干法刻蝕原理
2010年07月18日 11:28 www.qd573.com 作者：本站 用戶評論（0）
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干法刻蝕原理
刻蝕作用：去除邊緣PN結，防止上下短路。
干法刻蝕原理：利用高頻輝光放電反應，使CF4氣體激活成活性粒子，這些活性粒子擴散到需刻蝕的部位，在那里與硅材料進行反應，形成揮發性反應物而被去除。
干法刻蝕化學方程式：
去磷硅玻璃作用：去除硅片表面因擴散形成的磷硅玻璃層，并清潔表面，為PECVD做準備。
去磷硅玻璃原理：利用HF與SiO2反應，去除磷硅玻璃層。
去磷硅玻璃化學方程式：
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