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電子發燒友網>存儲技術>三星48層3D V-NAND閃存技術揭秘

三星48層3D V-NAND閃存技術揭秘

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2018-10-08 15:52:39395

64層/72層3D NAND開始出貨 SSD市場將迎來新的局面

6月15日,三星電子宣布已經開始量產第四代64層256Gb V-NAND,與48層256Gb V-NAND相比,生產效率將提高30%以上。東芝/西部數據、美光、SK海力士等在2017上半年也均宣布
2018-12-10 10:00:571115

關于不同NAND閃存的種類對比淺析

的單位面積上,TLC閃存比MLC存儲的數據更多,而MLC又比SLC存儲的數據多。另一種新型的NAND閃存稱為3D NANDV-NAND(垂直NAND)。通過在同一晶圓上垂直堆疊多層存儲單元,這種類型的閃存可以獲得更大的密度。
2018-12-17 15:50:241684

你知道NAND閃存的種類和對比?

的單位面積上,TLC閃存比MLC存儲的數據更多,而MLC又比SLC存儲的數據多。另一種新型的NAND閃存稱為3D NANDV-NAND(垂直NAND)。通過在同一晶圓上垂直堆疊多層存儲單元,這種類型的閃存可以獲得更大的密度。
2019-04-17 16:32:345462

回顧三星96層V-NAND的性能分析介紹

在2016年的舊金山閃存峰會上,三星公布了Z-NAND與Z-SSD的相關信息。后者基于第四代V-NAND,但由于具有一些新的特性(介于DRAM內存和NAND閃存之間)、包含獨特的電路設計與優化后的主控,三星于是用Z-NAND來命名這款閃存芯片。
2019-08-31 09:43:425566

關于浮柵技術的介紹和分析以及應用

V-NAND閃存,目前已經發展了三代V-NAND技術,堆棧層數從之前的24層提高到了48層,TLC類型的3D NAND核心容量可達到256Gb容量,在自家的840、850及950系列SSD上都有使用。
2019-09-04 09:17:135973

三星推出閃存更快功耗更低的V-NAND存儲器

三星推出了第六代V-NAND內存,為了進一步提高容量和密度,它擁有100多個活動層。從性能的角度來看,要使V-NAND具有超過100層的可行性,三星公司不得不使用新的電路設計技術。
2019-09-03 10:38:04624

三星推出功耗更低的第六代V-NAND存儲器

三星推出了第六代V-NAND內存,為了進一步提高容量和密度,它擁有100多個活動層。從性能的角度來看,要使V-NAND具有超過100層的可行性,三星公司不得不使用新的電路設計技術。
2019-09-09 16:05:251151

三星首款QLC閃存SSD 860 QVO上架,存儲容量最大達4TB

NAND閃存巨頭三星電子宣布開始量產業界首款消費級QLC SSD,SATA接口,最大容量4TB,采用第四代V-NAND,64層3D堆疊,單芯片容量1Tb(128GB)。
2019-12-13 11:35:481156

三星960 Evo硬盤來襲,擁有全新架構和高端性能

固態硬盤市場的霸主三星,是四大NAND閃存廠商中最早量產3D NAND閃存的,也是目前技術最強的,已經發展了三代V-NAND閃存,堆棧層數達到了48層。
2019-12-22 11:19:011073

三星正在研發160層及以上的3D閃存

據了解,136層第六代V-NAND閃存三星今年的量產主力。韓媒報道稱三星可能會大幅改進制造工藝,從現在的單堆棧(single-stack)升級到雙堆棧(double-stack),以便制造更高層數的3D閃存。
2020-04-20 09:06:01473

美光宣布了其第五代3D NAND閃存技術

美光剛剛宣布了其第五代3D NAND閃存技術,達到了創紀錄的176層堆疊。這也是美光、Intel在閃存合作上分道揚鑣之后,自己獨立研發的第二代3D NAND閃存。
2020-11-11 11:50:212081

美光發布176層3D NAND閃存

存儲器廠商美光宣布,其第五代3D NAND閃存技術達到創紀錄的176層堆疊。預計通過美光全新推出的176層3D NAND閃存技術以及架構,可以大幅度提升數據中心、智能邊緣計算以及智能手機存儲
2020-11-12 16:02:552599

鎧俠和西部數據推出第六代162層3D閃存技術

新一代3D NAND技術已迎來新的戰局,繼美光和SK海力士在2020年底陸續推出新一代176層3D NAND之后,鎧俠和西部數據也正式宣布推出162層3D NAND技術,三星也稱將在2021年推出第七代V-NAND,再加上英特爾大力推廣144層3D NAND,硝煙已四起。
2021-02-24 11:22:071901

NAND閃存市場競爭愈發激烈

 在3D NAND技術賽跑中,三星長期處于領先地位,截至目前,其3D NAND閃存已經陸續演進至128層。
2022-06-14 15:21:152100

三星第8代V-NAND已開始量產

市場對更高密度、更大容量存儲的需求,推動了V-NAND層數的增加,三星采用3D縮放(3D scaling)技術,減少表面積并降低高度,同時避免了縮小時通常會發生的單元間的干擾。我們的第8代V-NAND將有助于滿足快速增長的市場需求,更好地提供差異化產品和解決方案,有望成為未來存儲創新的基礎。
2022-11-07 10:33:55448

三星開始量產第8代V-NAND,存儲密度高達1Tb

* 三星第8代V-NAND具有目前三星同類產品中最高的存儲密度,可更高效地為企業擴展存儲空間 深圳2020年11月8日 /美通社/ --? 作為全球化的半導體企業,正如在2022年度閃存峰會
2022-11-08 13:37:36577

三星電子量產最高存儲密度的1Tb 第8代V-NAND

1Tb的全新V-NAND在目前三星V-NAND中具有最高的存儲密度,可為全球企業系統提供容量更大、密度更高的存儲解決方案。
2022-12-06 10:39:31328

什么是3D NAND閃存?

我們之前見過的閃存多屬于Planar NAND平面閃存,也叫有2D NAND或者直接不提2D的,而3D 閃存,顧名思義,就是它是立體堆疊的,Intel之前用蓋樓為例介紹了3D NAND,普通NAND是平房,那么3D NAND就是高樓大廈,建筑面積一下子就多起來了,理論上可以無線堆疊。
2023-03-30 14:02:392147

三星:2030年3D NAND將進入1000層以上

 三星已經確定了新一代3D NAND閃存的開發計劃,預計在2024年推出第九代3D NAND,其層數可達到280層
2023-07-04 17:03:291744

三星24年生產第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產三層堆棧架構321層NAND閃存

三星24年生產第9代V-NAND閃存 SK海力士25年量產三層堆棧架構321層NAND閃存 存儲領域的競爭愈加激烈,三星電子計劃在2023年正式生產第9代V-NAND閃存,三星第9代V-NAND閃存
2023-08-21 18:30:53282

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