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      電子發燒友網>模擬技術>碳化硅功率器件的基本原理、特點和優勢

      碳化硅功率器件的基本原理、特點和優勢

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      7.4結勢壘肖特基（JBS）二極管與混合pin肖特基（MPS）二極管第７章單極型和雙極型功率二極管《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：7.3.4電流-電壓關系∈《碳化硅技術
      2022-02-15 11:20:412353

      7.1.1 阻斷電壓∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

      7.1.1阻斷電壓7.1SiC功率開關器件簡介第７章單極型和雙極型功率二極管《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.5總結∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件
      2022-02-07 16:12:08568

      8.2.6 功率MOSFET 的實施：DMOSFET和UMOSFET∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

      8.2.6功率MOSFET的實施：DMOSFET和UMOSFET8.2金屬-氧化物-半導體場效應晶體管(MOSFET)第８章單極型功率開關器件《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內
      2022-02-28 11:20:021054

      6.3.5.5 界面的不穩定性∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

      6.3.5.5界面的不穩定性6.3.5氧化硅/SiC界面特性及其改進方法6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.3.5.4
      2022-01-19 09:16:10482

      6.3.4.6 C-Ψs方法∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

      6.3.4.6C-Ψs方法6.3.4電學表征技術及其局限性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.3.4.5高低頻方法
      2022-01-10 14:04:39631

      6.3.4.7 電導法∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

      6.3.4.7電導法6.3.4電學表征技術及其局限性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.3.4.6C-Ψs方法
      2022-01-12 10:44:27394

      8.2.7 DMOSFET的先進設計∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

      8.2.7DMOSFET的先進設計8.2金屬-氧化物-半導體場效應晶體管(MOSFET)第８章單極型功率開關器件《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：8.2.6功率MOSFET
      2022-02-28 10:46:39321

      7.1.2 單極型功率器件優值系數∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

      7.1.2單極型功率器件優值系數7.1SiC功率開關器件簡介第７章單極型和雙極型功率二極管《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：7.1.1阻斷電壓∈《碳化硅技術基本原理——生長
      2022-02-07 15:01:28396

      6.4.1.2 SiC上的肖特基接觸∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

      6.4.1.2SiC上的肖特基接觸6.4.1n型和p型SiC的肖特基接觸6.4金屬化第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.4.1.1基本原理∈《碳化硅技術
      2022-01-24 10:22:28480

      8.2.3 MOSFET電流-電壓關系∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

      8.2.3MOSFET電流-電壓關系8.2金屬-氧化物-半導體場效應晶體管(MOSFET)第８章單極型功率開關器件《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：8.2.2分裂準費米能級
      2022-02-24 10:08:25466

      6.3.4.1 SiC特有的基本現象∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

      6.3.4.1SiC特有的基本現象6.3.4電學表征技術及其局限性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.3.3熱氧化氧化硅
      2022-01-05 13:59:37493

      8.2.10.2 反型層遷移率的器件相關定義∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

      8.2.10.2反型層遷移率的器件相關定義8.2.10反型層電子遷移率8.2金屬-氧化物-半導體場效應晶體管(MOSFET)第８章單極型功率開關器件《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件
      2022-03-04 10:19:46276

      6.1.6 離子注入及后續退火過程中的缺陷行成∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

      6.1.6離子注入及后續退火過程中的缺陷行成6.1離子注入第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.1.5高溫退火和表面粗糙化∈《碳化硅技術基本原理——生長
      2021-12-31 14:13:05466

      6.4.2.1 基本原理∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

      6.4.2.1基本原理6.4.2n型和p型SiC的歐姆接觸6.4金屬化第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.4.1.2SiC上的肖特基接觸∈《碳化硅技術
      2022-01-24 10:09:121034

      6.1.5 高溫退火和表面粗糙化∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

      6.1.5高溫退火和表面粗糙化6.1離子注入第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.1.4半絕緣區域的離子注入∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件
      2021-12-31 14:25:52549

      開關模式直流-直流變換器∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

      11.2.2開關模式直流-直流變換器11.2基本的功率變換電路第11章碳化硅器件在電力系統中的應用《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》代理產品線：1、國產AGMCPLD、FPGAPtP
      2022-04-15 16:32:32269

      7.3 pn與pin結型二極管∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

      7.3pn與pin結型二極管第７章單極型和雙極型功率二極管《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：7.2肖特基勢磊二極管（SBD）∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件
      2022-02-10 09:18:15614

      8.1.4 比通態電阻∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

      8.1.4比通態電阻8.1結型場效應晶體管(JFET)第８章單極型功率開關器件《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：8.1.3飽和漏極電壓∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征
      2022-02-20 16:16:46636

      6.2.1 反應性離子刻蝕∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

      6.2.1反應性離子刻蝕6.2刻蝕第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.1.6離子注入及后續退火過程中的缺陷行成∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件
      2021-12-31 10:57:22817

      6.3.4.8 其他方法∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

      6.3.4.8其他方法6.3.4電學表征技術及其局限性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.3.4.7電導法∈《碳化硅
      2022-01-11 17:26:05445

      6.4.2.2 n型SiC的歐姆接觸∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

      6.4.2.2n型SiC的歐姆接觸6.4.2n型和p型SiC的歐姆接觸6.4金屬化第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.4.2.1基本原理∈《碳化硅技術
      2022-01-25 09:18:08743

      7.3.1 大注入與雙極擴散方程∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

      7.3.1大注入與雙極擴散方程7.3pn與pin結型二極管第７章單極型和雙極型功率二極管《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：7.3pn與pin結型二極管∈《碳化硅技術基本原理
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      8.1 結型場效應晶體管(JFET)∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

      8.1.1夾斷電壓8.1結型場效應晶體管(JFET)第８章單極型功率開關器件《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：7.4結勢壘肖特基（JBS）二極管與混合pin肖特基（MPS
      2022-02-16 09:43:48325

      6.2.2 高溫氣體刻蝕∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

      6.2.2高溫氣體刻蝕6.2刻蝕第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.2.1反應性離子刻蝕∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》6.1.6
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      8.1.5 增強型和耗盡型工作模式∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

      8.1.5增強型和耗盡型工作模式8.1結型場效應晶體管(JFET)第８章單極型功率開關器件《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：8.1.4比通態電阻∈《碳化硅技術基本原理——生長
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      開關模式逆變器∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

      11.2.3開關模式逆變器11.2基本的功率變換電路第11章碳化硅器件在電力系統中的應用《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》代理產品線：1、國產AGMCPLD、FPGAPtP替代
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      8.2.8UMOS的先進設計8.2金屬-氧化物-半導體場效應晶體管(MOSFET)第８章單極型功率開關器件《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：8.2.7DMOSFET的先進
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      8.1.6 功率JFET器件的實現∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

      8.1.6功率JFET器件的實現8.1結型場效應晶體管(JFET)第８章單極型功率開關器件《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：8.1.5增強型和耗盡型工作模式∈《碳化硅技術
      2022-02-21 09:29:28537

      6.3.4.2 MOS電容等效電路∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

      6.3.4.2MOS電容等效電路6.3.4電學表征技術及其局限性6.3氧化及氧化硅/SiC界面特性第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.3.4.1SiC
      2022-01-07 14:24:25420

      5.3.2.1 壽命控制∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

      5.3.2.1壽命控制5.3.1SiC中的主要深能級缺陷5.3SiC中的點缺陷第５章碳化硅的缺陷及表征技術《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：5.3.2載流子壽命“殺手
      2022-01-06 09:38:25510

      5.3.2 載流子壽命“殺手”∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

      5.3.2載流子壽命“殺手”5.3.1SiC中的主要深能級缺陷5.3SiC中的點缺陷第５章碳化硅的缺陷及表征技術《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：5.3.1.2雜質∈《碳化硅
      2022-01-06 09:37:40535

      8.2.4 飽和漏極電壓∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

      8.2.4飽和漏極電壓8.2金屬-氧化物-半導體場效應晶體管(MOSFET)第８章單極型功率開關器件《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：8.2.3MOSFET電流-電壓關系
      2022-02-25 09:29:27469

      5.3.1.2 雜質∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

      5.3.1.2雜質5.3.1SiC中的主要深能級缺陷5.3SiC中的點缺陷第５章碳化硅的缺陷及表征技術《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：5.3.1.1本征缺陷∈《碳化硅技術
      2022-01-06 09:30:23552

      5.3.1.1 本征缺陷∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

      5.3.1.1本征缺陷5.3.1SiC中的主要深能級缺陷5.3SiC中的點缺陷第５章碳化硅的缺陷及表征技術《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：5.2.3擴展缺陷對SiC器件性能
      2022-01-06 09:27:16693

      6.4.2.3 p型SiC的歐姆接觸∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

      6.4.2.3p型SiC的歐姆接觸6.4.2n型和p型SiC的歐姆接觸6.4金屬化第６章碳化硅器件工藝《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：6.4.2.2n型SiC的歐姆接觸
      2022-01-26 10:08:16636

      5.2.3 擴展缺陷對SiC器件性能的影響∈《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》

      5.2.3擴展缺陷對SiC器件性能的影響5.2SiC的擴展缺陷第５章碳化硅的缺陷及表征技術《碳化硅技術基本原理——生長、表征、器件和應用》往期內容：5.2.1SiC主要的擴展缺陷&5.2.2
      2022-01-06 09:25:55621

      碳化硅功率器件的基本原理及優勢

      汽車領域中得到了廣泛的應用。本文將從AD820ARZ碳化硅功率器件的基本原理、優勢及應用等方面進行分析。 一、碳化硅功率器件的基本原理 碳化硅功率器件是由碳化硅材料制成的半導體器件，它的工作原理與傳統的硅功率器件基本相同，
      2023-09-05 09:04:421880

      碳化硅功率器件的特點和應用現狀

      ，因此在電動汽車、風力發電、軌道交通等領域得到了廣泛應用。本文將對碳化硅功率器件的原理、特點、應用現狀、挑戰以及未來發展趨勢進行詳細介紹。
      2023-12-14 09:14:46241

      碳化硅功率器件的基本原理、應用領域及發展前景

      隨著電力電子技術的不斷發展，碳化硅（SiC）功率器件作為一種新型的半導體材料，逐漸在電力電子領域嶄露頭角。與傳統的硅功率器件相比，碳化硅功率器件具有高導熱率和高電子飽和遷移率，使得碳化硅功率器件具有高效率、高功率密度、高可靠性等優點。本文將介紹碳化硅功率器件的基本原理、應用領域以及發展前景。
      2023-12-21 09:43:38353

      碳化硅功率器件的實用性不及硅基功率器件嗎

      碳化硅功率器件的實用性不及硅基功率器件嗎? 碳化硅功率器件相較于傳統的硅基功率器件具有許多優勢，主要體現在以下幾個方面：材料特性、功率密度、溫度特性和開關速度等。盡管碳化硅功率器件還存在一些挑戰
      2023-12-21 11:27:09286

      碳化硅功率器件的優勢應及發展趨勢

      隨著科技的不斷進步，碳化硅（SiC）作為一種新型的半導體材料，在功率器件領域的應用越來越廣泛。碳化硅功率器件在未來具有很大的發展潛力，將在多個領域展現出顯著的優勢。本文將介紹未來碳化硅功率器件的優勢
      2024-01-06 14:15:03353

      碳化硅功率器件簡介、優勢和應用

      碳化硅（SiC）是一種優良的寬禁帶半導體材料，具有高擊穿電場、高熱導率、低介電常數等特點，因此在高溫、高頻、大功率應用領域具有顯著優勢。碳化硅功率器件是利用碳化硅材料制成的電力電子器件，主要包括
      2024-01-09 09:26:49379

      簡單認識碳化硅功率器件

      隨著能源危機和環境污染日益加劇，電力電子技術在能源轉換、電機驅動、智能電網等領域的應用日益廣泛。碳化硅（SiC）功率器件作為第三代半導體材料的代表，具有高溫、高速、高效、高可靠性等優點，被譽為“未來電力電子的新星”。本文將詳細介紹碳化硅功率器件的基本原理、性能優勢、應用領域以及未來發展趨勢。
      2024-02-21 09:27:13210

      碳化硅功率器件的特點和應用

      隨著全球能源危機和環境問題的日益突出，高效、環保、節能的電力電子技術成為了當今研究的熱點。在這一領域，碳化硅（SiC）功率器件憑借其出色的物理性能和電學特性，正在逐步取代傳統的硅基功率器件，引領著電力電子技術的發展方向。本文將詳細介紹碳化硅功率器件的特點、優勢、應用以及面臨的挑戰和未來的發展趨勢。
      2024-02-22 09:19:21170

      碳化硅功率器件的基本原理、性能優勢、應用領域

      碳化硅功率器件主要包括碳化硅二極管（SiC Diode）、碳化硅晶體管（SiC Transistor）等。這些器件通過利用碳化硅材料的優良特性，可以在更高的溫度和電壓下工作，實現更高的功率密度和效率。
      2024-02-29 14:23:24125

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