上一篇文章的內容來閱讀本文。 通過雙脈沖測試評估MOSFET反向恢復特性 為了評估MOSFET的反向恢復特性，我們使用4種MOSFET實施了雙脈沖測試。4種MOSFET均為超級結MOSFET（以下簡稱“SJ MOSFET”），我們使用快速恢復型和普通型分別進行了比較。 先來看具有快速恢復
2020-12-21 14:25:45
7583 
反向恢復過程： ? ? 通常把二極管從正向導通轉為反向截止所經過的轉換過程稱為反向恢復過程 。由于反向恢復時間的存在，使二極管的開關速度受到限制。 ??? 試想一下，如果二極管的反向恢復時間長，那就
2022-12-10 17:06:3814763 
碳化硅二極管是單極器件，因此與傳統的硅快速恢復二極管(硅FRD)相比，碳化硅二極管具有理想的反向恢復特性。當器件從正向切換到反向阻斷方向時，幾乎沒有反向恢復功率，反向恢復時間小于20ns，甚至600V10A碳化硅二極管的反向恢復時間也小于10ns。
2023-02-08 17:23:231749 
特性，能夠提高高溫環境下功率系統的效率。SiC SBD在常溫下顯示出優于Si基快速恢復二極管的動態特性:反向恢復時間短，反向恢復電流峰值小。
2019-10-24 14:25:15
面對SiC-SBD和Si-PND的特征進行了比較。接下來比較SiC-SBD和Si-PND的反向恢復特性。反向恢復特性是二極管、特別是高速型二極管的基本且重要的參數，所以不僅要比較trr的數值，還要
2018-11-29 14:34:32
前面對SiC-SBD和Si-PND的反向恢復特性進行了比較。下面對二極管最基本的特性–正向電壓VF特性的區別進行說明。SiC-SBD和Si-PND正向電壓特性的區別二極管的正向電壓VF無限接近零
2018-11-30 11:52:08
/dt，在Si-FRD中存在當dI/dt較大時，恢復電流Irr變大，電流集中導致破壞的模式?？赡苡腥藫耐瑯拥哪Ｊ綍粫?b class="flag-6" style="color: red">SiC-SBD中發生。在SiC-SBD中，恢復電流非常小，可以認為很難發生該模式
2018-11-30 11:50:49
時間trr快（可高速開關）?trr特性沒有溫度依賴性?低VF（第二代SBD）下面介紹這些特征在使用方面發揮的優勢。大幅降低開關損耗SiC-SBD與Si二極管相比，大幅改善了反向恢復時間trr。右側的圖表為
2019-03-27 06:20:11
○SCS230KE2120030360TO-247○SCS240AE265040270TO-247 SCS240AE2HR65040270TO-247○SCS240KE2120040420TO-247 需要詳細搜索或比較時，請點擊這里。＜ 相關產品信息 ＞SiC-SBD
2018-12-04 10:09:17
為了使大家了解SiC-SBD，前面以Si二極管為比較對象，對特性進行了說明。其中，也談到SiC-SBD本身也發展到第2代，性能得到了提升。由于也有宣布推出第3代產品的，所以在此匯總一下SiC-SBD
2018-11-30 11:51:17
，從而同時實現高耐壓和低阻值，但關斷的速度會變慢。盡管FRD（快速恢復二極管）利用PN結二極管提高了速度，但盡管如此，trr（反向恢復時間）特性等劣于SBD。因此，trr損耗是高耐壓Si PN結二極管
2018-11-29 14:35:50
SiC SBD 晶圓級測試 求助：需要測試的參數和測試方法謝謝
2020-08-24 13:03:34
的溫度依存性與Si-FRD不同，溫度越高，它的導通阻抗就會增加，從而VF值也增加。不易發生熱失控，所以可以放心地并聯使用。3. SiC-SBD的恢復特性Si的快速PN結二極管（FRD:快速恢復二極管）在從
2019-03-14 06:20:14
的溫度依存性與Si-FRD不同，溫度越高，它的導通阻抗就會增加，從而VF值也增加。不易發生熱失控，所以可以放心地并聯使用。3. SiC-SBD的恢復特性Si的快速PN結二極管（FRD:快速恢復二極管）在從
2019-04-22 06:20:22
二極管的比較所謂SiC-SBD－與Si-PND的反向恢復特性比較所謂SiC-SBD－與Si-PND的正向電壓比較所謂SiC-SBD－SiC-SBD的發展歷程所謂SiC-SBD－使用SiC-SBD的優勢所謂
2018-11-27 16:40:24
功率元器件的開發背景和優點SiC肖特基勢壘二極管所謂SiC-SBD－特征以及與Si二極管的比較所謂SiC-SBD－與Si-PND的反向恢復特性比較所謂SiC-SBD－與Si-PND的正向電壓比較所謂
2018-11-27 16:38:39
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-05-06 09:15:52
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-25 06:20:09
的高耐壓和低阻值，但其開關性能劣于多數載流子。Si-PND中提高了開關速度的產品是FRD，然而開關時的恢復特性依然劣于SBD。右圖表示Si-SBD、Si-PND/FRD和SiC-SBD的耐壓覆蓋范圍
2018-12-03 15:12:02
反向恢復時間就是存儲電荷耗盡所需要的時間。二極管和一般開關的不同在于,"開"與"關"由所加電壓的極性決定, 而且"開"態有微小的壓降Vf
2019-12-03 10:16:05
摻雜的電壓阻擋層SiC肖特基二極管通常具有比硅PIN二極管更高的結電容相同的額定電壓。因此，在SiC肖特基二極管中有一個小而有限的反向恢復電流由于電容位移電流。然而，不像反向恢復的特點在SiC肖特基
2023-06-16 11:42:39
的器件工藝改進，很難出現器件超出SOA的情況了吧?！ ∮绊懚O管反向恢復特性的內部機理是比較復雜的，有時候你可能會發現在低溫、小電流的時候反向恢復特性會變差，振蕩也會更加嚴重，當電流增大后，反向恢復
2020-12-08 15:44:26
器件的溫升
綜上，SiC SBD無反向恢復、能并聯使用等特性使其在替換Si FRD時具有明顯的優勢。沒有反向恢復，減小反向恢復帶來的開關損耗從而提高系統效率，同時避免反向恢復引起的振蕩，改善系統
2023-10-07 10:12:26
二極管是單向導通，那么反向恢復時間是什么，需要怎么測試
2023-09-27 07:51:57
什么是反向恢復過程？二極管在開關轉換過程中出現的反向恢復過程是由于什么原因引起的？
2021-06-29 07:28:24
)：1.5V芯片尺寸：120MIL浪涌電流Ifsm：300A漏電流(Ir)：10uA工作溫度：-50~+150℃恢復時間(Trr)：35nS引線數量：3 二極管SFF3006反向恢復過程，現代脈沖電路中大
2021-11-30 16:28:50
以AC/DC Boost開關電源為例，如圖1所示，主電路中輸人整流橋二極管產生的反向恢復電流的di/dt遠比輸出二極管D反向恢復電流的|di/dt|要小得多。圖2是圖1開關電源中輸人整流橋二極管
2021-06-30 16:37:09
上一篇文章我們詳細討論了二極管的結電容：勢壘電容和擴散電容。我們也知道了數據手冊中所給出的結電容參數，它的大小和反向恢復時間沒有關系。如下表所示：序號種類型號結電容反向恢復時間封裝品牌1普通
2021-10-18 10:28:06
存在反向恢復電流?？梢钥紤]降低電源二極管的最大額定電流，使用尺寸更小的二極管。電源更緊湊，功率密度更高，可以提高開關頻率，功耗更低。SiC技術之所以能夠提供這些優點是因為在正常導通器件，不會累積反向恢復電荷。缺點是價格比較高。原作者：蝸牛 硬件筆記本
2023-02-15 14:24:47
轉換器內所使用的MOSFET體二極管的反向恢復。氮化鎵—GaN器件不會表現出反向恢復特性，并因此避免了損耗和其它相關問題。借助于我的LMG5200和一個差不多的基于硅FET的TPS40170EVM-597
2018-09-03 15:17:44
轉換器內所使用的MOSFET體二極管的反向恢復。氮化鎵—GaN器件不會表現出反向恢復特性，并因此避免了損耗和其它相關問題。借助于我的LMG5200和一個差不多的基于硅FET的TPS40170EVM-597
2022-11-17 06:32:52
關于SiC-SBD，前面介紹了其特性、與Si二極管的比較、及當前可供應的產品。本篇將匯總之前的內容，并探討SiC-SBD的優勢。SiC-SBD、Si?SBD、Si-PND的特征SiC-SBD為形成
2018-11-29 14:33:47
SiC功率模塊”量產。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關并可大幅降低損耗。關于這一點，根據這之前介紹過的SiC-SBD和SiC-MOSFET的特點與性能，可以很容易理解
2018-11-27 16:38:04
3賽季）與文圖瑞車隊簽署官方技術合作協議，并在上個賽季為其提供了SiC肖特基勢壘二極管（SiC-SBD）。通過將FRD更換為SiC-SBD，第2賽季由IGBT和快速恢復二極管（FRD）組成的逆變器成功
2018-12-04 10:24:29
或者說過程，我們稱之為反向恢復過程。只要是雙極型器件，就會有非平衡載流子的注入，那么就存在所謂的反向恢復過程。這種特性嚴重限制了器件在高頻需求下的性能，我們要做的就是研究并減小反向恢復這個過程的時間。(a
2023-02-14 15:46:54
與Si的比較開發背景SiC的優點SiC-SBD（肖特基勢壘二極管）與Si二極管比較采用示例SiC-MOSFET與各種功率MOSFET比較運用事例全SiC模塊模塊的構成開關損耗運用要點SiC是在熱、化學
2018-11-29 14:39:47
的優勢。大幅降低開關損耗SiC-SBD與Si二極管相比，大幅改善了反向恢復時間trr。右側的圖表為SiC-SBD與Si-FRD（快速恢復二極管）的trr比較。恢復的時間trr很短，二極管關斷時的反向電流
2018-12-04 10:26:52
的開關電源電路相同。另外，SiC-SBD不產生短脈沖反向恢復現象，因此PWM控制無需擔心短脈沖時的異常浪涌電壓。不僅有助于提高逆變器和電源的效率，還可實現小型化，這是全SiC功率模塊的巨大優勢。由
2018-12-04 10:14:32
?快恢復二極管反向恢復時間（tr）的定義：電流通過零點由正向轉換到規定低值的時間間隔。它是衡量高頻續流及整流器件性能的重要技術指標。在快恢復二極管里，IF為正向電流，IRM為最大反向恢復電流。Irr
2021-05-14 14:12:50
已經上傳了驅動部分的原理圖，我剛進一個做MOS的公司，有個客戶是這樣的，他說我們的管子溫度比他的高了20度，MOS的Trr和Qrr都比較大，反向恢復損耗比較高，有什么辦法可以降低嗎，讓MOS的溫度的降下來
2019-09-11 04:23:31
和恢復特性，還成功將VF降低至約0.15V，達到當時業界最小的VF 1.35。VF降低有助于降低設備的傳導損耗。第三代SiC-SBD為提高抗浪涌電流性能并改善漏電流IR，采用了JBS（Junction
2018-12-03 15:11:25
`<div> 揭秘肖特基二極管的反向恢復時間 肖特基二極管和一般二極管的差異在于反向恢復時間，也就是肖特基二極管由流過正向電流的導通狀態，切換到不導通狀態所需的時間
2018-11-02 11:54:12
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
整流二極管的反向恢復過程
2021-01-08 06:22:44
損傷，采用了低溫制造法，這樣SiC-SBD就實現了低噪聲化。并且，和傳統的Si-SBD相比，可實現高速開關工作?！局饕阅堋康烷_關損耗高頻工作受溫度影響較少的穩定特性封裝 TO-247【應用】高檔
2013-11-14 12:16:01
的溫度依存性與Si-FRD不同，溫度越高，它的導通阻抗就會增加，從而VF值也增加。不易發生熱失控，所以可以放心地并聯使用。3. SiC-SBD的恢復特性Si的快速PN結二極管（FRD:快速恢復二極管）在從
2019-05-07 06:21:51
載流子注入的單極器件這一事實是實現這種改進的原因。與實際第七代芯片的硅續流二極管相比，反向恢復損耗ERR降低了92％。除了反向恢復方面的改進外，SiC-SBD的增強特性還導致對置臂中IGBT導通時的增強
2020-09-02 15:49:13
在我的上一篇博文中，我介紹了體二極管反向恢復。今天，我們來看一看在一個真實電路中測量反向恢復的方法。測量一個同步降壓轉換器中的反向恢復不太容易。電流探頭太大，并且會大幅增加功率級環路中的電感。而且
2018-09-03 15:17:37
看出SiC-SBD基本覆蓋了Si-PND/FRD的耐壓范圍，因此可改善這個范圍的Si-PND/FRD的trr。SiC-SBD的trr通過與Si-FRD的比較介紹過Si-SBD具有優異的trr特性，而且
2019-07-10 04:20:13
低，可靠性高，在各種應用中非常有助于設備實現更低功耗和小型化。本產品于世界首次※成功實現SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝。內部二極管的正向電壓（VF）降低70％以上，實現更低損耗的同時
2019-03-18 23:16:12
一、二極管從正向導通到截止有一個反向恢復過程在上圖所示的硅二極管電路中加入一個如下圖所示的輸入電壓。在0―t1時間內，輸入為+VF，二極管導通，電路中有電流流通?！ ≡OVD為二極管正向壓降（硅管為
2020-02-25 07:00:00
我們都知道肖特基二極管(SBD)的特性就是快，因為他的PN結只有一邊是Si，另一邊是金屬，所以它是單邊耗盡區，所以快。最近汽車電子火熱了，炒作了IGBT，隨之而來的是他的“伴侶”芯片-FRD（快恢復
2023-02-08 16:40:30
ROHM在全球率先實現了搭載ROHM生產的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關并可大幅降低
2018-12-04 10:11:50
二極管反向恢復時間及簡易測試在開關電路中應用的二極管，反向恢復時間是一個主要參數。用圖示儀器直接觀察特性曲錢是理想的測試方法，但需要專用測試設備。本文闡述了二
2008-11-19 18:09:16
115 :本文簡要地介紹了超快速二極的性能管對電力電子電路的影響和現代功率變換對超快速二極管反向恢復特性的要求，超快速二極管的反向恢復參數與使用條件的關系和一些最新超快
2009-10-19 10:24:0939 超快速二極管的反向恢復特性摘要:本文簡要地介紹了超快速二極的性能管對電力電子電路的影響和現代功率變換對超快速二極管反向恢復特性的要求，超快速
2009-11-11 11:22:4819 抑制功率二極管反向恢復幾種方案的比較
0 引言
高頻功率二極管在電力電子裝置中的應用極其廣泛。但PN結功率二極管在由導通變為
2009-07-06 08:14:172171 
快恢復二極管（簡稱FRD）是一種具有開關特性好、反向恢復時間短特點的半導體二極管，主要應用于開關電源、PWM脈寬調制器、變頻器等電子電路中，作為高頻整流二極管、續流二極管或阻尼二極管使用。 快恢復二極管的內部結構與普通PN結二極管不同
2018-01-24 10:09:0133807 
，配合650V/TS5的IGBT芯片(S5/H5)，進一步優化了系統效率、性能與成本之間的微妙平衡。 IGBT混搭SiC SBD續流二極管，在硬換流的場合，至少有兩個主要優勢： 沒有Si二極管的反向恢復
2021-03-26 16:40:202349 
，它有普通整流二極管、快恢復二極管、超快恢復二極管、肖特基二極管等。那么什么是二極管的反向恢復時間呢？它和結電容之間有什么關系呢？下面列舉常用二極管的反向恢復時間： 普通二極管：反向恢復時間一般 500ns以上； 快恢復二極管：反向
2021-09-22 15:07:0331377 
有更加深入的了解時，這個波形變得復雜了很多。不斷困擾開關轉換器的一個特別明顯的非理想狀態就是同步降壓或升壓轉換器內所使用的MOSFET體二極管的反向恢復。氮化鎵—GaN器件不會表現出反向恢復特性，并因此
2021-11-10 09:40:225682 
二極管從正向導通到截止有一個反向恢復過程
2022-02-09 11:34:043 內部二極管的trr特性。 01?反向恢復時間trr對逆變器電路的影響 在逆變器電路中，開關器件的反向恢復時間trr（Reverse recovery time）特性對損耗的影響很大。在這里，我們將使
2022-08-13 22:50:201790 
救世主GaN來了！第1部分：體二極管反向恢復。
2022-11-03 08:04:342 1. 器件結構和特征 SiC能夠以高頻器件結構的SBD（肖特基勢壘二極管）結構得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。 因此，如果用SiC-SBD替換現在主流產品快速
2023-02-07 16:46:27501 下面從SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SBD”）的結構開始介紹。如下圖所示，為了形成肖特基勢壘，將半導體SiC與金屬相接合（肖特基結）。結構與Si肖特基勢壘二極管基本相同，其重要特征也是具備高速特性。
2023-02-08 13:43:17404 
二極管的正向電壓VF無限接近零、對溫度穩定是比較理想的，但事實是不是零、并會受溫度影響而變動。為了使大家了解SiC-SBD的VF特性，下面與Si-PND的FRD（快速恢復二極管）進行比較。
2023-02-08 13:43:18378 
為了使大家了解SiC-SBD，前面以Si二極管為比較對象，對特性進行了說明。其中，也談到SiC-SBD本身也發展到第2代，性能得到了提升。
2023-02-08 13:43:18396 
關于SiC-SBD，前面介紹了其特性、與Si二極管的比較、及當前可供應的產品。本篇將匯總之前的內容，并探討SiC-SBD的優勢。
2023-02-08 13:43:18705 
SiC作為半導體材料的歷史不長，與Si功率元器件相比其實際使用業績還遠遠無法超越，可能是其可靠性水平還未得到充分認識。這是ROHM的SiC-SBD可靠性試驗數據。
2023-02-08 13:43:18364 
上一章介紹了與IGBT的區別。本章將對SiC-MOSFET的體二極管的正向特性與反向恢復特性進行說明。如圖所示，MOSFET（不局限于SiC-MOSFET）在漏極-源極間存在體二極管。
2023-02-08 13:43:20790 
我們開設了Si功率元器件的新篇章——“評估篇”。在“通過雙脈沖測試評估MOSFET的反向恢復特性”中，我們將通過雙脈沖測試來評估MOSFET體二極管的反向恢復特性，并確認MOSFET損耗情況。
2023-02-10 09:41:081646 
本文我們將根據使用了幾種MOSFET的雙脈沖測試結果，來探討MOSFET的反向恢復特性。該評估中的試驗電路將使用上一篇文章中給出的基本電路圖。另外，相應的確認工作也基于上次內容，因此請結合上一篇文章的內容來閱讀本文。
2023-02-10 09:41:08662 
ROHM在全球率先實現了搭載ROHM生產的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關并可大幅降低損耗。
2023-02-10 09:41:081333 
在“通過雙脈沖測試評估MOSFET的反向恢復特性”中，重點關注了由于逆變器電路、Totem Pole型功率因數校正（PFC）電路等是兩個MOSFET串聯連接的橋式電路，因此存在因上下橋臂的直通電流導致導通損耗增加的現象。
2023-02-13 09:30:041666 
ROHM努力推進最適合處理高耐壓與大電流電路使用SiC（碳化硅）材料的SBD（肖特基勢壘二極管）。2010年在日本國內率先開始SiC SBD的量產，目前正在擴充第二代SIC-SBD產品陣容，并推動在包括車載在內的各種應用中的采用。
2023-02-13 09:30:07401 
繼SiC功率元器件的概述之后，將針對具體的元器件進行介紹。首先從SiC肖特基勢壘二極管開始。
2023-02-22 09:16:27492 
二極管的正向電壓VF無限接近零、對溫度穩定是比較理想的，但事實是不是零、并會受溫度影響而變動。為了使大家了解SiC-SBD的VF特性，下面與Si-PND的FRD（快速恢復二極管）進行比較。
2023-02-22 09:18:59140 
為了使大家了解SiC-SBD，前面以Si二極管為比較對象，對特性進行了說明。其中，也談到SiC-SBD本身也發展到第2代，性能得到了提升。由于也有宣布推出第3代產品的，所以在此匯總一下SiC-SBD的發展，整理一下當前實際上供應的SiC-SBD。
2023-02-22 09:19:45355 
、導通延
遲時間、關斷延遲時間、開通損耗、關斷損耗、柵極總電荷、柵源充電電量、平臺電壓、反向恢復時間、反向恢復充電電量、反向恢復電流、反向恢復損耗、反向恢復電流變化
率、反向恢復電壓變化率、集電極短路電流、輸入電容、輸出電容、反向轉移電容、柵極串聯等效電阻、雪崩耐量進行測
2023-02-23 09:20:462 SiC-SBD為形成肖特基勢壘，將半導體SiC與金屬相接合（肖特基結）。結構與Si肖特基勢壘二極管基本相同，僅電子移動、電流流動。而Si-PND采用P型硅和N型硅的接合結構，電流通過電子與空穴（孔）流動。
2023-02-23 11:24:11586 
反向恢復時間（trr）：正向二極管電流衰減為零后，由于兩層中存在存儲電荷，二極管繼續反向導通。反向流動的時間稱為反向恢復時間（trr）。二極管保持其阻斷能力，直到反向恢復電流衰減為零。
2023-02-23 15:50:305422 
內部二極管的trr特性。01 ? 反向恢復時間trr對逆變器電路的影響 在逆變器電路中，開關器件的反向恢復時間trr（Reverse recovery time）特性對損耗的影響很大。在這里，我們將使用唯
2023-03-03 09:59:130 來源：國星光電官微 近日，國星光電開發的1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二極管）器件成功通過第三方權威檢測機構可靠性驗證，并獲得AEC-Q101車規級認證。這標志著國星光電第三代
2023-03-14 17:22:57393 
近日，國星光電開發的1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二極管）器件成功通過第三方權威檢測機構可靠性驗證，并獲得AEC-Q101車規級認證。這標志著國星光電第三代半導體功率器件產品
2023-03-20 19:16:30550 國星光電SiC-SBD器件采用TO-247-2L封裝形式,在長達1000小時的高溫、高濕等惡劣環境下驗證，仍能保持正常穩定的工作狀態，可更好地適應復雜多變的車載應用環境，具備高度的可靠性、安全性和穩定性。
2023-03-22 10:56:52537 鎵—GaN器件不會表現出反向恢復特性，并因此避免了損耗和其它相關問題。借助于我的LMG5200和一個差不多的基于硅FET的TPS40170EVM-597，我將開始在24V至5V/4A電源轉換器中測量反向恢復。
2023-04-15 09:15:122507 
肖特基二極管的反向恢復時間表示的是從正向導通狀態切換到反向截止狀態時所需的時間。它是指當肖特基二極管從正向導通到反向截止時，電流停止流動，并且由于電荷存儲效應而需要一定的時間才能完全恢復到截止狀態的時間。
肖特基二極管是一種特殊構造的二極管，具有快速開關速度和低反向恢復時間的特點。
2023-08-24 15:45:111717 并不能像理想二極管那樣完美的工作，它在正向偏置電壓瞬間變為反向偏置電壓的時候，并不能立刻恢復到截止狀態，這里存在一個逐漸轉變的過程，這個過程我們稱之為反向恢復過程。 反向恢復過程 通常我們把二極管從正向導通轉為反
2023-11-01 16:48:03535 
【科普小貼士】肖特基勢壘二極管（SBD）的反向恢復特性
2023-12-13 14:42:08213 
SiC SBD的高耐壓（反壓）特性
2023-12-13 15:27:55197 
器件損壞。為了保護二極管不受反向擊穿的影響，可以使用二極管反向恢復電路。 二極管反向恢復電路是一種用于減小反向恢復電流的電路，通常由二極管和電感器構成。當二極管處于正向導通狀態時，電感器存儲了能量；當二極管從導
2023-12-18 11:23:57597 生反向恢復過程。 反向恢復過程是指當二極管的正向電壓減小到零或反向電壓增加到零時，電流不能立即停止流動，而是經過一個反向電流的過程。這個過程通常包括兩個階段：反向恢復時間和存儲時間。 反向恢復時間（Recovery Time）：反
2024-01-12 17:06:11655 
電子發燒友App
工商網監
評論