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標簽 > 硅二極管
硅二極管死區電壓約0.5伏,鍺的0.1伏,正向壓降硅0.6~0.7伏,鍺0.2~0.3伏,硅反向電流小,耐壓高,鍺相反。
硅二極管與鍺二極管的區別主要如下:在電流相同時,鍺管的直流電阻小于硅管的直流電阻。而硅管的交流電阻小于鍺管的交流電阻。根據實驗研究,鍺二極管正向在0.2V就開始有電流了,而硅二極管要到0.5V才開始有電流,也就是說兩者達到導通的起始電壓不同。在反向電壓下,硅管的漏電流要比鍺管的漏電流小得多。開始導通后,鍺管電流增大速度較慢,硅管電流增大速度相對較快。
當反向電壓降低到硅二極管的死區電壓以下時(約為0.5-1V),硅二極管基本上是不導電的。當反向電流通過硅二極管時,電子將被彈回p區域,離開空間電荷區域。...
鍺二極管和硅二極管的主要區別在于其特性參數不同,鍺二極管的放大增益更高,但其截止頻率更低,而硅二極管的放大增益更低,但其截止頻率更高。
二極管反向截止的條件是什么?? 二極管反向截止是指在一定的電壓條件下,二極管內部的電流無法流動,電流被完全阻斷的狀態。這種狀態是二極管的一種基本性質,也...
為什么硅二極管的死區電壓比鍺二極管的死區電壓大?? 硅二極管和鍺二極管是電子學中非常常見的兩種二極管。二極管的死區電壓是指當二極管處于反向偏置狀態時,為...
1948年6月26日,貝爾實驗室申請了肖克利發明的雙極型晶體管的專利,這是他一次在會議上感到無聊時偶然迸發的非凡設想。1949年4月7日,貝爾實驗室的G...
超高效率600V H系列整流器擴展硅二極管性能 為協助電源廠商以更低成本克服高性能系統的各種挑戰, Qspeed半導體公司推出H系列組件Qspeed...
Qspeed硅二極管能協助克服高成本、低性能的電源設計挑戰 基于項目的各種限制約束,設計人員在元器件選型過程通常會作出這樣或那樣的折衷。譬如,在設計一個電源
硅和鍺兩種二極管的特性曲線差異 1) 硅二極管反向電流比鍺二極管反向電流小的多,鍺管為mA級,硅管為nA級。這是因為在相同溫度下鍺的ni比硅的ni要
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