富士通半導體于日前宣布，利用配備該公司開發的硅基板GaN功率器件的服務器用電源，成功輸出了2.5kW的高功率，同時還公布了 2013年下半年開始量產硅基板GaN功率器件的目標。該公司將
2012-11-12 09:16:21
1072 Si之后的新一代功率半導體材料的開發在日本愈發活躍。進入2013年以后，日本各大企業相繼發布了采用SiC和GaN的功率元件新產品，還有不少企業宣布涉足功率元件業務。
2013-04-19 09:08:311795 近年來氮化鎵（GaN）系列化合物半導體材料已被證實極具潛力應用于液晶顯示器（LCD）之背光模組、光學儲存系統、高頻與大功率之微波電子元件等商業用途。然而，目前商品化的氮化鎵系半導體光電元件均以藍寶石
2013-06-06 13:39:192417 今年硅基氮化鎵（GaN-on-Si）基板市場發展急凍。去年5月底，普瑞光電（Bridgelux）與東芝（Toshiba）風光宣布，共同成功開發出基于8吋GaN-on-Si基板技術的發光二極體（LED
2013-06-21 09:18:321888 GaN-on-Si技術可用來降低LED及功率元件的成本，將有助固態照明、電源供應器，甚至是太陽能板及電動車的發展.
2013-09-12 09:33:291401 業界對GaN功率元件的期待已達到最高峰。實際上這的確是一種非常有前景的材料。但其中還有很多未知的部分，采用還為時尚早。英飛凌科技負責汽車用高壓功率半導體和驅動IC等業務的電動動力傳動系統部高級總監Mark Muenzer介紹了對GaN功率元件的看法
2014-01-22 09:31:051598 功率GaN落后于RF GaN的主要原因在于需要花時間執行數個供貨商所使用的成本縮減策略。最知名的就是改用6英寸的硅基板，以及更低成本的塑料封裝。對于電源設計人員來說，理解GaN有可能帶來的性能提升，以及某些會隨時間影響到最終產品性能的退化機制很重要。
2015-11-08 18:00:004908 
大家清晰的了解GaN產品。 1．從氮化鎵GaN產品的名稱上對比 如下圖所示，產品GaN標示圖。納微：GaNFast Power ICs 是GaN 功率IC，而英諾賽科： E-Mode GaN FET
2020-05-12 01:31:0023135 
? 電子發燒友網報道（文/梁浩斌）繼去年英飛凌收購GaN Systems之后，2024年1月，另一家汽車芯片大廠瑞薩也收購了功率GaN公司Transphorm。 ? Transphorm在2022
2024-02-26 06:30:001552 
電子發燒友網報道（文/梁浩斌）功率GaN的大規模應用，其實也只有六七年的歷史，從2018手機快速充電器上才正式吹響了普及的號角。目前，從晶體管來看，功率GaN主要的產品是HEMT（高電子遷移率晶體管
2024-02-28 00:13:001844 應用，實現新型電源和轉換系統。（例如，5G通信電源整流器和服務器計算）GaN不斷突破新應用的界限，并開始取代汽車、工業和可再生能源市場中傳統硅基電源解決方案。 圖1：硅設計與GaN設計的磁性元件功率
2022-11-07 06:26:02
的開關頻率意味著任何磁性器件可以小得多，效率更高。使用GaN的LLC階段利用高于1MHz的開關頻率將轉換成36至60V的輸出。典型的輸出是POL轉換器的48V，這也正在利用GaN。整體設計不僅規模
2017-05-03 10:41:53
）的輸入電壓較高的電流密度，使得GaN組件在不降低功率的情況下設計得更緊湊快速開關能力，支持高頻（200KHz及以上）電機運行高頻操作，限制輸出電流波動，減小濾波器元件尺寸降低開關功耗，限制功率損失，提供
2019-07-16 00:27:49
日益增長的電力需求。在這篇文章中，我將探討如何實現。 為何選擇GaN？當涉及功率密度時，GaN為硅MOSFET提供了幾個主要優點和優勢，包括：?較低的RDS（on）：如表1所示…
2022-11-14 07:01:09
客戶將把GaN用于電源轉換，因此，硬開關轉換是一個與應用相關的基本事件。較之預燒板合格標準，這產生了迥然不同的應力，如白皮書中圖3、圖4所示。因此，我們已開發出一種符合JEDEC標準的測試工具（如圖1
2018-09-10 14:48:19
基GaN由于具有更大輸出功率與更快作業頻率，已被看好可取代硅元件成為下一世代的功率元件。近年來全球對于都市基礎建設、新能源、節能環保等方面的政策支持，擴大對于SiC/GaN等高性能功率元件的需求，將進一步促進SiC/GaN功率元件的發展。
2022-08-12 09:42:07
。GaN器件尤其在高頻高功率的應用領域體現了其獨特的優勢，其中，針對GaN功率器件的性能特點，該器件可被用于適配器、DC-DC轉換、無線充電、激光雷達等應用場合。
圖1 半導體材料特性對比
傳統的D類
2023-06-25 15:59:21
進展[1~ 3] ，在國外工作于綠光到紫光可見光區內的GaN LED 早已實現了商業化[2]；國內多家單位成功制作了藍色發光二極管，并初步實現了產業化[3]。而眾多的研究[4~ 14] 表明，GaN
2019-06-25 07:41:00
控制非?？扇?。GaN可在無需支付后續費用的情況下增大開關頻率。利用這一優點，可以在功率級中縮小無源元件尺寸，并加快瞬變響應速度。但是，要對這些較高頻率進行所需的控制，控制電路速度必須更快。例如，采樣
2018-08-30 15:05:41
的應用做好準備。要使數字電源控制為GaN的應用做好準備，它需要針對更高開關頻率、更窄占空比和精密死區時間控制的時基分辨率、采樣分辨率和計算能力。圖1和圖2顯示的是一個硅 (Si) MOSFET和一個GaN
2018-09-06 15:31:50
GaN技術的出現讓業界放棄TWT放大器，轉而使用GaN放大器作為許多系統的輸出級。這些系統中的驅動放大器仍然主要使用GaAs，這是因為這種技術已經大量部署并且始終在改進。下一步，我們將尋求如何使用電路設計，從這些寬帶功率放大器中提取較大功率、帶寬和效率。
2019-09-04 08:07:56
為什么
GaN可以在市場中取得主導地位?簡單來說，相比LDMOS硅技術而言，
GaN這一材料技術，大大提升了效率和
功率密度。約翰遜優值，表征高頻器件的材料適合性優值， 硅技術的約翰遜優值僅為
1，
GaN最高，為324。而GaAs，約翰遜優值為1.44?？隙ǖ卣f，
GaN是高頻器件材料技術上的突破?！ ?/div>
2019-06-26 06:14:34
作者: 德州儀器設計工程師謝涌；設計與系統經理Paul Brohlin導讀：將GaN FET與它們的驅動器集成在一起可以改進開關性能，并且能夠簡化基于GaN的功率級設計。氮化鎵 (GaN) 晶體管
2018-08-30 15:28:30
`Cree的CGHV96100F2是氮化鎵（GaN）高電子遷移率晶體管（HEMT）在碳化硅（SiC）基板上。 該GaN內部匹配（IM）FET與其他技術相比，具有出色的功率附加效率。 氮化鎵與硅或砷化
2020-12-03 11:49:15
工作頻率。硅基板相關的RF損耗及其相對SiC的較低熱傳導性能則抵消了增益、效率和隨頻率增加的功率優勢。圖1對比了不同半導體技術并顯示了其相互比較情況。圖1. 微波頻率范圍功率電子設備的工藝技術對比。GaN
2018-10-17 10:35:37
的 LMG1210（對于 GaN 電源），以提供 0.8V 的電壓和 10A 的電流。該設計將硅功率級與 GaN 功率級進行比較，以說明在使用 GaN 進行設計時的設計折衷和必要的優化。主要特色PMBus 可編程
2019-01-02 16:17:21
增強型8引腳SO封裝中集成了2 A、150 V DMOS功率開關， 以及所有高壓電路和控制邏輯。LT8304/LT8304-1支持3 V至100 V 的輸入電壓范圍，最多可提供24 W的隔離輸出功率
2018-10-30 11:48:08
基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉換器SiC/GaN具有的優勢
2021-03-10 08:26:03
減少到12V，隨后進一步將電壓降低到數字電路所需要的電壓電平?，F在，客戶可以使用更少的轉換器，從而減少功率損耗。 在未來的幾年內，GaN可以在提供更大輸出功率的同時減小適配器尺寸。隨之而來的將是易于攜帶
2018-09-10 15:02:53
書籍：《炬豐科技-半導體工藝》文章：GaN 基板的表面處理編號：JFSJ-21-077作者：炬豐科技網址：http://www.wetsemi.com/index.html關鍵詞： GaN 襯底
2021-07-07 10:26:01
氮化鎵(GaN)這種寬帶隙材料將引領射頻功率器件新發展并將砷化鎵(GaAs)和LDMOS(橫向擴散金屬氧化物半導體)器件變成昨日黃花？看到一些媒體文章、研究論文、分析報告和企業宣傳文檔后你當然會這樣
2019-07-31 07:54:41
方形，通過兩個晶格常數（圖中標記為a 和c）來表征。GaN 晶體結構在半導體領域，GaN 通常是高溫下（約為1,100°C）在異質基板（射頻應用中為碳化硅[SiC]，電源電子應用中為硅[Si]）上通過
2019-08-01 07:24:28
典型GaN晶體管的核心是一個導電通道，它由AlGaN阻擋層和GaN緩沖層間界面上產生的二維電子氣形成（見圖1）。這種器件傾向在一個異質基板上生產，典型的是硅或碳化硅，并具備三個電極：源極、漏極、柵極。為
2020-11-27 16:30:52
什么是GaN？如何面對GaN在測試方面的挑戰？
2021-05-06 07:52:03
元件來適應略微增加的開關頻率，但由于無功能量循環而增加傳導損耗［2］。因此，開關模式電源一直是向更高效率和高功率密度設計演進的關鍵驅動力?！ 』?SiC 和 GaN 的功率半導體器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
LMG1020。在此處查看演示：如下圖和上圖中所示，該GaN驅動器具有1ns 100W光輸出的能力。這是演示中的脈沖激光開發板：這是帶有最少外部組件的簡單應用圖：LMG1210半橋GaN FET驅動器TI
2019-11-11 15:48:09
驅動許多技術進步。圖1: 邁向5G 之路談及新興的mmW 標準時，GaN 較之現在的技術具有明顯的優勢。GaN 能夠提供更高的功率密度，具有多種優點：· 尺寸減小· 功耗降低· 系統效率提高我們已經
2017-07-28 19:38:38
升級到半橋GaN功率半導體
2023-06-21 11:47:21
快，效率高，具有卓越的熱性能和系統可靠性，總面積為700mm2，輸出功率為48W。輸入電壓為60V，輸出電壓為1V，電流50A，開關頻率600kHz時，48V的效率為88%，如圖3所示。模塊效率峰值為91
2019-07-29 04:45:02
基于GaN器件的產品設計可以提高開關頻率，減小體積無源器件，進一步優化產品功率密度和成本。然而，由于小GaN器件的芯片尺寸和快速開關特性，給散熱帶來了一系列新的挑戰耗散設計、驅動設計和磁性元件
2023-06-16 08:59:35
功率因數校正 (PFC) 是一種使用 GaN 設計高密度功率解決方案的簡便方法。TIDA-0961 參考設計使用 TI 的 600V GaN 功率級 LMG3410 和 TI 的 Piccolo? F2...
2022-01-20 07:36:11
在過去的十多年里，行業專家和分析人士一直在預測，基于氮化鎵(GaN)功率開關器件的黃金時期即將到來。與應用廣泛的MOSFET硅功率器件相比，基于GaN的功率器件具有更高的效率和更強的功耗處理能力
2019-06-21 08:27:30
請大佬詳細介紹一下關于基于Si襯底的功率型GaN基LED制造技術
2021-04-12 06:23:23
電子組件。由于功率變換和電機驅動組件的尺寸過大，而且能效不高，它們通常安裝在單獨的機柜中，并通過長距離的布線連接到機器人手臂。這便降低了工業機器人單位立方米的生產效率。利用GaN技術，可以更簡單地將驅動
2019-03-01 09:52:45
氮化鎵(GaN) 功率放大器(PA) 設計是當前的熱門話題。出于多種原因，GaN HEMT 器件已成為滿足大多數新型微波功率放大器需求的領先解決方案。過去，PA 設計以大致的起點開始并運用大量
2019-07-31 08:13:22
您已了解GaN晶體管出色的性能，您很興奮。樣品總算來到，您將它們放入板中。您打開電源，施加負載，結果……性能并沒有比以前更好。更糟糕的是，遇到了以前不存在的開關問題。這些晶體管不好。真遺憾。為何出現這種情況？有沒有可能遺漏了什么？如何正確理解GaN？十分重要！
2019-07-30 06:21:32
作為一項相對較新的技術，氮化鎵(GaN) 采用的一些技術和思路與其他半導體技術不同。對于基于模型的GaN功率放大器(PA) 設計新人來說，在知曉了非線性GaN模型的基本概念（非線性模型如何幫助進行
2019-07-31 06:44:26
較GaN FET與硅FET二者的退化機制，并討論波形監視的必要性。使用壽命預測指標功率GaN落后于RF GaN的主要原因在于需要花時間執行數個供貨商所使用的成本縮減策略。最知名的就是改用6英寸的硅基板，以及
2019-07-12 12:56:17
上的毫米波頻率。另外，GaN功率放大器支持更高的帶寬，即使在較高的頻率也是如此?！ ∪缃翊嬖诘膬煞N主要GaN技術為碳化硅GaN(SiC)和硅GaN(Si)。GaN on Si的優勢在于基板成本低，可以在
2018-12-05 15:18:26
GAN的數學推導和案例應用
2020-04-13 09:34:52
您好，有人能告訴我如何在原理圖窗口中添加GaN器件，因為當我在ADS的原理圖窗口中搜索它時，它只顯示GaAs，JFET和BJT器件。我想做一個功率放大器模擬，我需要一個GaN器件。請提出你的建議
2019-01-17 15:55:31
整流器公司(InternationalRectifier；IR)等大型廠商的競爭或并購壓力。Yole估計，2015年GaN在功率半導體應用的全球市場規模約為1千萬美元。但從2016-2020年之間，這一
2015-09-15 17:11:46
可以用很多種方法來控制GaN功率級。針對LMG5200 GaN半橋功率級的TI用戶指南使用了一個無源組件和分立式邏輯門的組合。在這篇博文中，我將會討論到如何用一個Hercules微控制器來驅動它。圖1
2022-11-17 06:56:35
氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應用
2023-06-19 12:05:19
能源并占用更小空間，所面臨的挑戰絲毫沒有減弱。氮化鎵(GaN)等新技術有望大幅改進電源管理、發電和功率輸出的諸多方面。預計到2030年，電力電子領域將管理大約80%的能源，而2005年這一比例僅為30
2018-11-20 10:56:25
設計更少的部件并且展現出最先進的效率性能。增加的開關頻率使無源元件小型化 - 特別是磁性元件 - 而諸如諧振DC-DC轉換器的電路的功率密度可以增加?！ ∽詈蟮⒎亲畈恢匾氖?，GaN在松下使用的這種
2023-02-27 15:53:50
Hercules微控制器來驅動它。圖1顯示的是將用來驅動LMG5200的Hercules模塊。
圖1：具有死區發生器的Hercules PWM模塊
GaN與Hercules功率級是天生的一對兒。它們在工業和汽車
2018-08-31 07:15:04
MOSFETInsulated-gate bipolar transistors (IGBTs) 絕緣柵雙極晶體管隨著這些優點中的一些將 GaN 分開，下一節將討論最新的 GaN 晶體管，這些晶體管是為了在高功率
2022-06-15 11:43:25
、尺寸和效率。這三個FOM是耦合型，需要考慮諸多因素。例如，增加開關頻率可減小磁性元件的尺寸和成本，但會增加磁性元件的損耗和功率器件中的開關損耗。由于GaN的寄生電容低且沒有二極管反向恢復，因此
2023-02-14 15:06:51
拓撲。GaN具有低寄生電容（Ciss、Coss、Crss）和無第三象限反向恢復的特點。這些特性可實現諸如圖騰柱無橋功率因數控制器（PFC）等較高頻率的硬開關拓撲。由于它們的高開關損耗，MOSFET和絕緣
2020-10-27 06:43:42
器件的市場營收預計將達到13億美元，約占3W以上的RF 功率市場的45%。2015-2025年射頻功率市場不同技術路線的份額占比資料來源：YOLE境外GaN射頻器件產業鏈重點公司及產品進展：目前微波射頻
2019-04-13 22:28:48
擊穿電場：GaN本身的擊穿場強為3.3E+06,約是Si的11倍，同樣耐壓條件下，GaN耗盡區展寬長度可以縮減至Si的0.1倍，大大降低了漂移區電阻率，以獲得更低的Ron和更高的功率性能。3、高電子
2021-12-01 13:33:21
氮化鎵GaN是什么？
2021-06-16 08:03:56
技術之一源于三個主要屬性：1、高擊穿電場（與高擊穿電壓有關）2、高飽和速度（與較高的最大電流Imax 有關）3、出色的熱屬性但是，實現更高功率也帶來一個后果：· 更高功率意味著更高的直流功率?！?任何
2018-08-04 14:55:07
描述此參考設計基于 LMG1210 半橋 GaN 驅動器和 GaN 功率的高電子遷移率晶體管 (HEMT)，實現了一款數兆赫茲功率級設計。憑借高效的開關和靈活的死區時間調節，此參考設計不僅可以顯著
2018-10-17 15:39:59
日本田村制作所與光波公司宣布，開發出了使用氧化鎵基板的GaN類LED元件，預計可在2011年度末上市該元件及氧化鎵(Ga2O3)基板
2011-03-29 11:39:291042 美國Transphorm公司發布了耐壓為600V的GaN類功率元件。該公司是以美國加州大學圣塔巴巴拉分校（UCSB）的GaN元器件研究人員為核心創建的風險企業，因美國谷歌向其出資而備受功率半導體
2012-05-18 11:43:441931 2016年氮化鎵(GaN)功率元件產業規模約為1,200萬美元，研究機構Yole Développemen研究顯示預計到2022年該市場將成長到4.6億美元，年復合成長率高達79%。
2018-05-22 17:02:218234 
GaN材料原先被用為如藍色LED等LED類產品的主要原料，但是由于GaN具有高硬度與高能隙的特性，并且GaN功率元件可以在硅基質上成長，在面積與整體成本考量上，也具有比碳化硅元件更劃算的可能性。
2019-01-08 15:30:307150 
雷達系統中線性和壓縮功率放大器的有源元件。Gan功率晶體管可用作航空電子、商業服務、工業生產、醫療設備和國防軍事用途的電路和系統中的各種應用。它們都通過寬帶gap?GaN半導體材料的作用，在小封裝中產生高功率密度和高輸出功率電平的RF
2022-04-14 09:12:14395 GaN功率HEMT設計+GaN寬帶功率放大器設計
2023-01-30 14:17:44556 您可以通過多種方式控制GaN功率級。LMG5200 GaN 半橋功率級的 TI 用戶指南使用無源元件和分立邏輯門的組合。在這篇文章中，我將描述如何使用Hercules微控制器驅動它。圖 1 顯示了用于驅動 LMG5200 的 Hercules 模塊。
2023-04-14 10:07:41963 
GaN功率器件是雷達T/R組件或發射功放組件中的核心元器件,隨著器件的輸出功率和功率密度越來越高,器件的長期可靠性成為瓶頸。文章對雷達脈沖工作條件下GaN功率器件的失效機理進行了分析和研究,指出
2023-03-03 14:04:051074 
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