、柔性輸電等新能源領(lǐng)域中應用的不斷擴展，現代社會(huì )對電力電子變換器的效率和功率密度提出了更高的要求，需要器件在較高溫度環(huán)境時(shí)仍具有更優(yōu)越的開(kāi)關(guān)性能以及更小的結溫和結溫波動(dòng)。SiC肖特基勢壘二極管(SBD
2019-10-24 14:25:15
?！ ?b class="flag-6" style="color: red">SiC肖特基勢壘二極管（SBD）在大功率應用方面的最大優(yōu)勢在于近乎理想的動(dòng)態(tài)特性。在反向恢復瞬態(tài)，當二極管從正向導通模式轉變?yōu)榉聪蜃钄嗄Ｊ綍r(shí)，有很低的反向恢復時(shí)間，而且在整個(gè)工作溫度范圍內保持
2020-09-24 16:22:14
SIC碳化硅二極管
2016-11-04 15:50:11
阻。盡管普通二極管的“慣性”較大，但是在超過(guò)200V的工作電壓場(chǎng)合，普通的PIN二極管占主導地位?！ ≡从诠杌男ぬ鼗?b class="flag-6" style="color: red">二極管，近年來(lái)開(kāi)發(fā)出來(lái)新的基于碳化硅(SiC)的肖特基二極管用于一些效率很關(guān)鍵的電力
2019-01-02 13:57:40
的AC/DC轉換和功率轉換為目的的二極管和MOSFET，以及作為電源輸出段的功率模塊等來(lái)分類(lèi)等等。在這里，分以下二個(gè)方面進(jìn)行闡述：一是以傳統的硅半導體為基礎的“硅（Si）功率元器件”，另一是與Si
2018-11-28 14:34:33
Si整流器與SiC二極管：誰(shuí)會(huì )更勝一籌
2021-06-08 06:14:04
面對SiC-SBD和Si-PND的特征進(jìn)行了比較。接下來(lái)比較SiC-SBD和Si-PND的反向恢復特性。反向恢復特性是二極管、特別是高速型二極管的基本且重要的參數，所以不僅要比較trr的數值，還要
2018-11-29 14:34:32
前面對SiC-SBD和Si-PND的反向恢復特性進(jìn)行了比較。下面對二極管最基本的特性–正向電壓VF特性的區別進(jìn)行說(shuō)明。SiC-SBD和Si-PND正向電壓特性的區別二極管的正向電壓VF無(wú)限接近零
2018-11-30 11:52:08
，已實(shí)施了評估的ROHM的SiC-SBD，在與我們熟知的Si晶體管和IC可靠性試驗相同的試驗中，確保了充分的可靠性。另外，關(guān)于SiC-SBD，可能有人聽(tīng)說(shuō)過(guò)有與dV/dt或dI/dt相關(guān)的破壞模式
2018-11-30 11:50:49
時(shí)間trr快（可高速開(kāi)關(guān)）?trr特性沒(méi)有溫度依賴(lài)性?低VF（第二代SBD）下面介紹這些特征在使用方面發(fā)揮的優(yōu)勢。大幅降低開(kāi)關(guān)損耗SiC-SBD與Si二極管相比，大幅改善了反向恢復時(shí)間trr。右側的圖表為
2019-03-27 06:20:11
介紹。如下圖所示，為了形成肖特基勢壘，將半導體SiC與金屬相接合（肖特基結）。結構與Si肖特基勢壘二極管基本相同，其重要特征也是具備高速特性。而SiC-SBD的特征是其不僅擁有優(yōu)異的高速性還同時(shí)實(shí)現了高
2018-11-29 14:35:50
ROHM努力推進(jìn)最適合處理高耐壓與大電流電路使用SiC（碳化硅）材料的SBD（肖特基勢壘二極管）。2010年在日本國內率先開(kāi)始SiC SBD的量產(chǎn)，目前正在拓展第二代SiC-SBD，并推動(dòng)在包括車(chē)載
2018-12-04 10:09:17
為了使大家了解SiC-SBD，前面以Si二極管為比較對象，對特性進(jìn)行了說(shuō)明。其中，也談到SiC-SBD本身也發(fā)展到第2代，性能得到了提升。由于也有宣布推出第3代產(chǎn)品的，所以在此匯總一下SiC-SBD
2018-11-30 11:51:17
1. 器件結構和特征SiC能夠以高頻器件結構的SBD（肖特基勢壘二極管）結構得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現在主流產(chǎn)品快速PN結
2019-03-14 06:20:14
1. 器件結構和特征SiC能夠以高頻器件結構的SBD（肖特基勢壘二極管）結構得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現在主流產(chǎn)品快速PN結
2019-04-22 06:20:22
SiC-MOSFET－溝槽結構SiC-MOSFET與實(shí)際產(chǎn)品SiC功率元器件基礎篇前言前言何謂SiC（碳化硅）？何謂碳化硅SiC功率元器件的開(kāi)發(fā)背景和優(yōu)點(diǎn)SiC肖特基勢壘二極管所謂SiC-SBD－特征以及與Si
2018-11-27 16:40:24
功率元器件的開(kāi)發(fā)背景和優(yōu)點(diǎn)SiC肖特基勢壘二極管所謂SiC-SBD－特征以及與Si二極管的比較所謂SiC-SBD－與Si-PND的反向恢復特性比較所謂SiC-SBD－與Si-PND的正向電壓比較所謂
2018-11-27 16:38:39
如此。我想以二極管為例詳細進(jìn)行說(shuō)明。下圖是SiC-SBD、Si-SBD、Si-PND的示意圖，顯示了電流流動(dòng)的機理。SiC-SBD和Si-SBD都是肖特基勢壘二極管，因此金屬與n型半導體間形成的肖特基
2018-12-03 15:12:02
防雷過(guò)壓器件的具體作用二極管的應用二極管是什么原理二極管有哪些分類(lèi)？
2021-03-16 13:54:35
二極管簡(jiǎn)易直流穩壓電路及故障處理二極管溫度補償電路及故障處理二極管控制電路及故障處理二極管限幅電路及故障處理二極管開(kāi)關(guān)電路及故障處理二極管檢波電路及故障處理繼電器驅動(dòng)電路中二極管保護電路及故障處理
2021-03-10 07:14:45
Boost升壓PFC電感上的二極管是做什么的？二極管的作用
2021-02-24 07:49:55
VF特征的肖特基勢壘二極管，下面將分別予以說(shuō)明。雖然作了上述分類(lèi)，但原則上，Si二極管均屬由陽(yáng)極和陰極構成的元器件，表示其本質(zhì)功能和特性的項目基本相同。那么“究竟有什么區別呢？”，答案就是“根據
2018-12-03 14:30:32
?二極管的參數是選用二極管的決定性因素之一，二極管的壓降的其中的一種。? 二極管在正向導通的時(shí)候，流過(guò)電流的時(shí)候會(huì )產(chǎn)生壓降。一般情況下，這個(gè)壓降和正向電流以及溫度有關(guān)。通常硅二極管，電流越大，壓降越大。溫度越高，壓降越小。但是碳化硅二極管卻是溫度越高，壓降越大。二極管規格書(shū)下載：
2021-03-22 17:25:26
? 一、ESD靜電二極管，主要功能是防靜電，然而防靜電要求電容值低，一般在1--3.5PF之間最好；而TVS二極管的電容值卻比較高。二、ESD保護二極管，主要應用于板級保護；TVS二極管用于初級
2022-05-18 11:23:17
二極管中觀(guān)察到的電容恢復特性為獨立于溫度，正向電流水平以及關(guān)斷dI/dt。在Si技術(shù)中，不切實(shí)際外延規范將肖特基二極管降級為< 600 V的應用。GeneSiC的1200 V SiC肖特基二極管是專(zhuān)門(mén)設計的，以盡量減少電容電荷，從而實(shí)現更快的開(kāi)關(guān)瞬變。
2023-06-16 11:42:39
湊的系統），內部體二極管能夠像mosfet一樣處理電流嗎？可以說(shuō)25A電流，還是應該使用外部體二極管？如果我使用外部體二極管;我可以使用快速恢復二極管嗎？那將是什么缺點(diǎn)。外部SiC SBD是昂貴
2019-05-29 06:12:00
的阻抗值由高阻抗變?yōu)榈妥杩?，以吸收一個(gè)瞬間大電流，把TVS的兩端電壓箝制在一個(gè)預定的數值上，從而保護后級電路不受瞬態(tài)高壓尖峰脈沖的沖擊。那么，TVS二極管用什么替代？這個(gè)問(wèn)題比較模糊。關(guān)于能否用穩壓二極管
2022-05-19 15:30:42
TVS二極管，也叫瞬變二極管、瞬態(tài)電壓抑制二極管、瞬變抑制二極管、瞬態(tài)抑制二極管、TVS、TVS二極管、TVS管、二極管TVS等等，叫法很多，不同的客戶(hù)叫法略有差異，但是東西都是一個(gè)東西，是防浪涌
2022-05-25 14:16:57
肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢壘二極管（SchottkyBarrierDiode,縮寫(xiě)成SBD）的簡(jiǎn)稱(chēng)。SBD不是利用P型半導體與N型半導體接觸形成
2010-08-17 09:31:20
，有助于滿(mǎn)足現代電子技術(shù)對高溫、高功率、高壓、高頻以及抗輻射等惡劣條件的新要求。
二、 SiC的性能優(yōu)勢
1、SiC SBD可將耐壓提高到3.3kV，極大擴展了SBD的應用范圍
肖特基二極管
2023-10-07 10:12:26
續流二極管作用及工作原理是什么？續流二極管為什么要反向接個(gè)二極管呢？續流二極管在正激開(kāi)關(guān)電源的作用是什么？在變流技術(shù)中，續流二極管在電路里起什么作用？
2021-07-06 06:53:37
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術(shù)，提供更出色的開(kāi)關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無(wú)反向恢復電流，且具有不受溫度影響的開(kāi)關(guān)特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導體。安森美半導體
2018-10-29 08:51:19
發(fā)光二極管與激光二極管在發(fā)光原理上有何差別？發(fā)光二極管與激光二極管在工作原理上有何差別？發(fā)光二極管與激光二極管在架構上有何差別？發(fā)光二極管與激光二極管在效能上有何差別？
2021-07-28 07:02:48
關(guān)于SiC-SBD，前面介紹了其特性、與Si二極管的比較、及當前可供應的產(chǎn)品。本篇將匯總之前的內容，并探討SiC-SBD的優(yōu)勢。SiC-SBD、Si?SBD、Si-PND的特征SiC-SBD為形成
2018-11-29 14:33:47
從本文開(kāi)始進(jìn)入新的一章。繼SiC概要、SiC-SBD（肖特基勢壘二極管 ）、SiC-MOSFET之后，來(lái)介紹一下完全由SiC功率元器件組成的“全SiC功率模塊”。本文作為第一篇，想讓大家了解全SiC
2018-11-27 16:38:04
封裝產(chǎn)品正在開(kāi)發(fā)中）使用SiC SBD可顯著(zhù)減少開(kāi)通損耗，并大大降低應用產(chǎn)品的功耗“RGWxx65C系列”是使用ROHM的低損耗SiC SBD作為IGBT續流二極管的IGBT產(chǎn)品。 與使用Si快速恢復
2022-07-27 10:27:04
`快恢復二極管從名稱(chēng)上很好理解，肖特基二極管是以人名命名，由于制造I藝完全不同，是肖特基博士的一個(gè)創(chuàng )新。肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士(Schottky) 命名的，SBD是肖特基二極管
2018-11-01 15:26:11
與Si的比較開(kāi)發(fā)背景SiC的優(yōu)點(diǎn)SiC-SBD（肖特基勢壘二極管）與Si二極管比較采用示例SiC-MOSFET與各種功率MOSFET比較運用事例全SiC模塊模塊的構成開(kāi)關(guān)損耗運用要點(diǎn)SiC是在熱、化學(xué)
2018-11-29 14:39:47
1.整流二極管作用：利用PN結的單向導電性把交流電變成脈動(dòng)直流電，整流二極管結構主要是平面接觸型，其特點(diǎn)是允許通過(guò)的電流比較大，反向擊穿電壓比較高，但PN結電容比較大，一般廣泛應用于處理頻率不高
2018-10-18 15:45:32
的優(yōu)勢。大幅降低開(kāi)關(guān)損耗SiC-SBD與Si二極管相比，大幅改善了反向恢復時(shí)間trr。右側的圖表為SiC-SBD與Si-FRD（快速恢復二極管）的trr比較?；謴偷臅r(shí)間trr很短，二極管關(guān)斷時(shí)的反向電流
2018-12-04 10:26:52
相較于硅，碳化硅（SiC）肖特基二極管采用全新的技術(shù)，提供更出色的開(kāi)關(guān)性能和更高的可靠性。SiC無(wú)反向恢復電流，且具有不受溫度影響的開(kāi)關(guān)特性和出色的散熱性能，因此被視為下一代功率半導體。
2019-07-25 07:51:59
電場(chǎng)而具有高擊穿電壓。例如，商用硅肖特基二極管的電壓小于300V，而第一個(gè)商用SiC肖特基二極管的擊穿電壓已達到600V。3）碳化硅具有較高的導熱性。4）SiC器件可以在更高的溫度下工作，而Si器件
2023-02-07 15:59:32
如何識別普通二極管？晶體二極管的參數有哪些？普通二極管怎么使用？
2021-06-08 06:38:05
SiC-MOSFET和SiC-SBD（肖特基勢壘二極管）組成的類(lèi)型，也有僅以SiC-MOSFET組成的類(lèi)型。與Si-IGBT功率模塊相比，開(kāi)關(guān)損耗大大降低處理大電流的功率模塊中，Si的IGBT與FRD
2018-12-04 10:14:32
請問(wèn)一下怎樣使用集成二極管和外部二極管呢？
2022-12-05 12:04:41
1. SiC模塊的特征大電流功率模塊中廣泛采用的主要是由Si材料的IGBT和FRD組成的IGBT模塊。ROHM在世界上首次開(kāi)始出售搭載了SiC-MOSFET和SiC-SBD的功率模塊。由IGBT的尾
2019-03-12 03:43:18
他Si二極管相比不算很高。ROHM的SBD產(chǎn)品陣容不僅具有以超低VF為特征的用于提升效率的系列，還具有保持耐壓的同時(shí)將IR抑制到微安培的超低IR系列。下圖為針對應用要求，以IR為縱軸，以VF為橫軸
2018-12-04 10:10:19
新日本無(wú)線(xiàn)的這款新MUSES音頻系列產(chǎn)品 MUSES7001 是采用了粗銅線(xiàn)絲焊方式的音頻碳化硅肖特基二極管(SiC-SBD:Silicon Carbide-Schottky Barrier
2013-11-14 12:16:01
普通二極管和肖特基二極管的伏安特性如何
2021-10-13 08:57:54
正常情況下，要滿(mǎn)足穩壓二極管的反向電壓是等于或者大于整流二極管的方向電壓。普通二極管是指工藝材料沒(méi)有什么特殊的二極管。其性能也就沒(méi)有特點(diǎn)了。能不能代替整流二極管呢？根據二極管的使用原則，只要其耐壓
2021-05-26 16:49:24
1. 器件結構和特征SiC能夠以高頻器件結構的SBD（肖特基勢壘二極管）結構得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。因此，如果用SiC-SBD替換現在主流產(chǎn)品快速PN結
2019-05-07 06:21:51
肖特基二極管包括普通功率肖特基勢壘二極管(PowerSchottkyBarrierDiode,SBD)、結勢壘控制的肖特基(JunctionBarrierControlledShottky，JBS
2019-02-12 15:38:27
二極管和超快恢復二極管、快速恢復二極管、硅高頻整流二極管、硅高速開(kāi)關(guān)二極管的性能比較。由表可見(jiàn)，硅高速開(kāi)關(guān)二極管的trr雖極低，但平均整流電流很小，不能作大電流整流用。4、SiC高壓SBD 由于Si
2016-11-14 20:01:52
電子元器件在模塊中運用的二極管有穩壓二極管，整流二極管，其中整流二極管在電壓轉換進(jìn)程中扮演了重要的角色。在變壓器的輸入端，兩個(gè)整流二極管在不同時(shí)段導通，使交流脈動(dòng)電壓轉換為直流脈動(dòng)。在本實(shí)驗中
2012-12-13 15:06:51
1.ESD靜電二極管，主要功能是防靜電，然而防靜電要求電容值低，一般在1--3.5PF之間最好；而TVS二極管的電容值卻比較高。2.ESD保護二極管，主要應用于板級保護；TVS二極管用于初級和次級
2020-12-24 14:55:58
1.ESD靜電二極管，主要功能是防靜電，然而防靜電要求電容值低，一般在1--3.5PF之間最好；而TVS二極管的電容值卻比較高。2.ESD保護二極管，主要應用于板級保護；TVS二極管用于初級和次級
2021-12-30 17:52:36
Toshiba研發(fā)出一種SiC金屬氧化物半導體場(chǎng)效應晶體管（MOSFET)，其將嵌入式肖特基勢壘二極管（SBD）排列成格子花紋（check-pattern embedded SBD），以降低導通電
2023-04-11 15:29:18
`海飛樂(lè )技術(shù)目前產(chǎn)品范圍包括有：快恢復二極管、FRD模塊、肖特基二極管、SBD模塊、MOS管、MOS模塊，各種以及寬禁帶（WBG）半導體器件，涵蓋變頻、逆變、新能源汽車(chē)、充電樁、高頻電焊、特種電源等
2019-10-24 14:21:23
穩壓二極管；反之，如果測得的反向電阻值仍很大，說(shuō)明該管為整流二極管或檢波二極管。這種判別方法的原理是，萬(wàn)用表Rx1k擋內部使用的電池電壓為1.5V，一般不會(huì )將被測管反向擊穿，所以測出的反向電阻值比較大。而用
2021-08-16 17:04:51
擊穿前通過(guò)反向特征和PN結雪崩效應,他們都有穩定電壓反向接入電路的功能,但是它們不是相同的。穩壓二極管用于固定輸入電壓在某一值，TVS二極管主要用于防止瞬態(tài)高壓對箝位后電路;3.響應時(shí)間一般來(lái)說(shuō)
2021-12-21 11:16:32
本文描述了ROHM推出的SiC-SBD其特性、與Si二極管的比較、及當前可供應的產(chǎn)品，并探討SiC-SBD的優(yōu)勢。ROHM的SiC-SBD已經(jīng)發(fā)展到第3代。第3代產(chǎn)品的抗浪涌電流特性與漏電流特性得到
2019-07-10 04:20:13
低，可靠性高，在各種應用中非常有助于設備實(shí)現更低功耗和小型化。本產(chǎn)品于世界首次※成功實(shí)現SiC-SBD與SiC-MOSFET的一體化封裝。內部二極管的正向電壓（VF）降低70％以上，實(shí)現更低損耗的同時(shí)
2019-03-18 23:16:12
二極管?，F有肖特基二極管大多數是用硅（Si）半導體材料制作的。20世紀90年代以來(lái)，出現了用砷化鎵（GaAs）制作SBD。Si-SBD的特點(diǎn)是：正向壓降PN結二極管的UDF低，僅為后者的1/2～1/3
2021-01-13 16:36:44
在通信電源、變頻器等中比較常見(jiàn)，常用的封裝形式有：TO-220AB、ITO-220AB、TO-247，貼片肖特基二極管型號命名以SS開(kāi)頭的比較多。肖特基二極管：根據所承受電流的的限度，封裝形式大致分為
2021-07-09 11:45:01
，這個(gè)接觸面稱(chēng)為“金屬半導體結”，其全名應為肖特基勢壘二極管，簡(jiǎn)稱(chēng)為肖特基二極管?，F有肖特基二極管大多數是用硅（Si）半導體材料制作的。20世紀90年代以來(lái)，出現了用砷化鎵（GaAs）制作SBD
2019-01-03 13:36:59
肖特基二極管正向導通電壓很低，只有0.4V，反向在擊穿電壓之前不會(huì )導通，起到快速反應開(kāi)關(guān)的作用。而穩壓二極管正向導通電壓跟普通二級管一樣約為0.7V，反向狀態(tài)下在臨界電壓之前截止，在達到臨界電壓
2020-09-25 15:38:08
它的恢復時(shí)間短。它也有一些缺點(diǎn)：耐壓比較低，漏電流稍大些。選用時(shí)要全面考慮?！ ⌒ぬ鼗?b class="flag-6" style="color: red">二極管又稱(chēng)肖特基勢壘二極管（簡(jiǎn)稱(chēng)SBD），它屬一種低功耗、超高速半導體器件。最顯著(zhù)的特點(diǎn)為反向恢復時(shí)間極短（可以
2019-02-20 12:01:29
非?？?，開(kāi)關(guān)損耗也特別小，尤其適合于高頻應用?！ 〉?，由于SBD的反向勢壘較薄，并且在其表面極易發(fā)生擊穿，所以反向擊穿電壓比較低。由于SBD比PN結二極管更容易受熱擊穿，反向漏電流比PN結二極管
2017-10-19 11:33:48
肖特基二極管優(yōu)點(diǎn)：肖特基二極管具有開(kāi)關(guān)頻率高和正向壓降低等優(yōu)點(diǎn)，但其反向擊穿電壓比較低，大多不高于60V，最高僅約100V，以致于限制了其應用范圍。像在開(kāi)關(guān)電源（SMPS）和功率因數校正（PFC
2021-09-09 15:19:01
肖特基二極管原理； 肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD是肖特基勢壘二極管（SchottkyBarrierDiode，縮寫(xiě)成SBD）的簡(jiǎn)稱(chēng)。SBD不是利用P型
2021-04-17 14:10:23
（Schottky Barrier Diode 縮寫(xiě)成SBD）的簡(jiǎn)稱(chēng)。肖特基：Schottky整流：RectifierSR:即為肖特基整流二極管Schottky Rectifier Diode:肖特基整二極管
2021-06-30 17:04:44
（簡(jiǎn)稱(chēng)SBD）它屬于一種低功耗、超高速半導體器件。最顯著(zhù)的特點(diǎn)為反向恢復時(shí)間極短（可以小到幾納秒），正向導通壓降僅0.4V左右。其多用作高頻、低壓、大電流整流二極管、續流二極管、保護二極管，也有
2020-10-27 06:31:18
1.成本 目前肖特基二極管廣泛應用的最大障礙還是成本?？梢哉f(shuō)，如果肖特基二極管的成本能夠降到接近于硅器件的水平,那么很多問(wèn)題就能迎刃而解，而不會(huì )是今天這個(gè)局面。目前最典型的Sic肖特基=_極管產(chǎn)品
2018-11-14 14:54:30
肖特基（Schottky）二極管，又稱(chēng)肖特基勢壘二極管（簡(jiǎn)稱(chēng) SBD），它屬一種低功耗、超高速半導體器件。最顯著(zhù)的特點(diǎn)為反向恢復時(shí)間極短（可以小到幾納秒），正向導通壓降僅0.4V左右。其多用作高頻
2021-05-28 06:57:34
、放電時(shí)間，完全不同于PN結二極管的反向恢復時(shí)間。由于SBD的反向恢復電荷非常少，故開(kāi)關(guān)速度非?？?，開(kāi)關(guān)損耗也特別小，尤其適合于高頻應用?！ 【哂虚_(kāi)關(guān)頻率高和正向壓降低等優(yōu)點(diǎn)，但其反向擊穿電壓比較低，大多不高于60V，最高僅約100V，以致于限制了其應用范圍。`
2018-10-25 14:48:50
再次談及Si二極管，將說(shuō)明肖特基勢壘二極管（以下簡(jiǎn)稱(chēng)為SBD）的相關(guān)特征和應用。Si-SBD的特征 如前文所述，Si-SBD并非PN結，而是利用硅稱(chēng)之為勢壘金屬的金屬相接合（肖特基接合）所產(chǎn)生
2018-12-03 14:31:01
電子行業(yè)的采購人員來(lái)講，確實(shí)很頭疼，可能一不下心就會(huì )踏入誤區，看完下文，相信你會(huì )有醍醐灌頂的感覺(jué)。一、肖特基二極管定義：肖特基二極管是以其發(fā)明人肖特基博士（Schottky）命名的，SBD
2019-04-12 11:37:43
我發(fā)現現在大家在選型這個(gè)二極管的時(shí)候，一般都是采用那種快恢復的二極管，有些場(chǎng)合明明不需要高速的快恢復二極管，但是大家也一樣的采用了，看來(lái)是不是快恢復二極管已經(jīng)可以通吃整個(gè)二極管應用了？
2019-05-16 00:12:23
(Ge管)和硅二極管(Si管)。 根據其不同用途：可分為檢波二極管、整流二極管、穩壓二極管、開(kāi)關(guān)二極管、隔離二極管、肖特基二極管、發(fā)光二極管、硅功率開(kāi)關(guān)二極管、旋轉二極管等。 按照管芯結構
2019-09-12 14:48:45
1. 器件結構和特征 SiC能夠以高頻器件結構的SBD（肖特基勢壘二極管）結構得到600V以上的高耐壓二極管（Si的SBD最高耐壓為200V左右）。 因此，如果用SiC-SBD替換現在主流產(chǎn)品快速
2023-02-07 16:46:27
501 繼SiC功率元器件的概述之后，將針對具體的元器件進(jìn)行介紹。首先從SiC肖特基勢壘二極管開(kāi)始。SiC肖特基勢壘二極管和Si肖特基勢壘二極管：下面從SiC肖特基勢壘二極管（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“SBD”）的結構開(kāi)始介紹。
2023-02-08 13:43:17612 
下面從SiC肖特基勢壘二極管（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“SBD”）的結構開(kāi)始介紹。如下圖所示，為了形成肖特基勢壘，將半導體SiC與金屬相接合（肖特基結）。結構與Si肖特基勢壘二極管基本相同，其重要特征也是具備高速特性。
2023-02-08 13:43:17404 
二極管的正向電壓VF無(wú)限接近零、對溫度穩定是比較理想的，但事實(shí)是不是零、并會(huì )受溫度影響而變動(dòng)。為了使大家了解SiC-SBD的VF特性，下面與Si-PND的FRD（快速恢復二極管）進(jìn)行比較。
2023-02-08 13:43:18378 
為了使大家了解SiC-SBD，前面以Si二極管為比較對象，對特性進(jìn)行了說(shuō)明。其中，也談到SiC-SBD本身也發(fā)展到第2代，性能得到了提升。
2023-02-08 13:43:18396 
關(guān)于SiC-SBD，前面介紹了其特性、與Si二極管的比較、及當前可供應的產(chǎn)品。本篇將匯總之前的內容，并探討SiC-SBD的優(yōu)勢。
2023-02-08 13:43:18705 
SiC作為半導體材料的歷史不長(cháng)，與Si功率元器件相比其實(shí)際使用業(yè)績(jì)還遠遠無(wú)法超越，可能是其可靠性水平還未得到充分認識。這是ROHM的SiC-SBD可靠性試驗數據。
2023-02-08 13:43:18364 
ROHM近期推出的“SCS3系列”是第三代SiC肖特基勢壘二極管（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“SiC-SBD”）產(chǎn)品。ROHM的每一代SiC-SBD產(chǎn)品的推出都是正向電壓降低、各特性得以改善的持續改進(jìn)過(guò)程。
2023-02-10 09:41:07611 
ROHM在全球率先實(shí)現了搭載ROHM生產(chǎn)的SiC-MOSFET和SiC-SBD的“全SiC”功率模塊量產(chǎn)。與以往的Si-IGBT功率模塊相比，“全SiC”功率模塊可高速開(kāi)關(guān)并可大幅降低損耗。
2023-02-10 09:41:081333 
ROHM努力推進(jìn)最適合處理高耐壓與大電流電路使用SiC（碳化硅）材料的SBD（肖特基勢壘二極管）。2010年在日本國內率先開(kāi)始SiC SBD的量產(chǎn)，目前正在擴充第二代SIC-SBD產(chǎn)品陣容，并推動(dòng)在包括車(chē)載在內的各種應用中的采用。
2023-02-13 09:30:07401 
面對SiC-SBD和Si-PND的特征進(jìn)行了比較。接下來(lái)比較SiC-SBD和Si-PND的反向恢復特性。反向恢復特性是二極管、特別是高速型二極管的基本且重要的參數，所以不僅要比較trr的數值，還要理解其波形和溫度特性，這樣有助于有效使用二極管。
2023-02-22 09:17:07198 
二極管的正向電壓VF無(wú)限接近零、對溫度穩定是比較理想的，但事實(shí)是不是零、并會(huì )受溫度影響而變動(dòng)。為了使大家了解SiC-SBD的VF特性，下面與Si-PND的FRD（快速恢復二極管）進(jìn)行比較。
2023-02-22 09:18:59140 
為了使大家了解SiC-SBD，前面以Si二極管為比較對象，對特性進(jìn)行了說(shuō)明。其中，也談到SiC-SBD本身也發(fā)展到第2代，性能得到了提升。由于也有宣布推出第3代產(chǎn)品的，所以在此匯總一下SiC-SBD的發(fā)展，整理一下當前實(shí)際上供應的SiC-SBD。
2023-02-22 09:19:45355 
SiC-SBD為形成肖特基勢壘，將半導體SiC與金屬相接合（肖特基結）。結構與Si肖特基勢壘二極管基本相同，僅電子移動(dòng)、電流流動(dòng)。而Si-PND采用P型硅和N型硅的接合結構，電流通過(guò)電子與空穴（孔）流動(dòng)。
2023-02-23 11:24:11586 
來(lái)源：國星光電官微 近日，國星光電開(kāi)發(fā)的1200V/10A SiC-SBD（碳化硅-肖特基二極管）器件成功通過(guò)第三方權威檢測機構可靠性驗證，并獲得AEC-Q101車(chē)規級認證。這標志著(zhù)國星光電第三代
2023-03-14 17:22:57393 
我們從SiC肖特基勢壘二極管（以下簡(jiǎn)稱(chēng)“SBD”）的結構開(kāi)始介紹。如下圖所示，為了形成肖特基勢壘，將半導體SiC與金屬相接合（肖特基結）。結構與Si肖特基勢壘二極管基本相同，其重要特征也是具備高速特性。
2023-07-18 09:47:30236 
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