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標簽 > CMOS反相器

CMOS反相器

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  CMOS反相器由一個P溝道增強型MOS管和一個N溝道增強型MOS管串聯組成。通常P溝道管作為負載管,N溝道管作為輸入管。這種配置可以大幅降低功耗,因為在兩種邏輯狀態中,兩個晶體管中的一個總是截止的。處理速率也能得到很好的提高,因為與NMOS型和PMOS型反相器相比,CMOS反相器的電阻相對較低。

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CMOS反相器簡介

 ?。?) 靜態功耗極低。在穩定時,CMOS反相器工作在工作區Ⅰ和工作區Ⅴ,總有一個MOS管處于截止狀態,流過的電流為極小的漏電流。

 ?。?) 抗干擾能力較強。由于其閾值電平近似為0.5VDD,輸入信號變化時,過渡變化陡峭,所以低電平噪聲容限和高電平噪聲容限近似相等,且隨電源電壓升高,抗干擾能力增強。

 ?。?) 電源利用率高。VOH=VDD,同時由于閾值電壓隨VDD變化而變化,所以允許VDD有較寬的變化范圍,一般為+3~+18V。

 ?。?) 輸入阻抗高,帶負載能力強。

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