羅姆開發出了正向電壓僅為1.35V的SiC制肖特基勢壘二極管（SBD）“SCS210AG/AM”，已從2012年6月開始樣品供貨。該產品與該公司的原產品相比，正向電壓降低了10％，“為業界最小”（該
2012-06-13 11:31:42
1253 本文作為系列文章的第三篇，會從SiC MOS寄生電容損耗與傳統Si MOS作比較，給出分析和計算過程，供設計工程師在選擇功率開關器件時參考！
2022-07-06 18:10:021885 下面將對于SiC MOSFET和SiC SBD兩個系列，進行詳細介紹
2023-11-01 14:46:19736 
特性，能夠提高高溫環境下功率系統的效率。SiC SBD在常溫下顯示出優于Si基快速恢復二極管的動態特性:反向恢復時間短，反向恢復電流峰值小。
2019-10-24 14:25:15
。下面是25℃和150℃時的Vd-Id特性。請看25℃時的特性圖表。SiC及Si MOSFET的Id相對Vd（Vds）呈線性增加，但由于IGBT有上升電壓，因此在低電流范圍MOSFET元器件的Vds
2018-12-03 14:29:26
Si整流器與SiC二極管：誰會更勝一籌
2021-06-08 06:14:04
前面對SiC-SBD和Si-PND的反向恢復特性進行了比較。下面對二極管最基本的特性–正向電壓VF特性的區別進行說明。SiC-SBD和Si-PND正向電壓特性的區別二極管的正向電壓VF無限接近零
2018-11-30 11:52:08
面對SiC-SBD和Si-PND的特征進行了比較。接下來比較SiC-SBD和Si-PND的反向恢復特性。反向恢復特性是二極管、特別是高速型二極管的基本且重要的參數，所以不僅要比較trr的數值，還要
2018-11-29 14:34:32
，已實施了評估的ROHM的SiC-SBD，在與我們熟知的Si晶體管和IC可靠性試驗相同的試驗中，確保了充分的可靠性。另外，關于SiC-SBD，可能有人聽說過有與dV/dt或dI/dt相關的破壞模式
2018-11-30 11:50:49
上升而増加，而SiC-SBD則能夠保持幾乎恒定的trr。此外，高溫工作時，開關損耗也幾乎沒有増加。另外，SiC-SBD的正向電壓VF為1V左右，與Si-FRD幾乎同等，但溫度系數則表現為與Si-FRD相反
2019-03-27 06:20:11
○SCS230KE2120030360TO-247○SCS240AE265040270TO-247 SCS240AE2HR65040270TO-247○SCS240KE2120040420TO-247 需要詳細搜索或比較時，請點擊這里。＜ 相關產品信息 ＞SiC-SBD
2018-12-04 10:09:17
vs IF）、以及正向電壓與抗浪涌電流特性（VF vs IFSM）比較圖。第2代SiC-SBD通過改善制造工藝，保持了與以往產品同等的漏電流和trr性能，同時將VF降低了約0.15V。因而改善了VF帶來
2018-11-30 11:51:17
的重大研究項目。此時，開關電源無法對應高速的開關頻率也是課題之一。右上圖表示Si的SBD、PND、FRD和SiC-SBD耐壓的覆蓋范圍?？梢钥闯?b class="flag-6" style="color: red">SiC-SBD基本覆蓋了PND/FRD的耐壓范圍
2018-11-29 14:35:50
SiC SBD 晶圓級測試 求助：需要測試的參數和測試方法謝謝
2020-08-24 13:03:34
的快速充電器等的功率因數校正電路（PFC電路）和整流橋電路中。2. SiC-SBD的正向特性SiC-SBD的開啟電壓與Si-FRD相同，小于1V。開啟電壓由肖特基勢壘的勢壘高度決定，通常如果將勢壘高度
2019-04-22 06:20:22
的快速充電器等的功率因數校正電路（PFC電路）和整流橋電路中。2. SiC-SBD的正向特性SiC-SBD的開啟電壓與Si-FRD相同，小于1V。開啟電壓由肖特基勢壘的勢壘高度決定，通常如果將勢壘高度
2019-03-14 06:20:14
與Si-MOSFET有怎樣的區別。在這里介紹SiC-MOSFET的驅動與Si-MOSFET的比較中應該注意的兩個關鍵要點。與Si-MOSFET的區別：驅動電壓SiC-MOSFET與Si-MOSFET相比，由于漂移層
2018-11-30 11:34:24
二極管的比較所謂SiC-SBD－與Si-PND的反向恢復特性比較所謂SiC-SBD－與Si-PND的正向電壓比較所謂SiC-SBD－SiC-SBD的發展歷程所謂SiC-SBD－使用SiC-SBD的優勢所謂
2018-11-27 16:40:24
”）應用越來越廣泛。關于SiC-MOSFET，這里給出了DMOS結構，不過目前ROHM已經開始量產特性更優異的溝槽式結構的SiC-MOSFET。具體情況計劃后續進行介紹。在特征方面，Si-DMOS存在
2018-11-30 11:35:30
，與Si-MOSFET不同，SiC-MOSFET的上升率比較低，因此易于熱設計，且高溫下的導通電阻也很低?！ ?. 驅動門極電壓和導通電阻 SiC-MOSFET的漂移層阻抗比Si-MOSFET低，但是
2023-02-07 16:40:49
另一方面，按照現在的技術水平，SiC-MOSFET的MOS溝道部分的遷移率比較低，所以溝道部的阻抗比Si器件要高。因此，越高的門極電壓，可以得到越低的導通電阻（VCS=20V以上則逐漸飽和）。如果
2019-04-09 04:58:00
確認現在的產品情況，請點擊這里聯系我們。ROHM SiC-MOSFET的可靠性柵極氧化膜ROHM針對SiC上形成的柵極氧化膜，通過工藝開發和元器件結構優化，實現了與Si-MOSFET同等的可靠性
2018-11-30 11:30:41
功率元器件的開發背景和優點SiC肖特基勢壘二極管所謂SiC-SBD－特征以及與Si二極管的比較所謂SiC-SBD－與Si-PND的反向恢復特性比較所謂SiC-SBD－與Si-PND的正向電壓比較所謂
2018-11-27 16:38:39
工作等SiC的特征所帶來的優勢。通過與Si的比較來進行介紹?！钡妥柚怠笨梢詥渭兘忉尀闇p少損耗，但阻值相同的話就可以縮小元件（芯片）的面積。應對大功率時，有時會使用將多個晶體管和二極管一體化的功率模塊
2018-11-29 14:35:23
另一方面，按照現在的技術水平，SiC-MOSFET的MOS溝道部分的遷移率比較低，所以溝道部的阻抗比Si器件要高。因此，越高的門極電壓，可以得到越低的導通電阻（VCS=20V以上則逐漸飽和）。如果
2019-05-07 06:21:55
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-05-06 09:15:52
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-25 06:20:09
如此。我想以二極管為例詳細進行說明。下圖是SiC-SBD、Si-SBD、Si-PND的示意圖，顯示了電流流動的機理。SiC-SBD和Si-SBD都是肖特基勢壘二極管，因此金屬與n型半導體間形成的肖特基
2018-12-03 15:12:02
半導體材料可實現比硅基表親更小，更快，更可靠的器件，并具有更高的效率，這些功能使得在各種電源應用中減少重量，體積和生命周期成本成為可能。 Si，SiC和GaN器件的擊穿電壓和導通電阻。 Si，SiC
2022-08-12 09:42:07
二極管中觀察到的電容恢復特性為獨立于溫度，正向電流水平以及關斷dI/dt。在Si技術中，不切實際外延規范將肖特基二極管降級為< 600 V的應用。GeneSiC的1200 V SiC肖特基二極管是專門設計的，以盡量減少電容電荷，從而實現更快的開關瞬變。
2023-06-16 11:42:39
全球知名半導體制造商ROHM（總部位于日本京都市）的SiC MOSFET和SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SiC SBD”）已被成功應用于大功率模擬模塊制造商ApexMicrotechnology
2023-03-29 15:06:13
SBD耐壓均在200V以內，更高電壓應用往往選擇Si FRD，盡管FRD技術不斷發展，但仍然無法完全消除反向恢復的問題。SiC的SBD可以將耐壓提高到3.3kV，極大地擴展了SBD的應用范圍。
2
2023-10-07 10:12:26
要充分認識 SiC MOSFET 的功能，一種有用的方法就是將它們與同等的硅器件進行比較。SiC 器件可以阻斷的電壓是硅器件的 10 倍，具有更高的電流密度，能夠以 10 倍的更快速度在導通和關斷
2017-12-18 13:58:36
的trr。SiC-SBD的trr通過與Si-FRD的比較介紹過Si-SBD具有優異的trr特性，而且幾乎沒有溫度及電流依賴性。SiC-SBD的正向特性Si-SBD的正向特性與Si-PND不同。這取決于物理
2018-11-29 14:33:47
ROHM近期推出的“SCS3系列”是第三代SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SiC-SBD”）產品。ROHM的每一代SiC-SBD產品的推出都是正向電壓降低、各特性得以改善的持續改進過程。當前正在
2018-12-04 10:15:20
SiC功率模塊”量產。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關并可大幅降低損耗。關于這一點，根據這之前介紹過的SiC-SBD和SiC-MOSFET的特點與性能，可以很容易理解
2018-11-27 16:38:04
3賽季）與文圖瑞車隊簽署官方技術合作協議，并在上個賽季為其提供了SiC肖特基勢壘二極管（SiC-SBD）。通過將FRD更換為SiC-SBD，第2賽季由IGBT和快速恢復二極管（FRD）組成的逆變器成功
2018-12-04 10:24:29
封裝產品正在開發中）使用SiC SBD可顯著減少開通損耗，并大大降低應用產品的功耗“RGWxx65C系列”是使用ROHM的低損耗SiC SBD作為IGBT續流二極管的IGBT產品。 與使用Si快速恢復
2022-07-27 10:27:04
與Si的比較開發背景SiC的優點SiC-SBD（肖特基勢壘二極管）與Si二極管比較采用示例SiC-MOSFET與各種功率MOSFET比較運用事例全SiC模塊模塊的構成開關損耗運用要點SiC是在熱、化學
2018-11-29 14:39:47
，SiC-SBD的正向電壓VF為1V左右，與Si-FRD幾乎同等，但溫度系數則表現為與Si-FRD相反的“正相關”特性，隨溫度上升而増加。正向特性圖表的實線為25℃時的特性，虛線為125℃時的特性（以
2018-12-04 10:26:52
ROHM在全球率先實現了搭載ROHM生產的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關并可大幅降低
2018-12-04 10:14:32
的特點。第三代SiC-SBD的亮點在于，高溫時的正向電壓VF更低、抗浪涌電流性能IFSM更高、反向電流（漏電流）IR更低。請看右圖，第二代SiC-SBD通過制造工藝改進，不僅保持與第一代同等的漏電流IR
2018-12-03 15:11:25
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
肖特基勢壘二極管（SBD）是利用金屬與半導體的接合產生肖特基障壁的二極管。與普通PN結二極管相比，具有正向電壓（VF）更低，開關更快的特征。但是，有反向漏電流（IR）較大的缺點，其耐壓在200V以下，與其
2018-12-04 10:10:19
損傷，采用了低溫制造法，這樣SiC-SBD就實現了低噪聲化。并且，和傳統的Si-SBD相比，可實現高速開關工作?！局饕阅堋康烷_關損耗高頻工作受溫度影響較少的穩定特性封裝 TO-247【應用】高檔
2013-11-14 12:16:01
的選擇和比較進行了分析?？紤]了晶體管參數，如與時間相關的輸出有效電容（Co（tr））和關斷能量（Eoff）等，這會影響LLC轉換器的高性能成就。還分析了基于GaN、Si和SiC MOS的3KW 48V
2023-02-27 09:37:29
的快速充電器等的功率因數校正電路（PFC電路）和整流橋電路中。2. SiC-SBD的正向特性SiC-SBD的開啟電壓與Si-FRD相同，小于1V。開啟電壓由肖特基勢壘的勢壘高度決定，通常如果將勢壘高度
2019-05-07 06:21:51
-IGBT與SiC-SBD相結合以減少開關損耗，并提供半橋配置。為了保持兼容性，高速混合模塊使用與常規Si模塊相同的封裝，例如62mm標準封裝和EconoDual?3。以下各章描述了高速IGBT和SiC-SBD芯片的特性
2020-09-02 15:49:13
看出SiC-SBD基本覆蓋了Si-PND/FRD的耐壓范圍，因此可改善這個范圍的Si-PND/FRD的trr。SiC-SBD的trr通過與Si-FRD的比較介紹過Si-SBD具有優異的trr特性，而且
2019-07-10 04:20:13
低，可靠性高，在各種應用中非常有助于設備實現更低功耗和小型化。本產品于世界首次※成功實現SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝。內部二極管的正向電壓（VF）降低70％以上，實現更低損耗的同時
2019-03-18 23:16:12
合的時間會比普通的Silicon PN結二極管快很多，而且由于這種二極管只有一個單邊的空間電荷區，所以PN結電容也變小了，所以SBD一般都適合高頻應用。另外，Silicon PN結的二極管正向導通電壓都是
2023-02-08 16:40:30
ROHM在全球率先實現了搭載ROHM生產的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關并可大幅降低
2018-12-04 10:11:50
提出了SiC-SBD 氣體傳感器器件分析模型，利用當前流行的MATLAB 強大的計算編程功能，模擬了SiC-SBD氣體傳感器的電流-電壓特性，結果與實驗數據吻合很好，較好地解釋了Pd-SiC 肖
2009-06-30 16:08:46
19 羅姆展出了采用溝道構造的SiC制肖特基勢壘二極管(SBD)和MOSFET。溝道型SBD的特點在于，與普通SiC制SBD相比二極管導通電壓(以下稱導通電壓)較低。溝道型SBD的導通電壓為0.5V，降到了以往
2011-10-12 09:35:301111 SIC是什么呢？相比于Si器件，SiC功率器件的優勢體現在哪些方面？電子發燒友網根據SIC器件和SI器件的比較向大家講述了兩者在性能上的不同。
2012-12-04 10:23:4411979 新日本無線的這款新MUSES音頻系列產品 MUSES7001 是采用了粗銅線絲焊方式的音頻碳化硅肖特基二極管（SiC-SBD:Silicon Carbide-Schottky Barrier
2013-11-18 10:03:211549 相較于硅（ Si）器件，碳化硅（SiC）器件所具有的高開關速度與低通態電阻特性增加了其瞬態波形的非理想特性與對雜散參數影響的敏感性，對其瞬態建模的精度提出更高的要求。通過功率開關器件瞬態過程的時間
2018-02-01 14:01:343 前面讓我介紹基礎內容，這是非常必要的。要想更好地了解第三代產品的優勢與特點，需要先了解SiC-SBD的基本特性等。
2018-04-09 15:42:506274 Si-FRD從正向切換到反向的瞬間會產生極大的瞬態電流，在此期間轉移為反向偏壓狀態，從而產生很大的損耗。這是因為正向通電時積聚在漂移層內的少數載流子不斷地進行電傳導直到消亡（該時間也稱為積聚時間）。
2018-04-10 11:02:217703 羅姆在全球率先實現了搭載羅姆生產的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC功率模塊”量產。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關并可大幅降低損耗。
2018-05-17 09:33:1313514 受惠于電動車市場需求提升，為因應高電壓、高頻率及低耗損的技術需求，SiC(碳化硅)功率元件被視為接替高電壓IGBT的產品，可分為：SiC-SBD(SiC-蕭特基二極管)、SiC-MOSFET、Hybrid-SiC module(IGBT+SBD)以及Full-SiC module。
2019-05-06 15:54:492596 受惠于電動車市場需求提升，為因應高電壓、高頻率及低耗損的技術需求，SiC（碳化硅）功率元件被視為接替高電壓IGBT的產品，可分為：SiC-SBD（SiC-蕭特基二極管）、SiC
2019-05-22 17:29:121512 直到最近，功率模塊市場仍被硅（Si）絕緣柵雙極型晶體管（IGBT）把持。需求的轉移和對更高性能的關注，使得這些傳統模塊不太適合大功率應用，這就帶來了 SiC 基功率器件的應運而生。
2019-11-08 11:41:5317040 據了解，上海芯石在半導體功率器件芯片尤其是肖特基二極管芯片領域具有十幾年的技術儲備及行業經驗，目前業務產品主要覆蓋兩大類別：Si 類（SBD、 FRED、MOSFET、IGBT、ESD 等功率芯片產品）、SiC 類：（SiC-SBD、 SiC-MOSFET）。
2021-02-01 16:40:192464 
LLC 諧振轉換器可用于各種應用，如消費電子產品，以及可再生能源應用，如光伏、風能、水力和地熱等。本文提供了在 3KW 中建模的 Si 和 SiC MOSFET 的詳細比較具有寬輸入電壓范圍的半橋 LLC 轉換器。
2022-07-29 09:44:201209 
一、SiC模塊的特征 電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。 由IGBT
2023-01-12 16:35:47489 本章將介紹部分SiC-MOSFET的應用實例。其中也包括一些以前的信息和原型級別的內容，總之希望通過這些介紹能幫助大家認識采用SiC-MOSFET的好處以及可實現的新功能。另外，除了SiC-MOSFET，還可以從這里了解SiC-SBD、全SiC模塊的應用實例。
2023-02-06 14:39:51645 
1. 器件結構和特征 SiC能夠以高頻器件結構的SBD（肖特基勢壘二極管）結構得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。 因此，如果用SiC-SBD替換現在主流產品快速
2023-02-07 16:46:27501 1. SiC模塊的特征 大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。 由IGBT
2023-02-07 16:48:23646 
繼SiC功率元器件的概述之后，將針對具體的元器件進行介紹。首先從SiC肖特基勢壘二極管開始。SiC肖特基勢壘二極管和Si肖特基勢壘二極管：下面從SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SBD”）的結構開始介紹。
2023-02-08 13:43:17612 
下面從SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SBD”）的結構開始介紹。如下圖所示，為了形成肖特基勢壘，將半導體SiC與金屬相接合（肖特基結）。結構與Si肖特基勢壘二極管基本相同，其重要特征也是具備高速特性。
2023-02-08 13:43:17404 
二極管的正向電壓VF無限接近零、對溫度穩定是比較理想的，但事實是不是零、并會受溫度影響而變動。為了使大家了解SiC-SBD的VF特性，下面與Si-PND的FRD（快速恢復二極管）進行比較。
2023-02-08 13:43:18378 
為了使大家了解SiC-SBD，前面以Si二極管為比較對象，對特性進行了說明。其中，也談到SiC-SBD本身也發展到第2代，性能得到了提升。
2023-02-08 13:43:18396 
關于SiC-SBD，前面介紹了其特性、與Si二極管的比較、及當前可供應的產品。本篇將匯總之前的內容，并探討SiC-SBD的優勢。
2023-02-08 13:43:18705 
SiC作為半導體材料的歷史不長，與Si功率元器件相比其實際使用業績還遠遠無法超越，可能是其可靠性水平還未得到充分認識。這是ROHM的SiC-SBD可靠性試驗數據。
2023-02-08 13:43:18364 
繼前篇結束的SiC-SBD之后，本篇進入SiC-MOSFET相關的內容介紹。功率轉換電路中的晶體管的作用非常重要，為進一步實現低損耗與應用尺寸小型化，一直在進行各種改良。
2023-02-08 13:43:19211 
從本文開始，將逐一進行SiC-MOSFET與其他功率晶體管的比較。本文將介紹與Si-MOSFET的區別。尚未使用過SiC-MOSFET的人，與其詳細研究每個參數，不如先弄清楚驅動方法等與Si-MOSFET有怎樣的區別。
2023-02-08 13:43:20644 
繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產品，都有哪些機型。
2023-02-08 13:43:21685 
ROHM近期推出的"SCS3系列"是第三代SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱"SiC-SBD"）產品。ROHM的每一代SiC-SBD產品的推出都是正向電壓降低、各特性得以改善的持續改進過程。
2023-02-10 09:41:07305 
ROHM近期推出的“SCS3系列”是第三代SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SiC-SBD”）產品。ROHM的每一代SiC-SBD產品的推出都是正向電壓降低、各特性得以改善的持續改進過程。
2023-02-10 09:41:07611 
ROHM在全球率先實現了搭載ROHM生產的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關并可大幅降低損耗。
2023-02-10 09:41:081333 
ROHM在全球率先實現了搭載ROHM生產的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開關并可大幅降低損耗。
2023-02-13 09:30:04331 
ROHM努力推進最適合處理高耐壓與大電流電路使用SiC（碳化硅）材料的SBD（肖特基勢壘二極管）。2010年在日本國內率先開始SiC SBD的量產，目前正在擴充第二代SIC-SBD產品陣容，并推動在包括車載在內的各種應用中的采用。
2023-02-13 09:30:07401 
－進入主題之前請您介紹了很多基礎內容，下面請您介紹一下第三代SiC-SBD。SCS3系列被稱為“第三代”，首先請您講一講各“代”的歷史。前面讓我介紹基礎內容，這是非常必要的。
2023-02-16 09:55:07759 
繼SiC功率元器件的概述之后，將針對具體的元器件進行介紹。首先從SiC肖特基勢壘二極管開始。
2023-02-22 09:16:27492 
面對SiC-SBD和Si-PND的特征進行了比較。接下來比較SiC-SBD和Si-PND的反向恢復特性。反向恢復特性是二極管、特別是高速型二極管的基本且重要的參數，所以不僅要比較trr的數值，還要理解其波形和溫度特性，這樣有助于有效使用二極管。
2023-02-22 09:17:07198 
為了使大家了解SiC-SBD，前面以Si二極管為比較對象，對特性進行了說明。其中，也談到SiC-SBD本身也發展到第2代，性能得到了提升。由于也有宣布推出第3代產品的，所以在此匯總一下SiC-SBD的發展，整理一下當前實際上供應的SiC-SBD。
2023-02-22 09:19:45355 
SiC-SBD為形成肖特基勢壘，將半導體SiC與金屬相接合（肖特基結）。結構與Si肖特基勢壘二極管基本相同，僅電子移動、電流流動。而Si-PND采用P型硅和N型硅的接合結構，電流通過電子與空穴（孔）流動。
2023-02-23 11:24:11586 
本文將介紹與Si-MOSFET的區別。尚未使用過SiC-MOSFET的人，與其詳細研究每個參數，不如先弄清楚驅動方法等與Si-MOSFET有怎樣的區別。在這里介紹SiC-MOSFET的驅動與Si-MOSFET的比較中應該注意的兩個關鍵要點。
2023-02-23 11:27:57736 
繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文想讓大家了解全SiC功率模塊具體是什么樣的產品，都有哪些機型。之后計劃依次介紹其特點、性能、應用案例和使用方法。
2023-02-24 11:51:08430 
來源：國星光電官微 近日，國星光電開發的1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二極管）器件成功通過第三方權威檢測機構可靠性驗證，并獲得AEC-Q101車規級認證。這標志著國星光電第三代
2023-03-14 17:22:57393 
近日，國星光電開發的1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二極管）器件成功通過第三方權威檢測機構可靠性驗證，并獲得AEC-Q101車規級認證。這標志著國星光電第三代半導體功率器件產品
2023-03-20 19:16:30550 國星光電SiC-SBD器件采用TO-247-2L封裝形式,在長達1000小時的高溫、高濕等惡劣環境下驗證，仍能保持正常穩定的工作狀態，可更好地適應復雜多變的車載應用環境，具備高度的可靠性、安全性和穩定性。
2023-03-22 10:56:52537 碳化硅（SiC）器件是一種新興的技術，具有傳統硅所缺乏的多種特性。SiC具有比Si更寬的帶隙，允許更高的電壓阻斷，并使其適用于高功率和高電壓應用。此外，SiC還具有比Si更低的熱阻，這意味著它可以更有效地散熱，具有更高的可靠性。
2023-04-13 11:01:161469 我們從SiC肖特基勢壘二極管（以下簡稱“SBD”）的結構開始介紹。如下圖所示，為了形成肖特基勢壘，將半導體SiC與金屬相接合（肖特基結）。結構與Si肖特基勢壘二極管基本相同，其重要特征也是具備高速特性。
2023-07-18 09:47:30236 
，該產品在650和1200伏的電壓下工作。Bourns?SiC SBD產品系列已經擴展到包括十個額外的型號，所有這些型號都是為了滿足最近的交通、可再生能源和工業應用對功率密度日益增長的需求而設計的。 在當今的高頻和高電流應用中，諸如峰值正向浪涌、低正向壓降、降低的熱阻和低功率損耗
2023-10-13 17:06:38866 繼1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二極管）器件獲AEC-Q101車規級認證后
2023-10-25 18:28:10423 
SiC SBD的高耐壓（反壓）特性
2023-12-13 15:27:55197 
電子發燒友App
工商網監
評論