完善資料讓更多小伙伴認識你,還能領取20積分哦,立即完善>
電子發燒友網技術文庫為您提供最新技術文章,最實用的電子技術文章,是您了解電子技術動態的最佳平臺。
在實際應用中,運放的同一個封裝里面有雙運放或四運放(如下圖),但有時候我們只需使用其中的一部分,多余的引腳怎么處理呢?...
那么結溫和熱阻有什么用呢?--半導體器件主要通過熱傳遞的方式對元件本身進行散熱,當芯片溫度升高,超過結溫后會導致元件損壞。...
本文采用的DTS(DieTopSystem)技術結合了芯片雙面銀燒結工藝與銅線鍵合工藝,此技術能夠避免直接在芯片上進行銅線鍵合時造成的芯片損傷。...
IGBT在二極管鉗位感性負載條件下的電路如圖1所示,該電路為IGBT常用電路,可作為IGBT開關特性的測試電路,評估IGBT的開通及關斷行為。...
國際半導體IDM廠商,如意法半導體、英飛凌、安森美、羅姆電子等,在中國市場仍然占據碳化硅元件的重要地位。消息人士補充,外國汽車品牌或與中國合資的汽車品牌,也主要依賴于上述供應商進行碳化硅采購。...
雖然Infineon是歐洲五大芯片制造商之一,但他的作風一向非常低調。就連Infineon的收購行動也常常被低調處理。...
SPICE在晶體管級別的仿真方面表現出色;然而,IC設計工程師要盡一切可能,讓人難以分辨運算放大器中是否存在晶體管。他們希望您能夠使用運算放大器手冊為設計提供參考,并且不會因為晶體管的限制而偏離理想的運算放大器性能。...
碳化硅功率器件利用SiC半導體材料制成。SiC是一種寬帶隙半導體材料,具有比硅(Si)更高的電子飽和漂移速度和熱導率,以及更高的臨界擊穿電場強度。...
利用 SiC 功率器件開關頻率高、開關損耗低等優點, 將 SiC MOSFET 應用于水下航行器大功率高速電機逆變器模塊, 對軟硬件進行設計。...
與放電型RCD緩沖電路不同,非放電型RCD緩沖電路的RSNB消耗的功率僅為浪涌能量,因此RSNB的容許損耗可以較小。這可以擴大RSNB的選擇范圍,使得能夠增加CSNB的電容量,因而可以提高鉗位的效果。...
IGBT是通過在MOSFET的漏極上追加層而構成的。 IGBT的理想等效電路如下圖所示,IGBT實際就是MOSFET和晶體管三極管的組合,MOSFET存在導通電阻高的缺點,但IGBT克服了這一缺點,在高壓時IGBT仍具有較低的導通電阻。...
該運算放大器的單位增益穩定,并具有超低的輸入偏置電流,非常適合傳感器接口、有源濾波器、工業和便攜式應用。...
正向穩態導通壓降低肖特基二極管正向壓降非常小,一般為0.2~0.45V,比快恢復二極管正向壓降低很多,所以自身功耗較小。...
總體電流檢測精度誤差的預算需要考慮三個因素:初始電阻容差、環境溫度變化引起的TCR誤差以及自發熱引起的TCR誤差。幸運的是,供應商會提供具有極低TCR的專用精密金屬箔電阻器。...
這種現象是由于環路不穩定,相位裕度不足導致的;我們可以按照TI文檔中的方法進行相位裕度的仿真。TI的文檔如下,我們先仿真一下不并聯電容情況下的相位裕度。...