全球知名的連接和電源解決方案供應商Qorvo近日發布了四款采用緊湊型E1B封裝的1200V碳化硅(SiC)模塊。這些模塊包括兩款半橋配置和兩款全橋配置,其導通電阻RDS(on)最低可達9.4mΩ。
這些新推出的SiC模塊專為電動汽車充電站、儲能系統、工業電源和太陽能應用等設計,旨在提供卓越的性能和效率。其中,以9.4mΩ導通電阻的UHB100SC12E1BC3N模塊為例,其采用了Qorvo獨特的共源共柵配置,這一創新設計不僅大幅降低了導通電阻和開關損耗,還顯著提升了整體效率。特別是在軟開關應用中,這一優勢更為明顯。
Qorvo一直以其領先的技術和高質量的產品在行業內享有盛譽。這次推出的四款SiC模塊進一步鞏固了其在高效電源解決方案領域的領導地位。隨著電動汽車和可再生能源市場的快速發展,這些新型SiC模塊有望在未來幾年內成為市場上的熱門選擇。
聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。
舉報投訴
-
SiC
+關注
關注
29文章
2505瀏覽量
61632 -
碳化硅
+關注
關注
25文章
2498瀏覽量
47868 -
Qorvo
+關注
關注
17文章
588瀏覽量
77091
發布評論請先 登錄
相關推薦
Nexperia發布新款1200V碳化硅MOSFET
Nexperia(安世半導體)近日宣布,公司推出了業界領先的1200V碳化硅(SiC)MOSFET,標志著其在高功率半導體領域的又一重要突破。
先導中心推出1200V 100A三電平全碳化硅模塊新品
在成功發布首款1200V 100A H橋全碳化硅模塊后,先導中心再度展現了其技術實力,推出了全新的1200V 100A 三電平全
基本半導體推出一款1200V 240A大功率碳化硅MOSFET半橋模塊
BMF240R12E2G3是基本半導體為更好滿足工業客戶對高效和高功率密度需求而開發的一款1200V 240A大功率碳化硅MOSFET半橋模塊,
瞻芯電子推出一款車規級1200V SiC三相全橋塑封模塊IVTM12080TA1Z
近日,瞻芯電子正式推出一款車規級1200V 碳化硅(SiC)三相全橋塑封模塊IVTM12080TA1Z,該模塊產品及其采用的
安森美1200V碳化硅MOSFET M3S系列設計注意事項和使用技巧
安森美 (onsemi) 1200V碳化硅 (SiC) MOSFET M3S系列專注于提高開關性能,相比于第一代1200V碳化硅MOSFET
碳化硅壓敏電阻 - 氧化鋅 MOV
。碳化硅壓敏電阻的主要特點自我修復。用于空氣/油/SF6 環境??膳渲脼閱蝹€或模塊化組件。極高的載流量。高浪涌能量等級。100% 活性材料??芍貜偷姆蔷€性特性。耐高壓?;旧鲜菬o感的。碳化硅圓盤壓敏電阻每個
發表于 03-08 08:37
Qorvo推出創新緊湊型E1B封裝1200V SiC模塊
Qorvo SiC 電源產品線市場總監 Ramanan Natarajan 表示:“該全新系列中的模塊可以取代多達四個分立式 SiC FET,從而簡化熱機械設計和裝配。
發表于 02-29 12:50
?210次閱讀
意法半導體車規雙列直插碳化硅功率模塊提供多功能封裝配置
充電機(OBC)、 DC/DC直流變壓器、油液泵、空調等汽車系統,產品優點包括高功率密度、設計高度緊湊和裝配簡易等,提供四管全橋、三相六管全橋和圖騰柱三種封裝配置,增強了系統設計靈活性。 ? 新模塊內置
發表于 10-31 15:37
?1467次閱讀
意法半導體發布ACEPACK DMT-32系列車規碳化硅(SiC)功率模塊
泵、空調等汽車系統,產品優點包括高功率密度、設計高度緊湊和裝配簡易等,提供四管全橋、三相六管全橋和圖騰柱三種封裝配置,增強了系統設計靈活性。 ? 新模塊內置1200VSiC功率開關管,
【轉帖】華潤微碳化硅/SiC SBD的優勢及其在Boost PFC中的應用
我國“新基建”的各主要領域中發揮重要作用。
一、 SiC的材料優勢
碳化硅(SiC)作為寬禁帶材料相較于硅(Si)具有很多優勢,如表1所示:3倍的禁帶寬度,有利于
發表于 10-07 10:12
評論