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電子發燒友網>存儲技術>PK三星閃存 紫光2019年將量產64層3D NAND閃存

PK三星閃存 紫光2019年將量產64層3D NAND閃存

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什么是3D NAND閃存?有什么優勢?

層數的增加也就意味著對工藝、材料的要求會提高,要想達到140層堆疊就必須使用新的基礎材料。而且在堆疊層數增加的時候,存儲堆棧的高度也在增大,然而每層的厚度卻在縮小,以前的32/36層3D NAND
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關于不同NAND閃存的種類對比淺析

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你知道NAND閃存的種類和對比?

的單位面積上,TLC閃存比MLC存儲的數據更多,而MLC又比SLC存儲的數據多。另一種新型的NAND閃存稱為3D NAND或V-NAND(垂直NAND)。通過在同一晶圓上垂直堆疊多層存儲單元,這種類型的閃存可以獲得更大的密度。
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真.國產SSD硬盤來了:紫光643D TLC閃存,1500次P/E

日前有消息稱紫光純國產的SSD硬盤就要上市了,使用是他們研發生產的64層堆棧3D TLC閃存,P/E次數可達1500次,這個技術及規格在主流SSD中已經不低了。
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IDC對NAND閃存價格的最新預測

IDC調整了其對NAND閃存的供需預測,稱2019年和2020年的比特量(bit volume)將同比增長39%和38%。并預計閃存價格的降低趨勢可能會放緩。 據IDC數據顯示,2019年上半年閃存
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長江存儲計劃量產643D NAND閃存芯片 閃存市場將迎來一波沖擊

國產存儲芯片再下一城,日前有產業鏈方面的消息稱,中國長江存儲將如期在今年年底量產643D NAND閃存芯片,這對價格本就在不斷下探的閃存市場無疑又將帶來一波新的沖擊。
2019-04-01 16:53:121582

與DRAM領域不同 長江存儲在NAND領域取得了進展

(CITE2019)上展示了企業級P8260硬盤,使用的就是長江存儲的32層3D NAND閃存。長江存儲并不打算大規模生產32層堆棧的3D NAND閃存,該公司CTO程衛華在接受采訪時表示今年下半年量產64層堆棧的3D NAND閃存,目前計劃進展順利,沒有任何障礙。
2019-04-18 16:18:522080

國產存儲廠商長江存儲預計在第三季度量產643D閃存

據Digitimes報道,長江存儲(YMTC)將于年底前投入643D閃存量產工作。其中風險試產預計三季度啟動,目前良率已經實現了顯著爬升。
2019-05-08 09:18:442618

長江存儲將推出Xtacking2.0閃存技術 與DRAMDDR4的I/O速度相當

目前NAND閃存主要掌握在三星、東芝、美光、西數等公司中,國內主要有紫光旗下的長江存儲專攻NAND閃存,小批量量產了32層堆棧的3D閃存,但對市場影響有限,今年該公司將量產64層堆棧的3D閃存,產能將會積極擴張。
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基于Xtacking架構的643D NAND閃存已實現量產

現在,長江存儲聯席首席技術官、技術研發中心高級副總裁程衛華接受采訪時表示,公司已開始量產基于Xtacking架構的64層256 Gb TLC 3D NAND閃存,以滿足固態硬盤、嵌入式存儲等主流市場應用需求。
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中國首款64層3DNAND閃存即將亮相 將推動高速大容量存儲解決方案市場的快速發展

2019年9月2日,紫光集團旗下長江存儲科技有限責任公司(以下簡稱“長江存儲”)在IC China 2019前夕宣布,公司已開始量產基于Xtacking?架構的64層256 Gb TLC 3D
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長江存儲推出了全球首款基于Xtacking架構的643D NAND閃存

長江存儲643D NAND閃存是全球首款基于Xtacking?架構設計并實現量產閃存產品,擁有同代產品②中最高的存儲密度。Xtacking?可實現在兩片獨立的晶圓上分別加工外圍電路和存儲單元
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紫光旗下的長江存儲邁出了國產閃存的重要一步,已經開始量產64層堆棧的3D閃存,基于長江存儲研發的Xstacking技術,核心容量256Gb。
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紫光旗下長江存儲的643D NAND閃存芯片首次公開亮相

據悉,長江存儲是紫光集團收購武漢新芯科技之后成立的,于2016年7月在中國武漢成立,是一家專注于3D NAND閃存芯片設計、生產和銷售的IDM存儲器公司。
2019-10-01 17:23:002612

我國首次實現64層3DNAND閃存芯片的量產 將大幅縮短與國際先進水平的差距

近日,紫光集團旗下長江存儲科技有限責任公司宣布,開始量產基于Xtacking架構的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。產品將應用于固態硬盤、嵌入式存儲等主流市場應用。這是中國首次實現643D NAND閃存芯片的量產,將大幅拉近中國與全球一線存儲廠商間的技術差距。
2019-09-17 11:45:193516

中國首次量產643D NAND閃存芯片會有什么市場影響

紫光集團旗下長江存儲科技有限責任公司宣布,開始量產基于Xtacking架構的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-19 11:10:09682

中國量產643D NAND閃存芯片會帶來什么影響

紫光集團旗下長江存儲科技有限責任公司宣布,開始量產基于Xtacking架構的64層256Gb TLC 3D NAND閃存。
2019-09-23 17:05:241028

長江存儲的新技術宣布著國產第三代閃存的到來

紫光旗下的長江存儲邁出了國產閃存的重要一步,已經開始量產64層堆棧的3D閃存,基于長江存儲研發的Xstacking技術,核心容量256Gb。
2019-10-02 14:38:001495

中國首款64層的3DNAND閃存已經開始量產

紫光集團旗下長江存儲正式宣布,公司已開始量產基于Xtacking?架構的中國首款64層256Gb TLC 3D NAND閃存,以滿足固態硬盤、嵌入式存儲等主流市場應用需求。
2019-10-08 11:29:181357

144層3D NAND將引領閃存容量的重大革命

英特爾透露,2019年第四季度將會推出96層的3D NAND閃存產品,并且還率先在業內展示了用于數據中心級固態盤的144層QLC(四級單元)NAND,預計將于2020年推出。
2019-10-11 10:36:321074

美光將推出最新的第四代3D NAND閃存

美光宣布,已經完成第四代3D NAND閃存的首次流片,應用了全新的替換柵極(RG)架構,并計劃在明年投入量產。
2019-10-14 16:04:32791

三星首款QLC閃存SSD 860 QVO上架,存儲容量最大達4TB

NAND閃存巨頭三星電子宣布開始量產業界首款消費級QLC SSD,SATA接口,最大容量4TB,采用第四代V-NAND,643D堆疊,單芯片容量1Tb(128GB)。
2019-12-13 11:35:481156

2020年NAND閃存發展趨勢如何

在CES展會上,SK海力士正式宣布了128層堆棧的4D閃存(本質還是3D閃存,4D只是商業名稱),已經用于自家的PCIe硬盤中,這是六大閃存原廠中第一個量產128層堆棧閃存的,預計三星、西數、東西都會在今年跟進100多層的閃存。
2020-01-08 10:34:135022

三星啟動中國西安新閃存工廠 并將開始量產閃存晶圓

盡管新冠疫情仍存在影響,三星 (Samsung) 已按計劃啟動了其位于中國西安的新閃存工廠,開始量產閃存晶圓。
2020-03-25 11:43:562872

三星正在研發160層及以上的3D閃存

據了解,136層第六代V-NAND閃存三星今年的量產主力。韓媒報道稱三星可能會大幅改進制造工藝,從現在的單堆棧(single-stack)升級到雙堆棧(double-stack),以便制造更高層數的3D閃存。
2020-04-20 09:06:01473

中國128層QLC閃存三星正研發160層閃存

3D閃存來說,堆棧層數越多,容量就越大,存儲密度就越高,這是3D閃存的核心競爭力,2020年全球將大規模量產100+層的3D閃存。
2020-04-20 09:25:073456

三星鎧俠率先擴產,NAND閃存市場要變天?

的投資額就達8萬億韓元(約合470億元人民幣)。新冠肺炎疫情導致NAND市場的不確定性大增。然而,三星電子過往多選擇在景氣低迷時大舉投資,以此增強其在存儲器領域的競爭力,此次再度大舉投資擴產,或將帶動其他NAND閃存廠商的跟進,再掀NAND閃存的擴產浪潮。
2020-06-16 10:07:173162

解析NAND閃存和NOR閃存

無論消費者還是企業機構,大多數人在談到閃存時,首先想到的就是NAND閃存。從一定的現實意義上來講,NAND閃存可以說已經成為固態硬盤的代名詞?;趬K尋址結構和高密度,使其成為磁盤的完美替代品。
2020-07-30 11:09:0314751

NAND閃存芯片有哪些類型

我們都知道,構成SSD的主要IC有主控芯片和NAND閃存,目前閃存制造廠主要分為三星與東芝聯合的ToggleDDR陣營和英特爾與美光為首的ONFI陣營,今天小編就來你了解閃存產品的核心—NAND閃存芯片的分類。
2020-09-18 14:34:527052

長江存儲將提高NAND閃存芯片的出貨量

據國外媒體報道,專注于3D NAND閃存設計制造的長江存儲,將提高NAND閃存芯片的出貨量。
2020-09-22 17:11:492025

美光宣布了其第五代3D NAND閃存技術

美光剛剛宣布了其第五代3D NAND閃存技術,達到了創紀錄的176層堆疊。這也是美光、Intel在閃存合作上分道揚鑣之后,自己獨立研發的第二代3D NAND閃存。
2020-11-11 11:50:212081

美光發布176層3D NAND閃存

存儲器廠商美光宣布,其第五代3D NAND閃存技術達到創紀錄的176層堆疊。預計通過美光全新推出的176層3D NAND閃存技術以及架構,可以大幅度提升數據中心、智能邊緣計算以及智能手機存儲
2020-11-12 16:02:552599

不要過于關注3D NAND閃存層數

? ? NAND非易失性閃存存儲器作為存儲行業的突破性革新已有多年發展歷史,隨著2D NAND容量達到極限,以及晶體管越來越小,NAND的編程時間變長,擦寫次數變少,能夠將內存顆粒堆疊起來的3D
2020-12-09 10:35:492766

NAND閃存市場競爭愈發激烈

 在3D NAND技術賽跑中,三星長期處于領先地位,截至目前,其3D NAND閃存已經陸續演進至128層。
2022-06-14 15:21:152100

長江正式打破三星壟斷,192層3D NAND閃存實現年底量產

長江存儲一直是我國優秀的存儲芯片企業,從成立之初就保持著高速穩定的發展狀態,用短短3年的時間,接連推出了32層NAND閃存,以及64層堆棧3D NAND閃存,成功進入了華為Mate40手機的供應鏈。
2022-06-17 10:56:216521

NAND閃存的應用中的磨損均衡

NAND閃存的應用中,程序/擦除周期存在一個限制,稱為“P/E周期”。在NAND閃存中,當每個塊的P/E周期達到最大值時,這些塊將變得不可工作,需要一個備用塊來替換它。當這些備用塊用完時,此NAND閃存將無法再使用。
2022-10-24 14:30:111230

NAND閃存應用中的磨損均衡介紹

NAND閃存的應用中,編程/擦除周期存在限制,稱為“P/E周期”。在NAND閃存中,當每個塊的P/E周期達到最大值時,這些塊變得不可工作,需要一個備用塊來替換它。當這些備用塊用完時,此NAND閃存將無法再使用。
2022-11-30 15:00:431519

什么是3D NAND閃存?

我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存,也叫有2D NAND或者直接不提2D的,而3D 閃存,顧名思義,就是它是立體堆疊的,Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND,普通NAND是平房,那么3D NAND就是高樓大廈,建筑面積一下子就多起來了,理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:392147

三星:2030年3D NAND將進入1000層以上

 三星已經確定了新一代3D NAND閃存的開發計劃,預計在2024年推出第九代3D NAND,其層數可達到280層
2023-07-04 17:03:291744

三星或提高512Gb NAND閃存晶圓報價 漲幅為15%

據《電子時報》報道,三星提出的512gb nand閃存晶片單價為1.60美元,比2023年初的1.40美元約上漲15%。但消息人士表示,由于上下nand閃存的庫存緩慢,很難說服上調價格。
2023-08-02 11:56:24762

三星24年生產第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產三層堆棧架構321層NAND閃存

三星24年生產第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產三層堆棧架構321層NAND閃存 存儲領域的競爭愈加激烈,三星電子計劃在2023年正式生產第9代V-NAND閃存,三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53282

三星計劃NAND閃存芯片每個季度漲價20%

三星采取此舉的目的很明確,希望通過此舉逆轉整個閃存市場,穩定NAND閃存價格,并實現明年上半年逆轉市場等目標。
2023-11-03 17:21:111214

三星計劃NAND閃存價格談判 欲漲價15%—20%

三星計劃NAND閃存價格談判 欲漲價15%—20% 三星認為NAND Flash價格過低;在減產和獲利優先政策的促使下三星計劃與客戶就NAND閃存價格重新談判,目標價位是漲價15%—20%。
2024-03-14 15:35:22222

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