要新一代CoolMOS? 650V CFD2技術為具備高性能體二極管的高壓功率MOSFET樹立了行業新桿標。該晶體管將650V的擊穿電壓、超低通態電阻、低容性損耗特性與改進反向恢復過程中的體二極管
2018-12-03 13:43:55
（800V）【低噪聲SJ MOSFET：EN系列】R60xxENx系列（600V）R65xxENx系列（650V）*開發中【高速SJ MOSFET：KN系列】R60xxKN系列（600V）R65xxKNx
2018-12-03 14:27:05
Gate Charge (typ. Qg = 13.6nC)? 100% avalanche tested驪微電子供應SSF65R650S2場效應管超結MOS，
2022-04-25 11:21:58
供應士蘭微超結MOS SVSP35NF65P7D3耐壓650V35A ，適用于硬/軟開關拓撲，更多產品手冊、應用料資請向士蘭微MOS管一級代理驪微電子申請。>>
2022-05-18 16:25:36
SVS11N65DD2 650V11A超結大功率mos器件，提供SVS11N65DD2關鍵參數 ，更多產品手冊、應用料資請向士蘭微mos代理驪微電子申請。>>
2022-08-30 16:37:08
SVSP35NF65P7D3 超結MOS管國產35A,650V，適用于硬/軟開關拓撲，更多產品手冊、應用料資請向士蘭微MOS管一級代理驪微電子申請。>>
2022-09-06 14:54:50
SVSP65R041P7HD4 70A，650V 高壓超結mos管，提供SVSP65R041P7HD4關鍵參數 ，更多產品手冊、應用料資請向士蘭微mos代理驪微電子申請。>>
2022-09-19 14:56:39
供應SVS7N65FJD2 7A,650V 超結MOS管國產-士蘭微mos管，適用于硬/軟開關拓撲，照明，適配器等領域，更多產品手冊、應用料資請向士蘭微MOS管一級代理驪微電子申請。>>
2022-11-02 14:34:47
供應無錫士蘭微mos管SVS11N65FJD2 11A,650V高壓超結mos管，適用于硬/軟開關拓撲，照明，適配器等領域，更多產品手冊、應用料資請 向士蘭微MOS管一級代理驪微電子申請。>>
2022-11-02 15:06:39
供應超晶結mos管SVSP11N65DD2 11A,650V ，提供SVSP11N65DD2士蘭微mos管選型pdf關鍵參數 ，更多產品手冊、應用料資請向士蘭微mos代理驪微電子申請。>>
2022-11-02 15:16:07
供應杭州士蘭微mos SVS14N65FJD2超結mos 14A,650V ，適用于硬/軟開關拓撲，照明，適配器等領域，更多產品手冊、應用料資請向士蘭微MOS管一級代理驪微電子申請。>>
2022-11-02 15:40:20
供應600V20A超結MOS士蘭微SVS20N60FJD2，提供士蘭微超結MOS SVS20N60FJD2關鍵參數 ，更多產品手冊、應用料資請向士蘭微mos代理驪微電子申請。>>
2022-11-02 15:51:08
華潤微coolMOS / CRJF390N65GC_TO220F / 650V11A / 390mΩ 現貨供應 CRJF390N65GCSJMOS N-MOSFET 650V
2022-12-16 22:00:21
華潤微coolMOS 現貨供應 CRJF290N65G2_TO220F650V15A240mΩ
2022-12-27 22:15:06
華潤微CRJD380N65G2_TO-252超結MOS 內阻330mΩ 650V12A 華潤華晶coolMOS 現貨供應
2023-01-05 16:09:28
Toshiba推出高性能功率MOSFET TK系列
Toshiba推出新系列的功率MOSFET，這些功率MOSFET改善效率和具有快速開關速度，應用工作電壓高達650V, 電流20A。新的TK系列器件適合用于各
2010-03-30 10:37:181447 英飛凌科技股份公司近日推出全新的650V CoolMOS C6/E6高性能功率MOSFET系列。該產品系列將現代超級結（SJ）器件的優勢（如低導通電阻和低容性開關損耗）與輕松控制的開關行為、及
2010-07-05 08:48:261672 英飛凌新一代CoolMOS CFD2器件具備最低的通態電阻和高達650V的阻斷電壓。這種的器件還具備極低的反向恢復電荷和結實耐用的內置體二極管。數據表規范中將提供全新的Qrr和trr最大值。
2011-02-14 09:04:423956 
英飛凌目前正推出另一項重要的創新型高壓CoolMOS MOSFET。這種全新的650V CoolMOS CFD2是全球首款具備650V漏源電壓并集成快速體二極管的高壓晶體管。
2011-02-16 09:11:171845 英飛凌科技股份有限公司擴展其車用功率半導體系列產品，推出全新 650V CoolMOS CFDA。這是業界首創整合高速本體二極體技術的超接面 MOSFET 解決方案，符合最高的汽車認證標準 AEC-Q101。
2012-04-05 09:31:021458 由lnfineon Technologies (IT)公司推出的COOLMOS ICE2A165／2,65／365系列芯片是PWM+MOSFET二合一芯片，其優點是：用它做開關電源，無需加散熱器，在通用電網即可輸出20～50W 的功率；保護功能齊全
2012-06-20 16:43:40
34 e絡盟日前宣布新增來自全球半導體和系統解決方案領先提供商英飛凌的CoolMOS?與OptiMOS?系列產品，進一步擴充其功率MOSFET產品組合。
2015-03-02 17:37:381390 CIPOS Mini IPM分別為兩相和三相橋接器，集成了Infineon CoolMOS CFD2 650 V功率MOSFET和經過優化的SOI柵極驅動器，擁有出色的電氣性能。
2018-07-03 10:24:00778 最新CoolMOS系列MOSFET獨特的封裝技術，在采用了表面貼裝的ThinPAK后極可實現600伏的電壓。另外，張建浩先生還就使用表面貼裝MOS管提出了建議，即在PCB板上以打孔的方式，實現散熱功能。
2018-06-26 16:48:007652 Infineon公司CoolMOS?系列一直是行業標桿， 從跨時代意義的CoolMOS? C3到升級版的 CoolMOS? C6、 CoolMOS? C7、CoolMOS? P6、 CoolMOS
2018-09-06 15:54:256753 以600V的IPW60R070CFD7為例，我們從下圖顯示的應用測量結果也可以看出，最新的CoolMOS CFD7系列功能在諧振開關拓撲結構中可顯著提高效率。CoolMOS CFD7系列與市場上
2019-09-24 14:22:322579 
650V CoolMOS CFDA功率MOSFET這種全新解決方案兼具快速開關超結MOSFET的所有優點：更高的輕載效率、更低的柵極電荷、更低的開關損耗、更易使用以及卓越可靠性等。
2019-09-25 10:20:429102 
英飛凌宣布推出650V SiC MOSFET，標志著公司進一步增強了在低壓SiC領域的布局，650V CoolSiC MOSFET系列。
2020-05-09 15:07:504267 新款 650 V器件擴展了聲譽卓越的 CoolMOS CFD7 系列的電壓范圍，且為 CoolMOS CFD2 的后繼產品。
2020-10-09 15:28:261168 MathWorks面向汽車應用開發的量身定制工具說明。
2021-05-31 11:26:318 650V 60mΩ SiC MOSFET主要應用市場包括光伏和儲能、驅動、電動汽車及充電樁、UPS、電源等。據HIS報告，電動汽車充電市場的增長將非常強勁，高達59%。
2022-08-02 15:06:55614 
CoolMOS? CFD7 是英飛凌最新具有集成快速體二極管的高壓 superjunction MOSFET 技術，補全了 CoolMOS? 7 系列。
2022-09-30 17:09:321182 上一章基于ROHM的SJ-MOSFET產品陣容，以標準AN系列、低噪聲EN系列、高速KN系列為例介紹了SJ-MOSFET的特征。
2023-02-10 09:41:01401 
繼先后推出成熟化的全系列碳化硅二極管、碳化硅MOSFET以及碳化硅模塊產品后，2023年7月 森國科正式對外推出650V超結MOSFET系列新品 ，相較于傳統的功率MOSFET，SJMOSFET具有
2023-07-20 11:09:16638 
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