一種適用于PVT法生長SiC晶體系統的測溫結構詳細介紹

　　本實用新型公開一種適用于 PVT 法生長 SiC 晶體系統的測溫結構，所述系統具有用坩堝圍成的晶體生長用晶體生長室，配置于生長室室內頂部的籽晶托，和在所述晶體生長室外圍的保溫層 ；所述的測溫結構包括設置于生長室頂部的籽晶托上方的保溫層上并能夠通過其利用高溫紅外測溫計測量晶體生長室內溫度的開孔 ；以及插通所述開孔形成于籽晶托上的測溫管。本實用新型的測溫結構可以在晶體生長過程中準確測量坩堝頂部溫度，從而實現精確控溫，并且避免測溫孔堵塞導致的溫度梯度變化，提高晶體生長的成品率。

　　1. 一種適用于 PVT 法生長 SiC 晶體系統的測溫結構，所述系統具有用坩堝圍成的晶體生長用晶體生長室，配置于生長室室內頂部的籽晶托，和在所述晶體生長室外圍的保溫層 ；其特征在于，所述測溫結構包括設置于生長室頂部的籽晶托上方的保溫層上并能夠通過其利用高溫紅外測溫計測量晶體生長室內溫度的開孔 ；以及插通所述開孔固定于籽晶托上的測溫管。 2. 根據權利要求 1 所述的測溫結構，其特征在于，所述測溫管由不低于 2500℃的耐高溫材料制成。 3. 根據權利要求 2 所述的測溫結構，其特征在于，所述耐高溫材料為石墨材料或鉭。 4. 根據權利要求 1 所述的測溫結構，其特征在于，所述測溫管高于保溫層或與保溫層頂部齊平。 5. 根據權利要求 1 所述的測溫結構，其特征在于，所述測溫管內徑為 5mm-30mm，測溫管壁厚為 1mm-15mm。 6.根據權利要求1至5中任一項所述的測溫結構，其特征在于，所述測溫管插入并固定在籽晶托上方設置的有底中心孔內。 7.根據權利要求1至5中任一項所述的測溫結構，其特征在于，所述測溫管套接并固定在籽晶托上方設置的凸臺上。 8.根據權利要求1至5中任一項所述的測溫結構，其特征在于，所述測溫管與籽晶托一體地成型為一個整體。