科銳實現50A碳化硅功率器件技術突破！

　　科銳實現50A碳化硅功率器件技術突破，為更多大功率應用帶來更高效率和更低成本，包括1700V碳化硅MOSFET器件在內的科銳大功率碳化硅MOSFET器件降低電力電子系統成本并提升能效

　　碳化硅功率器件的市場領先者科銳公司（Nasdaq： CREE）將重新界定大功率應用的性能和能效，推出全新產品系列—50A碳化硅功率器件。該產品系列不僅包括業界首款1700V Z-FET?碳化硅 MOSFET器件，還包括1200V Z-FET?碳化硅MOSFET器件和三款Z-Rec?碳化硅肖特基二極管，能夠提供創紀錄的能效以及比傳統技術更低的擁有成本，開創了新一代電源系統。

50A碳化硅功率器件為更多大功率應用帶來更高效率和更低成本

　　科銳50A碳化硅功率器件采用裸芯片形式，針對太陽能功率逆變器、不間斷電源設備以及電機驅動器等大功率模組應用進行設計。該類器件以更小的尺寸、更低的物料成本以及更高的效率使得電力電子工程師能夠為系統擁有成本設定新的標準。

　　科銳副總裁兼功率與射頻總經理Cengiz Balkas表示：“正是科銳通過不斷的創新，以及科銳在碳化硅領域獨創的材料技術、晶圓片工藝和器件設計，才使得這樣技術突破得以實現。大尺寸的芯片能夠實現更多的優勢，使得碳化硅MOSFET器件能夠使用在更高的功率應用中應用，從而能夠取代在大功率、高電壓應用領域中的低效傳統硅IGBT器件?！痹撓盗懈哳~定碳化硅器件的推出保持了科銳在碳化硅技術屢創第一的傳統，如業界第一款1200V 碳化硅MOSFET器件以及第一個量產1200V和1700V碳化硅肖特基二極管。

　　科銳全新產品系列50A碳化硅器件包括40mΩ 1700V MOSFET器件、25mΩ 1200V MOSFET器件以及50A/1700V、50A/1200V 和50A/650V肖特基二極管。該產品系列現已提供樣品及基礎數據表，預計2012年秋實現量產。如需索取樣品及進一步了解科銳碳化硅功率器件的更多詳情，敬請訪問： www.cree.com/power 。