碳化硅功率器件時代來臨,基本半導體亮相PCIMAsia

　　日前，致力于碳化硅功率器件技術創新的深圳基本半導體有限公司（以下簡稱基本半導體）成功參展2017國際電力電子元件、可再生能源管理展覽會（PCIM Asia）。這是基本半導體首次亮相PCIM Asia，同期展出了自主研發的碳化硅功率器件產品，倍受行業人士關注。

　　碳化硅器件具有低損耗、高頻率等性能優勢，特別適用于電動汽車、軌道交通、光伏逆變器、UPS電源、智能電網、航空航天等應用領域，具有極大的發展潛力及廣闊的市場空間，其創新技術和研究成果是今年PCIM Asia的關注熱點。

　　基本半導體由瑞典碳化硅領軍企業Ascatron AB和國內IGBT驅動領域領先品牌青銅劍科技聯合創立，整合海外先進技術和國內市場資源，推動碳化硅器件在國內的產業化。

　　基本半導體的碳化硅JBS二極管采用先進刻蝕結合二次外延的3D SiC?技術，形成嵌入式的P型摻雜區，該技術可使器件具有低導通壓降和低反向漏電流的特點。同時3D SiC?技術有利于簡化器件設計要求，可廣泛應用于多個電壓電流等級以及各器件類型。

　　目前基本半導體已成功開發出了1200V、1700V電壓等級的標準及高溫系列碳化硅JBS二極管，該系列產品具有反向漏電流極低（25℃反向漏電流小于1μA，175℃反向漏電流小于5μA）、抗浪涌電流能力強、總存儲電荷低的特點，可極大降低開關損耗，有利于提高系統效率和功率密度，滿足各行業應用需求。

　　基本半導體碳化硅JBS產品列表

　　基本半導體在展會展出的基于6英寸晶圓的1200V/20A JBS碳化硅二極管各項指標已達到國際領先水平；1200V平面柵碳化硅MOSFET 5A、10A、20A已完成樣品評估，溝槽柵MOSFET已完成工藝設計，樣品即將完成；另外10kV/2A SiC PiN二極管已實現量產。

　　基本半導體始終專注技術創新，以客戶需求為導向，不斷開發性能優越的碳化硅功率器件，助力半導體行業快速發展。

　　關于基本半導體：

　　深圳基本半導體有限公司（BASiC Semiconductor Ltd.）由瑞典碳化硅領軍企業Ascatron AB聯合青銅劍科技聯合打造，并與深圳清華大學研究院共建“第三代半導體材料與器件研究中心”，從事碳化硅功率器件的研發與產業化。

　　基本半導體通過引進由海歸人才和外籍專家組成的高層次創新團隊，對碳化硅器件的材料制備、芯片設計、制造工藝、封裝測試、驅動應用等各方面進行研發，覆蓋產業鏈各個環節，建立了一支國際一流的研發和產業化團隊。

　　基本半導體立志于整合海外創新技術與國內產業資源，打破國外技術壟斷，把基本半導體打造成為行業領軍企業，實現中國在第三代半導體領域的彎道超車。