納芯微發布首款1200V SiC MOSFET

納芯微推出1200V首款SiC MOSFET NPC060N120A系列產品，該產品RDSon為60mΩ，具有通孔式TO-247-4L與表面貼裝TO-263-7L兩種封裝形式，可提供車規與工規兩種等級。

納芯微的碳化硅MOSFET具有卓越的RDSon溫度穩定性、門極驅動電壓覆蓋度更寬、具備高可靠性，適用于電動汽車(EV) OBC/DCDC、熱管理系統、光伏和儲能系統(ESS)以及不間斷電源(UPS)等領域。

NPC060N120A產品特性

更寬的柵極驅動電壓范圍(-8~22V)

支持+15V，+18V驅動模式(可實現IGBT兼容：+18 V)

+18V模式對下，RDSon可降低20%

更好的RDSon溫度穩定性出色的閾值電壓一致性

Vth在25°C~175°C 的范圍保持在2.0V~2.8V之間

體二極管正向壓降非常低且穩健性高

100%的雪崩測試，從而提高整體的可靠性，抗沖擊能力強

此外，功率產品開發中可靠性驗證與質量控制是納芯微非常重視環節之一。為了提供給客戶更可靠的碳化硅MOSFET產品，在碳化硅芯片生產過程中施行嚴格的質量控制，所有碳化硅產品做到 100% 靜態電參數測試，100%抗雪崩能力測試。此外，會執行比AEC-Q101更加嚴格的測試條件來執行產品可靠性驗證，如下圖：

以執行較為嚴苛的HV-H3TRB為例，在可靠性1000小時測試后，該款產品仍具有比較優異的穩定性。

NPC060N120A產品選型表

納芯微SiC MOSFET命名規則

審核編輯 黃宇