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電子發燒友網>汽車電子>基本半導體碳化硅功率模塊裝車測試發車儀式在深圳舉行

基本半導體碳化硅功率模塊裝車測試發車儀式在深圳舉行

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2023-04-21 14:14:372437

激光在碳化硅半導體晶圓制程中的應用

本文介紹了激光在碳化硅(SiC)半導體晶圓制程中的應用,概括講述了激光與碳化硅相互作用的機理,并重點對碳化硅晶圓激光標記、背金激光表切去除、晶粒隱切分片的應用進行了介紹。
2023-04-23 09:58:27712

意法半導體供應超千萬顆碳化硅器件

意法半導體(ST)宣布與采埃孚科技集團公司(ZF)簽署碳化硅器件長期供應協議。從 2025 年起,采埃孚將從意法半導體采購碳化硅器件。
2023-04-26 10:18:51931

基本半導體碳化硅MOSFET新品亮相SNEC國際光伏展

? 5月, SNEC第十六屆(2023)國際太陽能光伏與智慧能源大會 在上海新國際博覽中心重磅舉行?;?b class="flag-6" style="color: red">半導體攜旗下 第二代碳化硅MOSFET系列新品 ,以及全系 汽車級碳化硅功率模塊 、 碳化硅
2023-05-30 16:33:36502

碳化硅功率模組有哪些

碳化硅功率模組有哪些 碳化硅功率器件系列研報深受眾多專業讀者喜愛,本期為番外篇,前五期主要介紹了碳化硅功率器件產業鏈的上中下游,本篇將深入了解碳化硅功率器件的應用市場,以及未來的發展趨勢,感謝各位
2023-05-31 09:43:20390

碳化硅MOSFET什么意思

碳化硅MOSFET什么意思 碳化硅MOSFET是一種新型的功率半導體器件,其中"MOSFET"表示金屬氧化物半導體場效應晶體管,"碳化硅"指的是其材料。碳化硅
2023-06-02 15:33:151182

碳化硅肖特基二極管的原理及應用

碳化硅肖特基二極管是一種基于碳化硅材料的半導體器件,具有高速、高溫、高功率特性。其原理基于肖特基效應,即在金屬與半導體接觸處形成一個肖特基勢壘,使得半導體中的載流子向金屬一側偏移,形成整流效應。
2023-06-07 17:10:34802

陸芯精密切割之半導體碳化硅應用領域

1、半導體照明領域以碳化硅為基板的LED在此期間具有更高的亮度、更低的能耗、更長的壽命、更小的單位芯片面積,在大功率LED中具有很大的優勢。2.各種電機系統在5kV以上的高壓應用中,半導體碳化硅功率
2021-12-07 10:36:02546

碳化硅功率器件測試

碳化硅功率半導體器件具有耐壓高、熱穩定好、開關損耗低、功率密度高等特點,被廣泛應用在電動汽車、風能發電、光伏發電等新能源領域。近年來,全球半導體功率器件的制造環節以較快速度向我國轉移。目前,我國
2023-05-15 10:04:53804

碳化硅功率器件的基本原理、特點和優勢

碳化硅(SiC)功率器件是一種基于碳化硅材料的半導體器件,具有許多優勢和廣泛的應用前景。
2023-06-28 09:58:092320

羅姆收購Solar Frontier碳化硅工廠 計劃到2027碳化硅功率半導體業務達139億

羅姆收購Solar Frontier碳化硅工廠 計劃到2027碳化硅功率半導體業務達139億 羅姆一直看好碳化硅功率半導體的發展,一直在積極布局碳化硅業務。羅姆計劃到2025年拿下碳化硅市場30
2023-07-19 19:37:01724

碳化硅是如何制造的?碳化硅的優勢和應用

碳化硅,也稱為SiC,是一種由純硅和純碳組成的半導體基礎材料。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導體,或將其與鈹,硼,鋁或鎵摻雜以形成p型半導體。雖然碳化硅存在許多品種和純度,但半導體級質量的碳化硅僅在過去幾十年中浮出水面以供使用。
2023-07-28 10:57:451094

第三代寬禁帶半導體碳化硅功率器件的應用

SiC器件是一種新型的硅基MOSFET,特別是SiC功率器件具有更高的開關速度和更寬的輸出頻率。SiC功率芯片主要由MOSFET和PN結組成。 在眾多的半導體器件中,碳化硅材料具有低熱導率、高擊穿
2023-09-26 16:42:29344

碳化硅功率器件的結構和工作原理

碳化硅功率器件是一種利用碳化硅材料制作的功率半導體器件,具有高溫、高頻、高效等優點,被廣泛應用于電力電子、新能源等領域。下面介紹一些碳化硅功率器件的基礎知識。
2023-09-28 18:19:571220

碳化硅功率器件的產品定位

碳化硅(SiC)功率器件是由硅和碳制成的半導體,用于制造電動汽車、電源、電機控制電路和逆變器等高壓應用的功率器件。
2023-10-17 09:43:16169

三安光電8英寸碳化硅量產加速!

業內人士預測,今年將成為8英寸碳化硅器件的元年。國際功率半導體巨頭Wolfspeed和意法半導體等公司正在加速推進8英寸碳化硅技術。在國內市場方面,碳化硅設備、襯底和外延領域也有突破性進展,多家行業龍頭選擇與國際功率半導體巨頭合作。
2023-10-24 17:11:21970

汽車缺“芯”,這是碳化硅功率半導體“上車”的關鍵

目前汽車業仍結構性缺芯,比如,電源類、控制類、通信類、計算類、功率類的芯片均緊缺。像碳化硅芯片項目投資建設期需18-24個月,去年有許多碳化硅項目的投資,要2025年才會釋放產能,預計2025年碳化硅功率半導體的緊缺狀況才會得到緩解。
2023-11-17 17:12:18664

基本半導體功率半導體碳化硅時代

目前,全球碳化硅產業處于快速發展階段。據市場研究機構預測,未來幾年碳化硅市場將保持高速增長態勢。根據公開信息統計,2022年全球碳化硅市場份額約為18億美元,該數據包括多家上市公司,如意法半導體、英飛凌、Wolfspeed和安森美羅姆等。
2023-12-06 17:17:37603

碳化硅是如何制造的?碳化硅的優點和應用

碳化硅,又稱SiC,是一種由純硅和純碳組成的半導體基材。您可以將SiC與氮或磷摻雜以形成n型半導體,或將其與鈹、硼、鋁或鎵摻雜以形成p型半導體。雖然碳化硅的品種和純度很多,但半導體級質量的碳化硅只是在過去幾十年中才浮出水面。
2023-12-08 09:49:23438

碳化硅三極管的阻值測試方法

碳化硅三極管的阻值測試方法? 碳化硅是一種新型的半導體材料,具有優異的熱穩定性、高電場飽和漂移速度和較小的漏電流等特點,在高功率和高溫應用中具有廣泛的應用前景。碳化硅三極管是基于碳化硅材料制造的一種
2023-12-21 11:27:20318

氮化鎵半導體碳化硅半導體的區別

氮化鎵半導體碳化硅半導體是兩種主要的寬禁帶半導體材料,在諸多方面都有明顯的區別。本文將詳盡、詳實、細致地比較這兩種材料的物理特性、制備方法、電學性能以及應用領域等方面的差異。 一、物理特性: 氮化
2023-12-27 14:54:18331

碳化硅功率器件簡介、優勢和應用

碳化硅(SiC)是一種優良的寬禁帶半導體材料,具有高擊穿電場、高熱導率、低介電常數等特點,因此在高溫、高頻、大功率應用領域具有顯著優勢。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的電力電子器件,主要包括
2024-01-09 09:26:49382

碳化硅相對傳統硅半導體有什么有缺點

碳化硅(SiC)和傳統硅半導體(Si)是兩種常見的半導體材料,它們在電子器件制造中具有廣泛的應用。然而,碳化硅相對于傳統硅半導體具有一定的優缺點。 優點: 更高的熱導率:碳化硅的熱導率是傳統硅半導體
2024-01-10 14:26:52236

碳化硅特色工藝模塊簡介

碳化硅(SiC)是一種寬禁帶半導體材料,具有高熱導率、高擊穿場強、高飽和電子漂移速率和高鍵合能等優點。由于這些優異的性能,碳化硅在電力電子、微波射頻、光電子等領域具有廣泛的應用前景。然而,由于碳化硅
2024-01-11 17:33:14294

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