在NAND閃存的應用中,編程/擦除周期存在限制,稱為“P/E周期”。在NAND閃存中,當每個塊的P/E周期達到最大值時,這些塊變得不可工作,需要一個備用塊來替換它。當這些備用塊用完時,此NAND閃存將無法再使用。因此,如果只寫入和擦除某些塊,則這些特定塊的P/E周期將迅速消耗,備用塊將很快耗盡,從而導致NAND閃存提前失效。
磨損均衡有三種類型:動態、靜態和全局。動態磨損均衡僅處理可用空間,并確保寫入行為僅發生在同一空間中擦除計數較低的塊中。靜態磨損均衡考慮了整個閃存芯片,包括空白區域和已寫入的塊。此技術將數據從擦除次數較少的塊移動到其他塊,以便可以保留寫入時間較短的塊以供將來使用。最后,還有全局磨損均衡,其中與靜態磨損均衡的最大區別在于其范圍擴展到整個設備,而靜態磨損均衡僅適用于單個閃存芯片。這可確保寫入行為發生在整個設備中寫入頻率較低的塊中。
NAND 閃存控制器的供應商在開發時必須考慮 NAND 的這一特性。因此,磨損均衡旨在允許NAND閃存在整個模塊使用過程中均勻分布,以便所有模塊的P / E周期隨著相同的數據而上升。該技術允許在產品達到其生命周期之前徹底使用所有模塊,從而延長NAND閃存的使用壽命。因此,磨損均衡技術可以提高NAND閃存產品的可靠性和耐用性。
審核編輯:郭婷
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