12月19日晚間，中國首臺ASMLNXT2000i正式搬入SK海力士位于無錫的工廠。 據ASML證實，此次入駐SK海力士無錫工廠確為NXT2000i，也即NXT2000。ASML解釋
2018-12-21 14:08:53
2384 一季度，全球第二大記憶芯片制造商利潤創下2012年來的最大跌幅。公司預計DRAM芯片需求將從二季度起復蘇。 芯片銷售仍然疲弱， SK海力士一季度營業利潤同比下跌69%，創下2012年以來的最大
2019-04-25 18:25:103629 SK海力士開發的HBM2E DRAM產品具有業界最高的帶寬。與之前的HBM2相比，新款HBM2E擁有大約50％的帶寬和100％的額外容量。 該公司透露，SK Hynix的HBM2E支持超過每秒
2019-08-13 09:28:415518 ，2019年12月提升為開發制造總裁。 DRAM和NAND Flash市場密不可分，SK海力士相關人士表示：SK海力士首席執
2019-12-07 00:53:004052 2020年2月，固態存儲協會(JEDEC)對外發布了第三版HBM2存儲標準JESD235C，隨后三星和SK海力士等廠商將其命名為HBM2E。 ? 相較于第一版（JESD235A）HBM2引腳
2021-08-23 10:03:281523 日本知名半導體制造商羅姆（總部位于日本京都）近日面向車內電源插座用AC逆變器和充電設備，開發出世界首款※車用漏電檢測IC“BD9582F-M”。
2013-05-16 15:02:181262 ，隨即開始加強在中國晶圓代工事業的布局。而其中的重點，就是將 SK 海力士旗下負責晶圓代工的子公司 SK Hynix System IC，其為在南韓清州的代工廠設備出售給 SK 海力士與中國企業合資的公司，以持續進行該公司部屬中國的計劃。
2020-11-11 10:12:402654 3月12日，據韓聯社報道，韓國半導體廠商SK海力士公司收購英特爾NAND閃存部門收購案現后獲得了美國監管機構聯邦貿易委員會（FTC）和美國外國在美投資委員會（CFIUS）的批準。距離成功收購又近了
2021-03-13 09:27:457908 ，并討論購買存儲芯片的事宜。知情人士透露，SK海力士已經完成了符合博世要求的規格的存儲芯片的開發。 ? 與消費類設備中使用的DRAM相比，汽車中使用的DRAM需要保證更高的可靠性和更寬的激活溫度范圍。SK海力士開發的新DRAM遵循2018年制定的第二版ISO
2021-04-06 10:25:015332 4月16日消息 據悉，SK海力士正在與德國汽車巨頭博世公司（Bosch）洽談為其提供汽車存儲芯片的事宜。 ? 據稱，SK海力士已完成了符合博世要求規格的內存芯片的開發。與消費類設備中使用的DRAM
2021-04-16 12:37:472527 近日，SK海力士官網發布新聞消息稱，公司已于7月初開始量產適用第四代10nm（1a）級工藝的8Gb LPDDR4 移動端DRAM產品。值得注意的是，這是SK海力士首次采用EUV技術進行DRAM量產
2021-07-13 06:36:582938 
SK海力士（或“公司”，www.skhynix.com） 宣布業界首次成功開發現有最佳規格的HBM3 DRAM。
2021-10-20 10:07:471479 
電子發燒友網報道（文/李彎彎）據外媒報道，SK海力士希望在中國工廠無錫使用EUV光刻機，提高存儲芯片的生產效率，然而該工廠升級改造計劃卻遇到極大阻礙，因為美國官員不允許SK海力士將ASML 的EUV
2021-11-24 09:28:344521 SK海力士（或‘公司’）今日宣布，公司已開發出具備計算功能的下一代內存半導體技術“PIM（processing-in-memory，內存中處理）”1）。
2022-02-16 11:04:511469 
電子發燒友網報道（文/黃晶晶） SK海力士近日發布全球首次實現垂直堆疊12個單品DRAM芯片，成功開發出最高容量24GB的HBM3 DRAM新產品。
2023-04-23 00:01:002617 
1. 韓國：三星、SK 海力士中國工廠獲得美國無限期許可，無需單獨批準即可獲取芯片制造設備 ? 據報道，韓國總統辦公室周一宣布，美國政府決定無限期延長對三星電子和 SK 海力士公司在華工廠進口美國
2023-10-10 10:59:13688 
電子發燒友網報道（文/黃晶晶）新型存儲HBM隨著AI訓練需求的攀升顯示出越來越重要的地位。從2013年SK海力士推出第一代HBM來看，HBM歷經HBM1、HBM2、HBM2E、HBM3、HBM
2023-10-25 18:25:242087 
1. 傳三星等韓國存儲廠商考慮在美國生產HBM 芯片 ? 隨著人工智能對AI芯片的需求不斷增長，三星、SK海力士都致力于擴大HBM高帶寬存儲芯片業務，以加強與英偉達、AMD等客戶的合作。美國
2023-12-15 11:14:45573 電子發燒友網報道（文/黃晶晶）近日，SK海力士發布2023年第四季度財報顯示，公司2023財年第四季度結合并收入為11.3055萬億韓元，營業利潤為0.3460萬億韓元，凈虧損為1.3795萬億韓元
2024-01-27 00:03:004990 
電子發燒友網報道（文/吳子鵬）日前，SK海力士副社長Kim Ki-tae表示，今年公司的HBM已經售罄，已開始為2025年做準備?！半m然2024年計劃要讓HBM的產能實現翻番，不過生產配額依然全部
2024-02-28 00:16:002233 1. SK 海力士砸900 多億美元建半導體廠 政府相挺 ? 全球第二大存儲器芯片制造商SK海力士，預計于2046年前在其龍仁（Yongin）半導體聚落，投入逾120兆韓元（907億美元）建造全球
2024-03-22 10:47:38350 SK海力士也宣布，2018年下半將投資重心集中于NAND Flash，NAND Flash新廠投資進度正在加速，DRAM只會進行小規模補強與轉換投資。如何看待這兩則新聞？筆者認為這屬于意料之中的事
2018-10-12 14:46:09
22和24位。
在Top24的榜單排行中，共有七家中國公司入圍。
華為（海思）位列這份榜單的第12位；
聯發科（MediaTek）排名第14位；
Imagination排名第15位
2018-05-07 09:26:47
最新Gartner的統計顯示，有4家中國公司躋身全球十大芯片采購商之列，分別是華為、聯想、小米、步步高(Vivo和OPPO)。其中華為2018年半導體采購支出超過210億美元，全球排名冠亞季軍分別為
2021-07-29 08:17:54
市場的35%。明年，至少兩家中國集成電路供應商（睿力集成電路和晉華集成電路）將成功進入DRAM市場。盡管國產廠商的產能和制造流程最初不會與三星、SK 海力士或美光等公司匹敵，但看看中國的初創企業表現如何，將是一件有趣的事情。
2018-10-18 17:05:17
。韓媒分析，一旦中國決定對DRAM三巨頭開罰，韓國產業將受到巨大的影響，或成中美貿易摩擦的受害者之一。2018年11月16日，中國國家市場監督管理總局反壟斷局局長吳振國表示，對三星、海力士、鎂光三家公司
2018-11-22 14:49:22
，長江存儲宣布，公司已開始量產3D NAND閃存，這也是中國首款64層3D NAND閃存。據長鑫存儲官網消息，新列出的長鑫筆記本和臺式機內存，容量都是8GB，速率都是DDR4-2666，公司還計劃建造
2020-02-27 10:45:14
近日，制造商Hynix半導體公司更名為SK海力士公司，早在今年二月，移動網絡運營商SK電信有限公司以3.34萬億韓元(約30億美元)收購海力士21%的股份。
2012-03-28 10:25:311592 工研院 IEK認為，為替代進口，中國大陸發展DRAM已勢在必行，未來若中國大陸成功搶進DRAM領域，預期海力士恐將是最大潛在受害者。
2016-05-16 08:55:02807 全球三大DRAM廠三星、SK海力士（SK Hynix）及美光，近期不約而同相繼寄出存證信函給跳槽到大陸合肥長鑫、及為福建晉華負責研發的聯電核心成員，全力防堵DRAM技術流入中國大陸，讓全力發展自主DRAM研發的中國大陸踢到鐵板，也讓近期有意跳槽到大陸的華亞科核心技術人員，遭到空前恫嚇。
2016-12-26 09:44:48800 
SK 海力士周一發布全球最高密度、低耗能移動 DRAM，將應用于未來智能手機上。 海力士運用雙通道 16 Gigabit 雙通道芯片打造出低耗電 DDR4X 移動 DRAM，容量達 8GB。以 LPDDR4X 標準而言，SK 海力士新內存芯片密度是全球最高，功效則較現有 LPDDR4 提高兩成。
2017-01-10 11:55:12749 據海外媒體報道，韓國SK集團（SK Group）為了提升股東價值，針對五大新事業領域加強對外購并。但身為集團金牛的SK海力士（SK Hynix）卻位在疊床架屋的組織框架底部，引發外界猜測SK集團將進行整體結構調整，讓SK海力士升格為直屬于集團的子公司。
2017-01-11 09:46:483335 海力士在全球NAND Flash的市占率為12%。 東芝半導體擬釋出存儲器業務股份，吸引各界覬覦。先前傳鴻海已經投標，最新消息指出全球第二大存儲器廠SK海力士也想搶下這塊肥肉，提升NAND Flash
2017-02-08 02:01:10128 據市場分析，GPU業者對繪圖DRAM需求料將有增無減，2018年繪圖DRAM銷量會持續上揚，三星、SK海力士相繼量產HBM2，價格比一般DRAM貴5倍。
2018-02-07 14:47:531619 今年的閃存技術峰會，美光、SK海力士包括長江存儲都宣布了新一代的立體堆疊閃存方案，SK海力士稱之為“4D NAND”，長江存儲稱之為Xtacking，美光則稱之為“CuA”。CuA是CMOS under Array的縮寫
2018-08-12 09:19:286689 11月12日消息，SK Hynix（SK海力士）宣布研發完成基于1Ynm工藝的8Gb（1GB）容量DDR4 DRAM芯片。
2018-11-13 09:50:353097 SK海力士官方宣布，公司已經研發出單顆容量16Gb（2GB）的下一代DDR5 DRAM內存顆粒，且是首款滿足JEDEC標準規范的DDR5。
2018-11-17 11:47:494361 今年11月15日，SK海力士發布第一個符合JEDEC規格的DDR5 DRAM，而三星則在7月份成功開發出10nm級別的LPDDR5 DRAM，在技術上進一步領先于世界同類企業。據業內人士介紹，SK
2018-11-23 17:27:117379 受到移動舍必需求鈍化、庫存屯積的影響，SK海力士主力產品DRAM的價格正急劇下跌，外界觀測指出，接連刷新營業利益紀錄的SK海力士，這次恐怕無法再締新猷。
2019-01-22 15:35:13790 據外媒消息，第二大DRAM芯片廠商SK海力士已著手第六代DDR內存即DDR6的研發，預期速率12Gb/s，也就是DDR6-12000。
2019-01-30 15:06:56845 據路透社報道，韓國SK海力士今日表示，將投資1070億美元建設四家工廠。報道稱，SK海力士此舉是要在中國力圖成為芯片制造領先國家的背景下，繼續保持競爭力。
2019-02-22 14:24:443933 4月18日，SK海力士半導體（中國）有限公司（下簡稱“SK海力士”）舉行主題為“芯的飛躍、芯的未來”的竣工儀式，宣布SK海力士二工廠項目竣工。
2019-04-19 16:30:372947 據報道，由于中美貿易摩擦愈演愈烈，韓國內存芯片大廠SK海力士有意放緩在中國工廠的投產計劃。
2019-06-24 17:21:582989 海力士則是宣布成功開發出128 層堆疊的4D NAND Flash，并已經進入量產階段。不過，雖然兩家廠商競相推出NAND Flash 的新產品，但是堆疊技術的發展至今仍未到達極限。所以，SK
2019-08-15 09:05:122382 雖然封裝不易，但 HBM 存儲器依舊會被 AMD 或者是 NVIDIA 導入。SK海力士宣布推出 HBM2E 標準存儲器，而這也是接續 Samsung 之后的第二家。
2019-09-09 16:02:49815 10月21日，SK海力士宣布開發適用第三代1Z納米的16Gb（Gigabits）DDR4（Double Data Rate 4） DRAM。
2019-10-21 16:10:362869 在推進DRAM的制造技術上，三星、SK海力士和美光這三大玩家從來沒有停止過前進的步伐。
2019-10-24 17:09:541343 本月DRAM現貨價格急漲，以DRAM為主力商品的三星電子、SK海力士等半導體企業有望改善營收。
2019-12-18 16:36:542729 SK海力士的HBM2E以每個pin 3.6Gbps的處理速度，通過1，024個I/Os（Inputs/Outputs， 輸入/輸出）能夠每秒處理460GB的數據。這速度相當于能夠在一秒內傳輸124
2020-07-03 08:42:19432 7月2日消息，據外媒報道，SK 海力士宣布，其已能夠大規模批量生產新一代高速 “HBM2E” DRAM 芯片。這是公司去年8月宣布完成HBM2E開發僅十個月之后的成果。
2020-07-03 14:48:332549 最新消息，據韓媒報道，由于美國禁令，三星電子和SK海力士將從下周二（9月15日）開始停止向華為出售芯片！ 雖然三星和SK海力士是韓企，但問題在于，美方禁令要求非美國公司不能向華為出售含有美國設備
2020-09-11 15:54:1717817 這兩家韓國公司將于 9 月 15 日終止與華為的交易。 根據美國商務部的制裁方案，三星電子和 SK 海力士將從 15 日開始停止向華為供應半導體。不僅是存儲芯片，連 5G、移動通信 （AP）等系統芯片也將無法供應，華為的存儲芯片獲取將十分艱難。 不僅是手機
2020-09-15 16:41:402328 來源：中國經濟周刊 記者：楊琳 9月15日，美國針對華為的最新制裁令正式生效：凡是使用美國的制造設備、基于美國技術開發設計生產的芯片，如果沒有美國許可，均不得供貨華為。 作為華為的重要供貨商，制裁
2020-09-17 15:15:131926 SK海力士的代工子公司SK hynix System IC已將其位于韓國忠清北道清州工廠的所有半導體生產設備出售給該集團在中國無錫的合資公司。
2020-11-11 10:16:092091 據etnews報道，SK海力士已開始在其位于韓國利川的M16工廠安裝EUV光刻機，以量產10nm 1a DRAM。 此前SK海力士宣布將在今年年內在M16廠建設產線以生產下一代DRAM，不過并未透露
2021-01-20 18:19:202146 SK海力士（或“公司”，www.skhynix.com ）在韓國京畿道利川總部以“We Do Technology，開啟幸?！睘橹黝}舉行M16新廠竣工儀式。為遵守防疫規定，公司縮小了本次活動規模
2021-02-03 09:44:241822 額將達到 415 萬平方米，計劃主要生產 DRAM 芯片，定于 2021 年第四季度開工，2025 年建成投產。這一大型工廠將包含四個晶圓加工廠，每個月產量為 80 萬片。 IT之家此前報道，SK 海力士近日表示，將在未來 10 年內開發 10nm 以下制程工藝的 DRAM 芯片，以及 600 層堆疊的
2021-04-13 11:29:492188 去年10月份，Intel宣布將旗下的NAND閃存業務以90億美元的價格出售給SK海力士。這筆交易在3月份通過了美國審批，日前通過了歐盟的審批，中國的審批會是未來的關鍵之一。 ? 上周末歐盟
2021-05-27 09:23:571847 韓國SK海力士公司剛剛正式宣布已經成功開發出業界第一款HBM3 DRAM內存芯片，可以實現24GB的業界最大的容量。HBM3 DRAM內存芯片帶來了更高的帶寬，每秒處理819GB的數據，相比上一代速度提高了78%。
2021-10-20 16:22:142055 SK海力士和Solidigm 今日首次公開了兩家公司共同開發的新企業級SSD（eSSD）產品-P5530。
2022-04-07 15:35:276467 SK海力士在業界率先開發出最新高帶寬存儲器（HBM， High Bandwidth Memory）產品HBM31，公司不僅又一次創造歷史，更進一步鞏固了SK海力士在DRAM市場上的領先地位。
2022-09-08 09:28:251176 2022年12月8日 /美通社/ -- SK海力士(或‘公司'， www.skhynix.com )今日宣布成功開發出DDR5多路合并陣列雙列直插內存模組(MCR DIMM, Multiplexer
2022-12-09 20:40:311447 韓國首爾,2023年1月6日 – SK海力士今日宣布,SK海力士副會長兼聯合CEO樸正浩在美國拉斯維加斯CES 2023開幕前一天與高通公司舉行會談探討加強合作。
2023-01-06 11:47:571252 繼SK海力士在去年11月推出的移動DRAM LPDDR5X*，將其性能提升成功開發出了LPDDR5T。本次產品的速度比現有產品快13%，運行速度高達9.6Gbps（Gb/s）。公司為了強調其超高速度特性，命名時在規格名稱“LPDDR5”上加以“Turbo（渦輪增壓）”作為了后綴。
2023-01-30 11:21:331074 需要復雜的生產過程和高度先進的技術。人工智能服務的擴展扭轉了局面。一位業內人士表示，“與性能最高的DRAM相比，HBM3的價格上漲了五倍?！?? 據了解，目前SK海力士在HBM市場處于領先地位，約有60%-70%的份額。HBM（高帶寬存儲器）是高價值、高性能存儲器，垂直互連
2023-02-15 15:14:444689 
4月26日新聞，DigiTimes援引韓國媒體報道稱，SK海力士正在推遲其位于中國大連的第二個3D NAND工廠的完工。據悉，這一決議是為了應對市場需求萎縮以及美國限制向中國出口先進晶圓廠工具
2023-05-05 15:22:001644 
熱點新聞 1、三星、SK海力士在華晶圓廠將獲美國延長“豁免期” 據最新報道，美國拜登政府已經向韓國領先的芯片公司發出信號，表示將延長允許它們將美國芯片制造設備運往中國的許可，稱這是對盟友的讓步，也是
2023-05-11 20:16:37632 
在芯片行業持續衰退的情況下，美國芯片制造商美光科技公司九年來首次超越韓國 SK 海力士公司成為全球動態隨機存取存儲器 (DRAM) 市場的第二大廠商。 根據臺灣市場研究公司 TrendForce
2023-06-01 08:46:06550 SK海力士正忙于處理來自客戶的大量HBM3E樣品請求。英偉達首先要求提供樣品，這次的出貨量幾乎是千鈞一發。這些索取樣品的客戶公司可能會在今年年底收到樣品。全球領先的GPU公司Nvidia此前曾向SK海力士供應HBM3，并已索取HBM3E樣品。各大科技公司都在熱切地等待 SK 海力士的樣品。
2023-07-12 14:34:39686 
Micron Technology Inc.（美光科技股份有限公司，納斯達克股票代碼：MU）今日宣布，公司已開始出樣業界首款 8 層堆疊的 24GB 容量第二代 HBM3 內存，其帶寬超過
2023-07-28 11:36:40535 據業界透露，三星電子、sk海力士等存儲半導體企業正在推進hbm生產線的擴張。兩家公司計劃到明年年底為止投資2萬億韓元以上，將目前hbm生產線的生產能力增加兩倍以上。sk海力士計劃在利川現有的hbm生產基地后，利用清州工廠的閑置空間。
2023-08-01 11:47:02632 SK海力士宣布將首次展示全球首款321層NAND閃存，成為業界首家開發出300層以上NAND閃存的公司。他們展示了321層1Tb TLC 4D NAND閃存的樣品，并介紹了開發進展情況。
2023-08-10 16:01:47704 據dram領域的調查企業trend force稱，去年第四季度在dram領域，三星以45.1%的世界市場占有率居首位，sk海力士以27.7%位居第二。在nand閃存領域，三星以世界第1位占據了第4季度的世界市場占有率33.8%，sk海力士（包括solidm）以17.1%占據了第3位。
2023-08-17 09:38:58292 sk海力士表示：“以唯一批量生產
hbm3的經驗為基礎，成功
開發出了
世界最高性能的擴展版
hbm3e?！皩⒁詷I界最大規模的
hbm供應經驗和量產成熟度為基礎，從明年上半年開始批量生產
hbm3e，鞏固在針對ai的存儲器市場上的獨一無二的地位?！?/div>
2023-08-21 09:21:49563 該公司表示，HBM3E（HBM3的擴展版本）的成功開發得益于其作為業界唯一的HBM3大規模供應商的經驗。憑借作為業界最大HBM產品供應商的經驗和量產準備水平，SK海力士計劃在明年上半年量產HBM3E，鞏固其在AI內存市場無與倫比的領導地位。
2023-08-22 16:24:41541 與此同時，SK海力士技術團隊在該產品上采用了Advanced MR-MUF*最新技術，其散熱性能與上一代相比提高10%。HBM3E還具備了向后兼容性（Backward compatibility）**，因此客戶在基于HBM3組成的系統中，無需修改其設計或結構也可以直接采用新產品。
2023-08-23 15:13:13461 meta是SK海力士的主要顧客之一，正在購買為構建和擴張數據中心的企業用ssd （ssd）和服務器dram。據悉，對ai服務器投入大量資金的meta還要求sk海力士追加提供高性能、高效率的ddr5服務器dram。
2023-08-30 10:03:33504 隨著ai產業的增長，hbm需求劇增，sk海力士不得不增加人力和生產。hbm存儲器是將多個dram芯片垂直堆疊起來，因此封裝技術的防熱性能也是重要因素。
2023-09-01 14:27:55356 美國商務部產業安全局（bis） 13日公布了一項規定，內容是更新對三星和sk海力士的一般許可證，將兩家公司的中國工廠包括為“實證最終使用者（veus）”。如果包括在該名單中，今后三星和sk海力士無需另外得到許可也可以向中國工廠供應設備。
2023-10-16 10:50:29436 
SK海力士同樣也在籌備提高DDR5產品比重。其已在今年5月開發出10nm級第5代（1b）DDR5，供應給英特爾。韓國投資證券分析師預計，由于DDR5需求高漲，拉動產品平均銷售單價，SK海力士DRAM業務有望加快轉虧為盈，公司整體業績也有望提前擺脫虧損。
2023-10-24 14:50:16174 速度。SK海力士表示，最近獲得了將LPDDR5T DRAM適用于美國高通技術公司（Qualcomm Technologies，以下簡稱高通）最新第三代驍龍8移動平臺（Snapdragon?8 Gen 3
2023-10-25 18:17:54711 
SK海力士稱，由于高性能半導體存儲器產品的市場需求增加，公司業績開始持續改善。尤其是面向人工智能的存儲器產品，如HBM3、高容量DDR5 DRAM和高性能移動DRAM等，銷售表現良好。因此與上一季度相比，營業收入增長了24%，營業虧損減少了38%。
2023-10-31 17:02:28413 SK海力士明年計劃的設施投資為10萬億韓元（76.2億美元），超出了市場預期。證券界最初預測“SK海力士明年的投資額將與今年類似，約為6萬億至7萬億韓元”。鑒于經濟挑戰，觀察人士預計嚴格的管理措施將延續到明年。由于存儲半導體價格大幅下跌，SK海力士預計今年赤字將超過8萬億韓元。
2023-11-22 17:28:05457 ? 近日，瀾起科技榮獲全球知名存儲器廠商SK海力士頒發的“最佳供應商獎”。此前，瀾起科技曾于2020年12月榮獲SK海力士“質量管理優異獎”。 ? 作為SK海力士多年的合作伙伴，瀾起科技一直致力于
2023-12-04 09:02:37471 數據顯示，首爾半導體操作 DRAM晶圓及HBM相關設備的定單數量有所上升。其中三星電子已開始擴大其HBM生產能力，并啟動大規模HBM設備采購；此外，三星和SK海力士計劃加強DRAM技術轉移，進一步加大對DRAM的投資力度。
2024-01-08 10:25:22389 無錫工廠是SK海力士的核心生產基地，其產量約占公司DRAM總產量的40%。目前，無錫工廠正在生產兩款較舊的10納米DRAM。
2024-01-16 10:45:25109 韓國存儲芯片巨頭SK海力士在2023年12月31日公布的第四季度財報中，展現出強大的增長勢頭。數據顯示，公司的主力產品DDR5 DRAM和HBM3的營收較2022年分別增長了4倍和5倍以上，成為推動公司營收增長的主要力量。
2024-01-26 16:32:24641 無錫工廠是SK海力士的核心生產基地，其產量約占公司DRAM總產量的40%。目前，無錫工廠正在生產兩款較舊的10nm制程DRAM。
2024-01-31 11:23:05332 韓國存儲芯片巨頭SK海力士計劃在美國印第安納州投資興建一座先進封裝工廠，專注于生產高帶寬內存（HBM）芯片。這一舉措旨在與英偉達（NVIDIA）的AI GPU進行深度整合，共同推動美國本土的AI芯片制造能力。
2024-02-06 16:10:29664 在全球存儲半導體市場的激烈競爭中，SK海力士已正式結束了第五代高帶寬存儲器器（HBM3E）的開發工作，并成功通過了Nvidia長達半年的性能評估。這一里程碑的達成標志著SK海力士即將在今年3月開始量產這款革命性的存儲器產品，并計劃在下個月內向其重要合作伙伴Nvidia供應首批產品。
2024-02-21 11:14:08612 SK 海力士副總裁 Kim Ki-Tae 對此表示，作為 HBM 行業翹楚，海力士洞察到市場對 HBM 存儲的巨大需求，現已提前調整產量，以期更好地滿足市場需求，保護其市場占有率。
2024-02-23 14:12:00249 近日，全球存儲解決方案領導者SK海力士宣布，他們已成功完成了高性能HBM3E（High-Bandwidth Memory 3rd Generation Enhanced）的開發，并且已經通過了英偉
2024-02-25 11:22:21374 2024年2月27日 - 三星電子今日宣布，公司成功發布其首款12層堆疊HBM3E DRAM——HBM3E 12H，這是三星目前為止容量最大的HBM產品。
2024-02-27 11:07:00250 SK海力士正積極應對AI開發中關鍵組件HBM（高帶寬存儲器）日益增長的需求，為此公司正加大在先進芯片封裝方面的投入。SK海力士負責封裝開發的李康旭副社長明確指出，公司正在韓國投入超過10億美元，以擴大和改進其芯片封裝技術。
2024-03-08 10:53:44333 SK海力士作為HBM3E的首發玩家，預計這款最新產品的大批量投產及其作為業內首家供應HBM3制造商所累積的經驗，將進一步強化公司在AI存儲器市場的領導者地位。
2024-03-19 15:18:21252 SK海力士，作為全球知名的半導體公司，近期在中國業務方面進行了重大的戰略調整。據相關報道，SK海力士正在全面重組其在中國的業務布局，計劃關閉運營了長達17年的上海銷售公司，并將其業務重心全面轉移到無錫。這一決策的背后，反映了SK海力士對于中國市場發展的深刻洞察和前瞻布局。
2024-03-20 10:42:25349 HBM3E的推出，標志著SK海力士在高性能存儲器領域取得了重大突破，將現有DRAM技術推向了新的高度。
2024-03-20 15:23:53274 AMD、微軟和亞馬遜等。 ? HBM（高帶寬存儲器），是由AMD和SK海力士發起的基于3D堆棧工藝的高性能DRAM，適用于高存儲器帶寬需求的應用場合。如今HBM已經發展出HBM2、HBM2e以及HBM3。HBM3E是HBM3的下一代產品，SK海力士目前是唯一能量產HBM3的廠商。 ? HBM 成為
2023-07-06 09:06:312126 
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