三星計劃應用TC-NCF工藝生產16層HBM4內存

據4月19日消息，三星半導體近期在韓國官網上發布兩位高層關于HBM內存的訪問錄。其中，他們透露出三星正計劃將TC-NCF技術應用于16層HBM4內存制造。

TC-NCF是有凸塊的傳統多層DRAM間鍵合工藝，相比無凸塊的混合鍵合技術更為成熟，然而由于凸塊的存在，采用TC-NCF生產的同層數HBM內存厚度會相應增加。

三星透露，近期已成功運用TC-NCF鍵合工藝推出12層堆疊的36GB HBM3E內存。在此過程中，三星通過結構優化解決了發熱問題，確保了高堆疊層數下HBM的穩定性。

除了繼續沿用TC-NCF鍵合技術，據IT之家早先報道，三星在HBM4內存生產中還將采用混合鍵合技術，采取“雙管齊下”策略。

三星高層認為，若AI處理器及內存制造商各自優化產品，難以滿足未來AGI對算力的需求，故雙方需緊密協作，為特定AI需求量身打造HBM內存便是實現AGI的關鍵步驟。

三星電子將充分發揮其全產業鏈優勢，包括邏輯芯片代工、內存生產以及先進封裝業務，構建HBM內存定制生態平臺，以迅速響應用戶的個性化需求。

另外，三星電子已經開始與客戶探討未來的3D HBM內存（即將HBM與邏輯芯片垂直整合）方案。