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電子發燒友網>新品快訊>美國國家半導體推出首款100V半橋柵極驅動器LM5113

美國國家半導體推出首款100V半橋柵極驅動器LM5113

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2023-06-25 16:39:30

IGBT MOSFET驅動

        TF2184是一種高壓、高速柵極驅動器,能夠在配置中驅動n通道MOSFET和igbt。TF半導體的高壓過程使TF2184的高側能夠在引導
2023-06-25 16:25:20

GaN器件在Class D上的應用優勢

100V,輸出電壓對應為50V,在輸出功率達100W的條件下,BUCK工況波形如圖4所示。由圖可以看出,整體波形良好,Vds過沖電壓最大值為136.7V,處于200V GaN器件的安全工作區內。 圖4
2023-06-25 15:59:21

GaN功率半導體應用設計

升級到GaN功率半導體
2023-06-21 11:47:21

用于AC/DC變換應用的新型650V GaNFastIC

用于AC/DC變換應用的新型650V GaNFastIC(氮化鎵)
2023-06-19 07:57:31

DCDC 5-100V高精度、高效率升降壓型 LED 恒流驅動器OC4000

概述 OC4000 是一內置 100V 功率 MOS的寬輸入輸出電壓范圍的高精度、高效率的升降壓型 LED 恒流驅動控制芯片。OC4000 采用電流模閉環控制方式,可實現高精度的恒流驅動
2023-06-13 10:24:29

滿足當今電源需求的全系列柵極驅動電源產品

電源是電子設備的基礎,其中的柵極驅動器是穩定提供設備電源的關鍵。柵極驅動器是一種功率放大器,它接受來自控制器芯片的低功率輸入,并為高功率晶體管(例如IGBT或功率MOSFET)的柵極產生高電流驅動
2023-06-08 14:03:09362

意法半導體發布100V工業級STripFET F8晶體管,優值系數提高 40%

? 2023 年 5 月 24 日,中國 —— 意法半導體的STL120N10F8 N溝道100V功率MOSFET擁有極低的柵極-漏極電荷(QGD)和導通電阻RDS(on),優值系數 (FoM
2023-05-26 14:11:20701

意法半導體發布100V工業級STripFET F8晶體管,優值系數提高40%

中國—— 意法半導體的STL120N10F8N溝道100V功率MOSFET擁有極低的柵極-漏極電荷(QGD)和導通電阻RDS(on),優值系數 (FoM) 比上一代同類產品提高40%。
2023-05-25 10:08:23330

數明半導體新推雙通道30V, 5A/5A的高速低邊門極驅動器

上海數明半導體有限公司最新推出的雙通道 30V, 5A/5A 的高速低邊門極驅動器 SiLM27624 系列,支持高達 30V 的輸入電源供電,滿足更高的驅動電壓輸出。
2023-05-17 11:18:21438

隔離式柵極驅動器的介紹和選型指南

功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件,可用作電源電路、電機驅動器和其他系統中的開關元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET 的其他端子是源極和漏極。 為了操作 MOSFET,通常須將一個電壓施加于柵極(相對于源極或發射極)。使用專用驅動器向功率器件的柵極施加電壓并提供驅動電流。
2023-05-17 10:21:391473

柵極驅動器的原理及應用

柵極驅動器是一個用于放大來自微控制器或其他來源的低電壓或低電流的緩沖電柵極驅動器的原理及應用分析用中,微控制器輸出通常不適合用于驅動功率較大的晶體管。
2023-05-17 10:14:526240

驅動電路能濾出波嗎

驅動電路通過 SPWM 已經能生成正弦波了,請問一下各位大神,能不能修改程序生成波啊
2023-05-09 13:21:57

美國國家半導體技術中心戰略公布:把半導體制造業留在美國

美國商務部國家標準與技術研究院(NIST)發布了一份文件,概述了其對國家半導體技術中心(NSTC)的愿景和戰略,該中心是美國芯片與科學法案設立的研發計劃的重要組成部分,支持和擴大美國半導體研究
2023-05-05 15:23:17347

LTC4440是一驅動器

LTC?4440 是一高頻、高端 N 溝道 MOSFET 柵極驅動器,專為在 VIN 高達 80V 的應用中運作而設計。而且,LTC4440 還能安全承受 100V VIN 瞬
2023-04-21 13:42:03

LTC4446是一驅動器

LTC?4446 是一高頻高電壓柵極驅動器,可利用一個 DC/DC 轉換和高達 100V 的電源電壓來驅動兩個 N 溝道 MOSFET。強大的驅動能力降低了具高柵極電容 MOSFET 中
2023-04-21 11:28:09

TM8273柵極驅動器集成電路資料

TMI8723是一款專為H橋驅動器應用而設計的柵極驅動器集成電路。它能夠驅動由四個高達40V的N溝道功率MOSFET組成的H橋。TMI8723集成了一個可調節的電荷泵來產生柵極驅動功率,峰值和源極電流可以是500mA和250mA。同時,TMI8723可以通過引腳VDS設置過電流點的值。
2023-04-20 15:00:311

如何定義柵極電阻、自舉電容器以及為什么高側柵極驅動器可能需要對MOSFET源極施加一些電阻?

您好,我正在嘗試使用 MC34GD3000 柵極驅動器,但我們遇到了設備故障和損壞高側 MOSFET 柵極驅動器的問題。首先,是否有任何關于正確設置柵極驅動器輸出的應用說明。我們看到的是在沒有任何
2023-04-19 06:36:06

薩科微slkor半導體研制的高速低側柵極驅動器-SL27517

,工程師們需要選用合適的柵極驅動器,提高UPS的轉換效率和響應速度,以滿足不斷增長的UPS市場需求。高速低側柵極驅動器是一種電路,用于控制半導體開關(例如MOSFET或IGBT)的導通和斷開,從而實現對電路的控制和調節。正確選擇高速低側柵極驅動器
2023-04-11 12:39:14279

高速低側柵極驅動器,讓電機控制更高效

”。電機作為工業生產的一種重要設備,為了能夠滿足不同應用場景需求,對電機的控制要求也不斷的提高。 因此,工程師們在設計電機控制的解決方案時,需要選用合適的柵極驅動器,從而實現對電機的高效、精準控制,以達到節能增效目
2023-04-10 15:07:04851

如何使用高速和高電流柵極驅動器實現更高的系統效率

具體而言,大電流柵極驅動器可以通過最小化開關損耗來幫助提高整體系統效率。當 FET 打開或打開和關閉時,會發生開關損耗。要打開FET,柵極電容必須充電超過閾值電壓。柵極驅動器驅動電流有利于柵極電容
2023-04-07 10:23:291227

電力電子IGBT柵極驅動器

半導體器件是現代電力電子系統的核心。這些系統利用許多門控半導體器件,如普通晶體管、FET、BJT、MOSFET、IGBT等作為開關模式電源(SMPS)、通用電源(UPS)和電機驅動器中的開關元件。電力電子的現代技術發展通常跟隨功率半導體器件的發展。
2023-04-04 10:23:45546

隔離式柵極驅動器設計技巧

功率 MOSFET 是一種電壓控制型器件,可用作電源電路、電機驅動器和其他系統中的開關元件。柵極是每個器件的電氣隔離控制端。MOSFET 的其他端子是源極和漏極。
2023-04-04 09:58:391001

LTC7060是一驅動器

LTC7060驅動兩個采用配置的N通道MOSFET,電源電壓高達100V。高端和低端驅動器可以驅動具有不同接地基準的MOSFET,提供出色的瞬變抗擾度。其功能強大的0.8Ω下拉和1.5Ω上拉
2023-03-31 10:49:48

LTC7061是一驅動器

LTC7061驅動兩個采用配置的N通道MOSFET,電源電壓高達100V。高端和低端驅動器可以驅動具有不同接地基準的MOSFET,提供出色的瞬變抗擾度。其功能強大的0.8Ω下拉和1.5Ω上拉
2023-03-31 10:44:27

增強性能的100柵極驅動器提升先進通信電源模塊的效率

電源模塊時,這種非常低的電流將有助于實現非常低的輸入待機功耗。UCC27282 VDD工作范圍已擴展至5.5V至16V。這可以使設計人員優化VDD工作電壓,以實現更低的柵極驅動損耗。UCC27282包括輸入互鎖功能,防止在LI和HI輸入同時為高電平時,兩個柵極驅動器輸出也同時處于高電平狀態。
2023-03-30 09:50:03656

用于電力電子器件的柵極驅動器

柵極驅動器是一種功率放大器,它接受來自控制器IC的低功耗輸入,并為功率器件產生適當的高電流柵極驅動。隨著對電力電子器件的要求不斷提高,柵極驅動器電路的設計和性能變得越來越重要。
2023-03-23 16:48:48535

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