國產碳化硅功率器件領先品牌派恩杰半導體PCIM Asia 2023亮點回顧

8月29日-31日，上海國際電力元件、可再生能源管理展覽會（簡稱PCIM Asia）在上海新國際博覽中心W2館圓滿舉行。作為領先亞洲的電力電子展會，本屆展會匯聚了 181 家參展企業，在12,000平方米的展覽范圍中展示了各項創新技術。

派恩杰作為國產碳化硅功率器件領先品牌，受展會主辦方邀請攜高壓SJ功率MOSFET、650V氮化鎵晶圓&器件、200kW逆變器，SiC器件&模塊以及評估板等產品重磅亮相，在上海新國際博覽中心W2-F02展位，全面展示了派恩杰面向新能源產業的最新技術及穩定可靠的功率半導體器件，現場引起行業專家及新能源領域專業人士的熱烈反響。

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現場盛況直擊，派恩杰展臺火熱

展會現場，派恩杰展位門庭若市，眾多半導體、新能源行業專家齊聚展臺，從高壓SJ功率MOSFET，到面向新能源汽車領域的HPD模塊，無不受到業界熱捧，一經展出便收獲了行業廣泛關注和咨詢。

公司自主研發的1200V，400A，HPD封裝三相全橋碳化硅功率模塊PAAC12400CM、Easy系列碳化硅模塊、超級結MOSFET P1S06027BD等產品受到行業客戶伙伴的高度關注，吸引了眾多觀眾駐足。

派恩杰系列產品主要面向新能源產業，量產產品已在電動汽車、IT設備電源、光伏逆變器、儲能系統、工業應用等領域廣泛使用，為各個應用領域頭部客戶持續穩定供貨，且產品質量與供應能力得到客戶的廣泛認可。

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行業創新技術，強勢賦能新能源賽道

此次亮相，派恩杰向觀眾展示了最新的超級結MOSFET P1S06027BD。派恩杰的P1S06027BD基于硅的650V高壓SJ功率MOSFET，可滿足電動汽車應用例如車載充電器，HV-LV DC-DC轉換器，和輔助電源等。得益于本身碳化硅器件在電動汽車領域的應用，硅高壓SJ功率MOSFET可以在系統中配合使用，并提供高可靠性，設計的靈活性和可擴張性。后期派恩杰將推出更多型號和不同應用方向的高壓SJ功率MOSFET。

同時，針對電動汽車電驅系統，派恩杰也推出一款1200V，400A，HPD封裝的三相全橋碳化硅功率模塊。相比于傳統的IGBT功率模塊，該產品的開關損耗和導通損耗大幅度降低，可以顯著提高電驅系統的輕載效率，大幅提高電動汽車的續航里程。同時，該產品采用PinFin基板，具有超強的散熱性能，可以極大地簡化電驅系統的機械設計。派恩杰HPD模塊是專門為800V電機驅動系統開發，滿足車規級要求。

此外，派恩杰攜帶的650V氮化鎵晶圓以及貼片封裝器件也廣受好評。氮化鎵材料的具有極低的熱產生率和極高的擊穿場強，基于氮化鎵的功率器件GaN HEMT具有極小的導通壓降和開關損耗，可將開關電源的開關頻率推高至1MHz 以上，大幅減小儲能元件的體積，實現極高的功率密度。因此，GaN HEMT在消費電子和IT電源領域有廣泛的應用。

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派恩杰致力于碳化硅功率器件國產替代，專注于技術創新和產品研發。我們將持續為新能源賽道賦能，助力客戶步履更穩，行的更遠。未來我們也希望能夠和業內更多同仁進行多方位的技術交流并保持友好合作。敬請期待！

第三代寬禁帶半導體材料前沿技術探討交流平臺，幫助工程師了解SiC/GaN全球技術發展趨勢。所有內容都是SiC/GaN功率器件供應商派恩杰半導體創始人黃興博士和派恩杰工程師原創。

黃興博士

派恩杰 總裁 &技術總監

師承IGBT發明者Dr. B.Jayant Baliga與發射極關斷晶閘管發明者Dr.Alex Q.Huang。2018年創建派恩杰半導體(杭州)有限公司，領導派恩杰成為全球第一家量產元胞尺寸小于5μm的平面柵碳化硅MOSFET供應商，獲得國際新能源龍頭企業認可并收獲直供訂單，完成數億元融資。黃興博士著有10余篇科技論文，超350次引用，并擁有40余項專利，是碳化硅研發及應用領域的資深專家。

派恩杰半導體

成立于2018年9月的第三代半導體功率器件設計和方案商，國際標準委員會JC-70會議的主要成員之一，參與制定寬禁帶半導體功率器件國際標準。發布了100余款650V/1200V/1700V SiC SBD、SiC MOSFET、GaN HEMT功率器件，其中SiC MOSFET芯片已大規模導入國產新能源整車廠和Tier 1，其余產品廣泛用于大數據中心、超級計算與區塊鏈、5G通信基站、儲能/充電樁、微型光伏、城際高速鐵路和城際軌道交通、家用電器以及特高壓、航空航天、工業特種電源、UPS、電機驅動等領域。