資料介紹
大規模數據中心、企業服務器或電信交換站使得功耗快速增長,因此高效 AC/DC 電源對于電信和數據通信基礎設施的發展至關重要。但是,電力電子行業中的硅 MOSFET 已達到其理論極限。同時,近來氮化鎵(GaN)晶體管已成為能夠取代硅基 MOSFET 的高性能開關,從而可提高能源轉換效率和密度。為了發揮 GaN 晶體管的優勢,需要一種具有新規格要求的新隔離方案。 GaN 晶體管的開關速度比硅 MOSFET 要快得多,并可降低開關損耗,原因在于:柵極電容和輸出電容更低。較低的漏源極導通電阻(RDS(ON))可實現更高的電流操作,從而降低了傳導損耗。無需體二極管,因此反向恢復電荷(QRR)低或為零。 GaN 晶體管支持大多數包含單獨功率因數校正(PFC)和 DC-DC 部分的 AC/DC 電源:前端、無電橋 PFC 以及其后的 LLC 諧振轉換器(兩個電感和一個電容)。此拓撲完全依賴于圖 1 所示的半橋和全橋電路。
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