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向800V平臺挺進!

芯片崛起之路 ? 來源:芯片崛起之路 ? 2023-09-20 16:47 ? 次閱讀

隨著汽車電動化及800V高壓平臺的大規模上車,碳化硅功率器件(SiC)將進入快速爆發期。

2021年以來,車企掀起了一輪大功率快充車型的發布熱潮,有廣汽埃安、吉利極氪、理想汽車、比亞迪、北汽極狐等車企陸續發布了搭載800V高電壓平臺的車型,其中不少都將量產時間定在了2022年。

實際上早在2019年,保時捷就在Taycan搭載了800V高壓快充平臺,也是最早搭載該技術的車企,曾一度成為新能源汽車發展的風向標。

2022年成為了800V高壓平臺“元年”,未來,這一技術將進入更多的新能源汽車,800V平臺架構甚至將成為高壓快充的重要解決方案,開啟超高壓快充時代。

在800V甚至更高水平的平臺上,高壓快充會涉及到車內電源到車外充電整個電路,具備耐高壓、耐高溫、高頻等優勢的碳化硅器件(SiC),無疑將成為硅基IGBT芯片最佳的替代方案!

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隨著電動車滲透率不斷升高,以及整車架構朝800V高壓方向邁進,預估2025年全球電動車市場對6英寸SiC晶圓需求可達169萬片,未來幾年SiC功率器件將隨著汽車電動化及800V高壓平臺的大規模上車,進入快速爆發期。

未來,以SiC為核心的800V強電系統,將在主逆變器、電機驅動系統、DC-DC、車載充電器(OBC)以及非車載充電樁等領域迎來規?;l展。

碳化硅(SiC)這條“賽道”愈發呈現出欣欣向榮之勢,不管是汽車產業鏈上游的芯片企業和一級零部件供應商,還是下游傳統車企和造車新勢力,都在瘋狂押注碳化硅,合資建廠、擴大產能、簽署供貨協議等等消息接踵而至。如此瘋狂的碳化硅半導體究竟有什么魔力,這就需要從其材料本身的性能來看。

碳化硅(SiC)是第三代半導體產業發展的重要基礎材料,與Si相比,SiC在耐高壓、耐高溫、高頻等方面具備碾壓優勢,是材料端革命性的突破。SiC擊穿場強是Si的10倍,這意味著同樣電壓等級的SiC MOSFET外延層厚度只需要Si的十分之一,對應漂移區阻抗大大降低,且SiC禁帶寬度(~3.2 eV)是Si的3倍,導電能力更強。SiC導熱率為Si的4-5倍,電子飽和速度是Si的2-3倍,能夠實現10倍的工作頻率。

基于碳化硅的功率器件相較于硅基器件具有耐高壓、耐高溫、抗輻射、散熱能力佳、更低的導通損耗和開關損耗、更高的開關頻率、可減小模塊體積等杰出特性,不僅可廣泛用于電動汽車驅動系統、列車牽引設備、充電樁、開關電源、光伏逆變器、伺服電機、高壓直流輸電設備等民用場景,還可顯著提升戰斗機、戰艦等軍用系統裝備的性能。

疊加“第三代半導體”在我國被賦予的戰略意義,碳化硅產業發展直接被列入十四五規劃,適合高功率和高頻率應用場景,如儲能、風電、光伏、軌道交通、新能源汽車等行業。

800V高壓平臺也有它的一些現實掣肘。800V 超充由于電壓太高,充電模塊采用 IGBT 損耗會太高,要換用 SiC。SiC的價格是 IGBT 的 2.5至3 倍左右,由于 SiC 的散熱和耐熱性能比 IGBT 更佳、損耗更低、體積也更小,會有部分的成本降低,綜合下來,使用 SiC 充電模塊替代Si-IGTB會使成本大約貴上 1.5到2 倍。

比起一般的充電樁,800V 超充造成的電壓偏移情況也會嚴重很多,更容易電壓越限。如果按照現有的配電系統基礎設施,如果一整個城市全都是 800V 的超充站并且集中使用,最壞的預計結果可能會導致整個城市瞬間停電、各種電用設備燒毀。

這就和你在家里,同時使用十幾個電吹風導致停電的概念差不多。立志要發展 800V 超充的車企當然知道這個問題的存在,它們一致提出了“配置儲能”的解決方案,用儲能化解對配電網的沖擊。

由于 800V 超充要達到 360kW 甚至 480kW,電流要 450A 到 600A,不能像一般充電樁用風冷,勢必要用液冷,成本也會上升。充電樁的采購成本會上升 1.8 倍左右,估摸約 0.63至0.72 元 / W。一個 360kW 超充的成本估算約為 23 萬到 26 萬之間。

中國儲能的成本磷酸鐵鋰 1kWh 在 1000 - 1300 元之間、三元鋰 1kWh 在 1200 - 1600 元之間,只需特斯拉儲能系統的一半,而將來還會更便宜!儲能變流器 PCS 的成本差異更大,1kW 的成本在 320 - 500 元之間,只有特斯拉 PCS 的 1/3 到 1/5。

以 1MWh 計算,PCS 選 500kW,每 kWh 一樣用 2136 元,500kW / 1MWh 的成本約為 213.6 萬元。結果是:儲能集裝箱比建超充站的成本還高。

中國現在超充配儲能的比例不高,不過在美國很多超充站已經標配儲能。以美國的 Electrify America 為例,擁有 350kW 大功率超充的站點,將配置一套特斯拉 350kWh、功率為 210kW(210kW/350kWh)的儲能系統。

Electrify America 一套特斯拉儲能系統,價格約 21 萬美元,按 6.7 匯率計算約為 140 萬人民幣。跟中國比,還蠻貴的。

雖然可以利用充放電從電網輔助服務賺錢,但從上面的儲能電站經濟指標,能看到投資報酬率并不高。儲能的成本絕非大家想象的低,超充站絕非大家想象的容易建設。

很多時候,車企的宣傳帶偏了 800V 平臺的意義,似乎大功率超充能很快把電充滿,解決充電慢就是 800V 平臺的存在價值,車主充電不用等待就是最大訴求。顯然,這么理解不立體!

800V 平臺對新能源車輛而言,最大的意義是“降低能耗”!由于更高的電壓,800V在同等功率下,電流只需 400V 的一半。發熱量 = I2R,一半的電流,代表發熱量只剩 1/4。

雖然電機效率很高,發熱量本就不大,但相對應的散熱器件,依然要占據空間;而現在發熱量變得更小了,散熱器件相對應也能減少。并且 800V 平臺需要用到的 SiC 組件,其熱導率和耐熱值比 IGBT 好上許多,散熱器件可以進一步減少。

也就是說,SiC 能將電機、電控的體積縮小到極致,騰挪出更多的空間,從而大幅提高汽車性能并優化整車架構,使新能源汽車具有更低的成本、更長的續航里程、更緊湊的空間設計以及更高的功率密度。

經過數十年的發展,硅基功率器件正在接近材料極限,要進一步提高其功率密度非常困難。比如目前市售電動車所搭載的功率半導體多數為硅基器件,采用Si IGBT技術的功率模塊仍在電動汽車應用中占主導地位。

憑借著“耐高壓”、“耐高溫”、和“高頻”的特點,車規級SiC功率器件主要應用于主驅逆變器、OBC、充電樁等場景,在主驅逆變器、OBC、DC-DC以及直流充電樁模塊中,SiC MOSFET在高壓系統中有望快速替代Si IGBT。

800V 平臺將有著更好的能源使用效率、更輕的重量,帶來續航里程的增加,為車主帶來實惠。

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