納芯微近期發布了其首款1200V SiC MOSFET產品——NPC060N120A系列,該系列產品的RDSon值低至60mΩ,展現了出色的性能。這款MOSFET提供了兩種封裝形式,包括通孔式的TO-247-4L和表面貼裝的TO-263-7L,以滿足不同應用場景的需求。
納芯微的碳化硅MOSFET以其卓越的RDSon溫度穩定性和更寬的門極驅動電壓覆蓋度而著稱,同時還具備高可靠性,使其在各種應用中都能表現出色。這款新品特別適用于電動汽車的OBC/DCDC系統、熱管理系統、光伏和儲能系統(ESS)以及不間斷電源(UPS)等領域。
NPC060N120A系列的推出,不僅彰顯了納芯微在半導體技術領域的創新實力,也為相關行業提供了更加高效、可靠的解決方案。隨著電動汽車和可再生能源市場的快速發展,納芯微的這一新品有望在未來發揮重要作用。
聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。
舉報投訴
-
MOSFET
+關注
關注
141文章
6606瀏覽量
210309 -
SiC
+關注
關注
28文章
2459瀏覽量
61490 -
納芯微
+關注
關注
1文章
164瀏覽量
13879
發布評論請先 登錄
相關推薦
T-NPC三電平電路的雙脈沖與短路測試
...
1
T-NPC三電平電路的換流方式與雙脈沖測試方法
由于技術的發展和應用的需要,T型三電平應用越來越廣,我們開發了IGBT7 1200V 62mm共發射極模塊,最大規格電流為800A
發表于 05-08 23:11
溝槽當道,平面型SiC MOSFET尚能飯否?
電子發燒友網報道(文/梁浩斌)最近,安森美發布了第二代1200V SiC MOSFET產品。安森美在前代SiC MOSFET產品中,采用M1
瞻芯電子推出一款車規級1200V SiC三相全橋塑封模塊IVTM12080TA1Z
近日,瞻芯電子正式推出一款車規級1200V 碳化硅(SiC)三相全橋塑封模塊IVTM12080TA1Z,該模塊產品及其采用的1200V 80mΩ S
蓉矽半導體1200V SiC MOSFET通過車規級可靠性認證
蓉矽半導體近日宣布,其自主研發的1200V 40mΩ SiC MOSFET產品NC1M120C40HT已順利通過AEC-Q101車規級測試和HV-H3TRB加嚴可靠性考核。這一里程碑式
中瓷電子:國聯萬眾部分1200V SiC MOSFET產品已批量供貨中
據悉,國聯萬眾公司已研發出具備指標性能堪比國外知名廠商的1200V SiC MOSFET產品,部分型號產品已開始供應市場。另一方面,針對比亞迪在內的多方潛在客戶,該公司的電動汽車主驅用大功率M
凌銳半導體正式推出新一代1200V 18毫歐和35毫歐SiC MOS
2023年10月,凌銳半導體正式推出新一代1200V 18毫歐和35毫歐的SiC MOS。產品性能優異,開關損耗更低、柵氧質量更好、而且兼容15V和18V驅動,能夠滿足高可靠性、高性能的應用需求。
一周新品推薦:ODU MEDI-SNAP連接器和安森美1200V M3S系列SiC MOSFET
DigiKey?Daily? 短視頻 本期DigiKeyDaily 向大家推薦兩款產品—— ODU MEDI-SNAP 連接器和安森美1200V M3S系列SiC MOSFET 1 產
具有溫度不變勢壘高度和理想因數的GeneSiC 1200V SiC肖特基二極管
本產品說明展示了接近理論的理想因素和勢壘高度GeneSiC的1200V SiC肖特基二極管,設計用于工作溫度> 225°C主要應用于井下石油鉆井、航空航天和電動汽車。溫度理想因子
發表于 06-16 06:15
評論