芯長征科技

2024年5月9日，芯長征科技集團（簡稱“芯長征”）新能源電子封測產線在中國榮成順利通線并隆重舉行通....

近日，芯長征在UL認證專業機構安可捷協助下，成功完成IGBT模組的UL認證流程，為公司的產品研發與市....

功率型芯片于控制單元中主要負責具有高功率負載的控制電路，是可實現系統中電力控制與管理的關鍵零件，由于....

三極管的結構是給一塊純硅進行三層摻雜，其中較窄區域高濃度N型摻雜，含有大量自由電子，中間極窄區域普通....

功率半導體器件（Power Electronic Device）又稱為電力電子器件和功率電子器件，是....

其中，有一個插圖，知識星球里有朋友不明白每層的構造原理，這里我來剖析一下。

汽車電子對元件的工作溫度要求比較寬，根據不同的安裝位置等有不同的需求，但一般都要高于民用產品的要求。

碳化硅 MOSFET 具有導通電壓低、 開關速度極快、 驅動能力要求相對低等特點， 是替代高壓硅MO....

據日本研究人員報告，通過減少碳污染來避免碳污染源導致的“遷移率崩潰”，氮化鎵（GaN）的電子遷移率性....

為滿足快速發展的電動汽車行業對高功率密度 SiC 功率模塊的需求，進行了 1 200 V/500 A....

1：制造先進的啟動晶片(SOI)的方法。 2：作為一種創建復雜三維結構和腔體的方法，以創造設備....

三電平逆變器基本介紹

只有體單晶材料難以滿足日益發展的各種半導體器件制作的需要。因此，1959年末開發了薄層單晶材料生長技....

功率變換系統（power conversion system，PCS）是與儲能電池組配 套，連接于電....

3D集成是實現多芯片異構集成解決方案的關鍵技術，是業界對系統級更高功耗、性能、面積和成本收益需求的回....

摘要：隨著儲能變流器向大容量、模塊化發展，碳化硅（SiC）器件由于其低損耗、耐高溫的特性，逐漸成為研....

光伏逆變器拓撲概述及關鍵技術

寄生電容和寄生電感是指在電路中存在的非意圖的電容和電感元件。 它們通常是由于電路布局、線路長度、器件....

IGBT器件的結構和工作原理

圍繞碳化硅功率器件高頻率、高耐壓、耐高溫的性能,提出一套適用于新能源汽車直流充電設備的拓撲結構方案,

晶體管是一個簡單的組件，可以使用它來構建許多有趣的電路。在本文中，將帶你了解晶體管是如何工作的，以便....

半導體價值鏈的制造階段包括晶圓制造、前段制程、中段制程、后段制程和遠端制程。

北京工業大學和中國北京大學報道了碳化硅襯底（GaN/SiC）上由氮化鎵制成的全垂直結構肖特基勢壘二極....

碳化硅功率半導體生產流程主要包括前道的晶圓加工，包括長晶、切割、研磨拋光、沉積外延；第二部分芯片加工....

晶片切割是半導體器件制造的關鍵步驟，切割方式和質量直接影響晶片的厚度、表面光滑度、尺寸和生產成本，同....

體二極管是MOS管中的一個重要組成部分，它是襯底B與漏極D之間的PN結。由于把B極和S極短路了，因此....

Chiplets（芯片堆疊）并不新鮮。其起源深深植根于半導體行業，代表了設計和制造集成電路的模塊化方....

摘要：隨著人們環保意識的不斷提高，傳統的化石能源越來越無法滿足人們的要求，以太陽能為代表的可再生新能....

SiC是一種Si元素和C元素以1:1比例形成的二元化合物，即百分之五十的硅（Si）和百分之五十的碳（....

這是電力電子領域令人興奮的時代。在硅占據主導地位數十年后，兩種較新的材料——碳化硅和氮化鎵——已經開....