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存儲技術

國產半導體大廠宣布,Trench MOS產品線單價上調5%-...

據國內Nor代工巨頭消息,其產線已經轉生產CIS,Nor產能已緊張,這會不會成為Norflash漲價的前戲?

2024-01-17 標簽:NANDCISDDR4NORFlashDDR5 278

LLW DRAM:AI智能手機時代的財富密碼

LLW DRAM作為一種低功耗內存,擁有寬I/O、低延遲、每個模塊/堆棧提供了128GB/s的帶寬,與一個128位DDR5-8000內存子系統的帶寬相同。

2024-01-17 標簽:智能手機DRAM片上系統AI三星 223

AI算力驅動:HBM成為行業新寵

HBM(High Bandwidth Memory,高頻寬存儲器)是一種基于3D堆棧工藝的高性能DRAM,通俗來講,就是先將很多DDR芯片堆疊在一起后,再與GPU封裝在一塊。

2024-01-17 標簽:DRAM存儲器AIHBM算力 229

康芯威亮相CES 2024 多元化存儲解決方案大放異彩

當地時間2024年1月12日,CES (國際消費類電子產品展)在美國拉斯維加斯完美謝幕,為期4天的科技盛宴吸引了全球4000余家科技企業參展,中國企業在其中的占比也逐年遞增。 作為科技行業的“風向標”,本屆CES的展品覆蓋消費電子、AI、元宇宙、5G、汽車電子等數十個細分領域,讓觀眾全面洞悉未來科技發展新貌。其中5G、AI、云計算等技術快速發展,也使得如今對存儲產品的需求不可同日而語,也給存儲產業帶來更大的發展機遇,亦是我國加速建設本土

2024-01-16 標簽:康芯威 214

SK海力士:挑戰美國限制,推進中國半導體技術升級

無錫工廠是SK海力士的核心生產基地,其產量約占公司DRAM總產量的40%。目前,無錫工廠正在生產兩款較舊的10納米DRAM。

2024-01-16 標簽:DRAM半導體制造SK海力士 170

三星電子轉型之路:應對挑戰,聚焦超級差距技術

三星電子現在的目標是在新興的高密度存儲芯片領域趕上競爭對手,計劃到2024年將容量提高2.5倍。HBM是一種能夠更快地處理數據的先進芯片,可與硬件配合使用,例如英偉達的加速器,用于加速訓練AI模型等密集任務的數據處理。

2024-01-12 標簽:DRAM三星電子人工智能數據處理存儲芯片 173

三星財報:存儲市場疲軟,尋求新增長點

去年第四季度,三星營業利潤下降35%,至2.8萬億韓圓(約合人民幣153億元),遜于分析師的平均預期3.7萬億韓圓。公司該季度營收為67萬億韓圓(約合3664億元),低于分析師平均預期的70.31萬億韓圓。

2024-01-11 標簽:人工智能三星 219

市場需要密切關注8個存儲趨勢

Boland指出存在三種主要的存儲類型:對象、塊和文件。他說,“對象存儲是唯一能夠以EB規模提供低成本和高性能的存儲?!盉oland補充說,最近的IDC調查顯示,80%的受訪者認為對象存儲可以支持他們的頂級IT計劃,包括物聯網、報告和分析。

2024-01-10 標簽:網絡安全SSD數據庫 141

憶聯多項存儲產品通過Intel VROC技術認證

UH711a面向數據中心應用場景而開發,針對數據中心級業務場景及負載Workload IO模型,UH711a具有全面的性能優化能力,結合One Time Read、智能多流、SR-IOV等多種特性,可為數據中心提供更高性價比的存儲解決方案。

2024-01-09 標簽:英特爾SSD數據中心固態硬盤nvme 237

NAND芯片未來報價漲幅至少會達五成

綜觀全球儲存型快閃記憶體(NAND Flash)市場排名,研調機構Omdia報告顯示,三星以34.3%市占率位居龍頭,第二名是日商鎧俠(市占率19.5%),美國威騰電子居于第三(市占率15.9%),SK海力士排第四(市占率約15.1%)。

2024-01-04 標簽:芯片NAND存儲芯片Nand flash三星 196

中國全閃存市場有哪些特點與趨勢?

IDC數據表明,傳統企業存儲系統中的全閃陣列同比下降5.5%,用戶更加青睞端到端NVMe 全閃、分布式全閃等高端全閃存儲。

2024-01-03 標簽:數據存儲SDS分布式存儲nvmeAIGC 511

面對SSD競爭壓力,硬盤驅動器正逐步邁向復蘇

希捷則有意發布HAMR(熱輔助磁記錄)技術,并制定了50 TB及以上容量的發展路線圖。早在2021年4月,希捷公司CEO Dave Mosely就曾表示,該伺計劃“在今年下半年開始交付多個版本的20 TB(HAMR)硬盤。

2023-12-29 標簽:SSD希捷西部數據 202

踏碎凌霄 王者歸來 | 佰維存儲“悟空”系列電競存儲重磅來襲...

電競產業穩步發展,帶動游戲硬件領域的旺盛需求。在電子競技比賽中,“失之毫厘,差之千里”,一款高性能、穩定可靠的電競存儲產品是每位游戲愛好者的必備之選。近日, 佰維存儲為電競消費者傾力打造的“悟空”系列存儲產品首發上市 ,旨在滿足電競玩家和超頻專家的實際性能需求,為電競愛好者提供煥然一新的流暢體驗。 ? ? 悟空系列承載了佰維存儲對產品不斷創新、追求卓越的匠心獨運,致力于為電競用戶開創突破性的體驗?;诠驹?/p>

2023-12-29 標簽:佰維存儲電競 181

佰維發布CXL 2.0 DRAM,賦能高性能計算

導語: CXL是一種開放式全新互聯技術標準,可在主機處理器與加速器、內存緩沖區、智能I/O設備等設備之間提供高帶寬、低延遲連接,從而滿足高性能異構計算的要求,并且其維護CPU/GPU內存空間和連接設備內存之間的一致性,突破內存墻瓶頸,縮減整體響應時間。此外,CXL支持部署新的內存層,可以彌合主內存和SSD存儲之間的延遲差距。 隨著AI應用爆發,“內存墻”成為制約計算系統性能的主要因素之一。CXL建立在PCIe的物理和電氣接口之上, CXL內存擴

2023-12-27 標簽:佰維 151

存儲芯片Q4逐漸呈現向好趨勢,價格逐步回升

根據全球主要的存儲芯片原廠最新財報梳理可知:Q3整體庫存仍處于較高水平,整體庫存高位在Q1達到峰值,Q2有所回調,Q3下降相對明顯。

2023-12-27 標簽:消費電子存儲芯片半導體行業AI服務器 256

2024年1月,預計NOR Flash價格將上漲5%

 NOR Flash是一種基于NOR門結構的閃存,NOR是邏輯門電路中的“或非”門。NOR Flash具有并行訪問結構,這意味著每個存儲單元都有一個地址,可以直接訪問任何存儲單元,這使NOR Flash具有快速的隨機訪問能力,適用于執行代碼和讀取關鍵數據。

2023-12-27 標簽:閃存芯片adasNOR flash可穿戴設備 457

NOR Flash行業將迎來拐點 明年可能供不應求

在這一氛圍下,NOR Flash行業已開始醞釀漲價。臺灣經濟日報今日有消息指出,預計NOR Flash將接棒啟動存儲芯片新一輪漲價潮,預計明年1月起先漲5%,二季度漲幅有望擴大至10%。

2023-12-26 標簽:DRAMNANDNOR flash 179

DRAM、NAND閃存漲價意愿非常強烈

NAND產品中,同樣代表市場行情的256Gb TLC,第四季度單價為1.85美元左右,相比三季度上漲12%。

2023-12-26 標簽:NOR閃存閃存DRAMNAND內存 169

美光股價累漲超70% 存儲行業或迎底部反轉機遇

從市場占有率來看,美光是全球第三大存儲芯片巨頭,僅次于韓國的三星和SK海力士。從產品線來看,美光是全球第二大內存廠商和第五大閃存廠商,新一輪AI革命對存力的巨大需求是美光的業績助推器。

2023-12-26 標簽:AI美光存儲芯片SK海力士三星 182

AI SoC必須考慮的關鍵因素“內存架構”

導電橋接隨機存取內存(conductive-bridging RAM, CBRAM )是一種低耗電、與CMOS兼容的內存,可定制應用在各類嵌入式市場和獨立存儲器市場。

2023-12-25 標簽:神經網絡sramsoc內存AI 190

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