SK海力士近日宣布,將進一步擴大高帶寬內存生產設施的投資,以滿足高性能AI產品市場的不斷增長需求。
作為全球知名的半導體制造商,SK海力士此次計劃對通過硅通孔(TSV)技術的相關設施投資增加一倍以上。這一戰略舉措旨在提升HBM的產能,使其翻倍增長。在此基礎上,公司還計劃在2024年上半年開始生產其第五代HBM產品,即HBM3E。
值得一提的是,自2023年年初以來,SK海力士的股價因其在AI領域的實力而上漲近50%,顯示出市場對其未來發展的樂觀預期。
HBM是一種高性能的內存解決方案,廣泛應用于高性能計算、數據中心和AI領域。隨著AI技術的快速發展,對HBM的需求也在持續增長。通過擴大生產設施投資,SK海力士不僅滿足了市場需求,也進一步鞏固了其在全球半導體行業的領先地位。
此次投資計劃的實施,將有助于提升SK海力士在AI市場的競爭力。在未來,SK海力士將繼續致力于技術創新和產品研發,以提供更優質、更高效的半導體解決方案,為全球用戶帶來更出色的技術體驗。
聲明:本文內容及配圖由入駐作者撰寫或者入駐合作網站授權轉載。文章觀點僅代表作者本人,不代表電子發燒友網立場。文章及其配圖僅供工程師學習之用,如有內容侵權或者其他違規問題,請聯系本站處理。
舉報投訴
-
內存
+關注
關注
8文章
2794瀏覽量
73040 -
AI
+關注
關注
87文章
27184瀏覽量
264958 -
SK海力士
+關注
關注
0文章
834瀏覽量
38116
發布評論請先 登錄
相關推薦
SK海力士HBM4芯片前景看好
瑞銀集團最新報告指出,SK海力士的HBM4芯片預計從2026年起,每年將貢獻6至15億美元的營收。作為高帶寬內存(HBM)市場的領軍企業,SK
SK海力士與臺積電攜手量產下一代HBM
近日,SK海力士與臺積電宣布達成合作,計劃量產下一代HBM(高帶寬內存)。在這項合作中,臺積電將主導基礎芯片的前端工藝(FEOL)和后續布線工藝(BEOL),確?;A芯片的質量與性能。
SK海力士HBM4E存儲器提前一年量產
SK海力士公司近日在首爾舉辦的IEEE 2024國際存儲研討會上,由先進HBM技術團隊負責人Kim Kwi-wook宣布了一項重要進展。SK海力士計劃從2026年開始,提前一年量產其第
SK海力士加速HBM4E內存研發,預計2026年面市
HBM 制造商 Kim Gwi-wook 宣布,由于市場需求,SK海力士將提速研發進程,預計最快在 2026 年推出 HBM4E 內存在內存帶寬上比 HBM4 提升 1.4 倍。
SK海力士明年HBM產能基本售罄
SK海力士近日宣布,其高帶寬內存(HBM)芯片在2025年的產能已經基本售罄。這一成績主要歸功于人工智能(AI)技術的蓬勃發展,極大地推動了市場對HBM芯片的需
剛剛!SK海力士出局!
來源:集成電路前沿,謝謝 編輯:感知芯視界 Link 3月25日消息,據報道,由于SK海力士部分工程出現問題,英偉達所需的12層HBM3E內存,將由三星獨家供貨,SK
SK海力士加大對先進芯片封裝投入
SK海力士作為半導體行業的領軍企業,正積極響應市場需求的變化,并敏銳地把握住了高帶寬內存(HBM)市場的增長潛力。隨著數據處理速度需求的提升,HBM以其卓越的性能和
SK海力士宣布HBM內存生產配額全部售罄
SK 海力士副總裁 Kim Ki-Tae 對此表示,作為 HBM 行業翹楚,海力士洞察到市場對 HBM 存儲的巨大需求,現已提前調整產量,以期更好地滿足市場需求,保護其市場占有率。
鎧俠向SK海力士提議在日本工廠合作生產芯片
近日,日本存儲芯片制造商鎧俠向韓國芯片巨頭SK海力士提出了一項合作建議。根據該建議,SK海力士考慮在鎧俠與西部數據公司共同管理的一家日本工廠內生產
SK海力士擬在美國建廠生產HBM芯片
韓國存儲芯片巨頭SK海力士計劃在美國印第安納州投資興建一座先進封裝工廠,專注于生產高帶寬內存(HBM)芯片。這一舉措旨在與英偉達(NVIDI
三星加大投資提升HBM產能,與SK海力士競爭加劇
近日,據報道,三星電子正計劃大規模擴大其HBM(高帶寬內存)產能,以滿足不斷增長的市場需求。這一舉措將進一步加劇與SK海力士的競爭。
三星SK海力士加碼半導體設備投資與產量,以緩解行業壓力
12月18日,傳聞三星及SK海力士正籌劃于來年加大芯片制造設備的投入,如三星電子預計投注27萬億韓元,SK
瀾起科技榮獲SK海力士“最佳供應商獎”
為SK海力士提供優質的產品和服務。從DDR4世代跨越到DDR5世代,瀾起科技與SK海力士合作的產品涵蓋DDR4、DDR5內存接口芯片及DDR
評論