濕法刻蝕由于成本低、操作簡單和一些特殊應用,所以它依舊普遍。
濕法刻蝕,對于12寸的邏輯,存儲等線寬極小的晶圓廠來說,幾乎已經銷聲匿跡了,但是在功率器件,光電器件,mems傳感器領域依舊應用廣泛。
為什么濕法刻蝕依舊普遍?
1,成本問題。干法刻蝕機臺實在太昂貴了,電力、氣體和維護成本都很高;而濕法刻蝕一般是簡單的化學溶液槽,再加上超聲波,加熱系統等,一臺浸泡式濕法刻蝕機就做好了,而且化學刻蝕液的成本低廉。
2,操作簡單。濕法刻蝕技術相對簡單,易于操作和維護,刻蝕速率快,便于批量化生產。
3,針對特殊應用。有些產品中某些材料并不適合干法刻蝕,必須用濕法刻蝕,比如Cu。
濕法刻蝕與濕法清洗的區別
我個人的理解,濕法刻蝕主要是除去不希望留下的薄膜。而濕法清洗主要是洗去顆?;蛏弦还ば蛄粝碌臍埩?。比如cmp研磨后,在晶圓表面有大量的顆粒污染,就需要有cmp后清洗的步驟。比如在擴散前,用SC-2,SC-1來清洗硅片的表面。
濕法刻蝕用在哪些芯片制程中?
1,除了集成電路極小部分制程需要外,非集成電路的大部分產品都會用到。換句話說,只要刻蝕要求不是那么嚴格(3um),都能用濕法刻蝕來替代干法刻蝕。集成電路主要包括模擬器件,邏輯,微處理器,存儲等,而非集成電路一般包括mems傳感器,光電器件,分立器件等。
2,所有的晶圓級封裝廠,TSV轉換板廠都需要濕法刻蝕。需要用濕法刻蝕來除去電鍍bump后的種子層等。
3,等等
濕法刻蝕液有哪些種類?
以下僅僅列舉了半導體制程中常見的,且用量巨大的濕法刻蝕液,當然濕法刻蝕液種類不僅僅限于下面所列舉的。
導體濕法刻蝕液
銅刻蝕液,鋁刻蝕液,Cr刻蝕液,Ti刻蝕液,金刻蝕液,鎳刻蝕液,錫刻蝕液,Ta刻蝕液,鉍刻蝕液,鈷刻蝕液,In刻蝕液,鍺刻蝕液,Pt刻蝕液,Mo刻蝕液,Zn刻蝕液等。
絕緣體刻蝕液
氧化硅刻蝕液,氮化硅刻蝕液,氧化鋁刻蝕液,藍寶石刻蝕液,碳刻蝕液,環氧樹脂刻蝕液,光刻膠剝離液等。
半導體材料刻蝕液
PZT刻蝕液,硅刻蝕液,SiC刻蝕液,砷化鎵刻蝕液,砷化銦鎵刻蝕液,磷化銦鎵刻蝕液,InP刻蝕液,磷化氧化銦刻蝕液,氧化銦錫刻蝕液,ZnO刻蝕液等。
目前國內刻蝕液廠商情況?
由于之前對于半導體行業的忽視,導致目前大陸極少有專業主攻晶圓級濕法刻蝕液的廠家,大多為化學原料廠轉型而來,刻蝕液種類少,性能差。晶圓級刻蝕液與傳統行業的刻蝕液在配方,工藝,標準上有很大差別,技術含量更高,一般不能互用。目前大陸的晶圓級刻蝕液市場還是被日本,臺灣等廠商壟斷。
審核編輯:劉清
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原文標題:濕法刻蝕液的種類與用途
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