英飛凌發布新一代碳化硅(SiC)MOSFET溝槽柵技術

英飛凌科技股份公司推出的新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術，無疑為功率系統和能量轉換領域帶來了革命性的進步。與上一代產品相比，全新的CoolSiC? MOSFET 650V和1200V Generation 2技術在保證高質量和可靠性的基礎上，顯著提升了MOSFET的主要性能指標，如能量和電荷儲量，這一提升幅度高達20%。

這一技術突破不僅大幅提升了整體能效，更為推動低碳化進程做出了積極貢獻。隨著全球對低碳、環保的重視日益加深，英飛凌的這一創新無疑為工業、消費、汽車等領域的低碳化和數字化發展提供了強大的技術支持。

CoolSiC MOSFET G2技術的推出，進一步發揮了碳化硅在性能上的優勢。通過降低能量損耗，這一技術顯著提高了功率轉換過程中的效率，使得功率半導體應用領域的客戶能夠享受到更高的性能和更低的能耗。

特別是在光伏、儲能、直流電動汽車充電、電機驅動和工業電源等領域，CoolSiC MOSFET G2技術展現出了巨大的應用潛力。以電動汽車為例，采用CoolSiC G2的直流快速充電站能夠最高減少10%的功率損耗，從而在不影響外形尺寸的情況下實現更高的充電功率，大大提升了用戶體驗。同時，基于CoolSiC G2器件的牽引逆變器還能夠進一步增加電動汽車的續航里程，為電動汽車市場的快速發展提供了有力支持。

在可再生能源領域，CoolSiC G2技術同樣發揮了重要作用。采用這一技術的太陽能逆變器可以在保持高功率輸出的同時實現更小的尺寸，從而降低了每瓦成本，提高了太陽能系統的整體經濟效益。

總的來說，英飛凌科技股份公司推出的新一代碳化硅（SiC）MOSFET溝槽柵技術為功率系統和能量轉換領域帶來了前所未有的變革。這一技術的廣泛應用將有力推動各行業的低碳化進程，為構建綠色、可持續的未來社會做出重要貢獻。