三星電子HBM存儲技術進展：12層HBM3E芯片，2TB/s帶寬HBM4即將上市

韓國科技巨頭三星電子在高帶寬存儲技術（HBM）領域快速崛起，成功研發12層DRAm的HBM3E芯片后，有望取代現有領導者英偉達，成為該市場的唯一供應商。

據業內透露，三星在HBM3E芯片研發方面遙遙領先其他公司，有能力在2024年9月實現對英偉達的替代，這意味著它將成為英偉達12層HBM3E的壟斷供應商。然而，三星方面不愿透露具體客戶信息。

2024年2月份，美光率先宣布8層HBM3E投入大規模生產。緊接著，三星也公開宣傳已經成功研發出36GB容量的12層HBM3E產品。值得注意的是，盡管體量更大，但是12層HBM3E仍舊保持著與8層HBM3E同等的厚度。

相較之下，12層版的HBM3E能夠提供高達1280GB/s的巨大帶寬。性能與容量比8層版本提升50%以上，有望在2024年末開始規?；慨a。

盡管三星官方目前仍未公布HBM3E的量產計劃，但英偉達首席執行官黃仁勛早前出席GTC 2024時確認，三星的HBM產品處于驗證階段。許多人都在猜想，三星HBM3E很可能順利通過驗證期。

國際固態電路會議（ISSCC 2024）期間，三星宣布即將推出的HBM4具備2TB/s的超高帶寬，相較之前的第五代HBM（HBM3E）提升幅度達到了驚人的66%，且輸入輸出（I/O）數量翻番。三星計劃在2026年大規模投產HBM4，這意味著更激烈的行業競爭與持續關注。