半導體行業之晶體生長和硅片準備（五）

生長缺陷

在晶體生長的過程中，由于某些條件的引入將會導致結構缺陷的生成。一個缺陷被人們稱之為滑倒，這種缺陷具體指代的是晶體沿著晶面的滑移(如下圖所示可以看到)。另一個問題是雙胞胎晶體。這是在晶體一分為二生長的過程中，同一界面的晶體向不同方向發展的現象。這兩種缺陷產生的原因都是晶體之間的排斥現象。

雜質

除了在材料和處理過程中產生的不需要的雜質，CZ過程本身也會添加兩種晶體雜質。一種是二氧化硅坩堝中的氧氣。另一個是來自加熱區而來的石墨。氧在合成的晶圓片和電路中具有電活性。碳可以促進氧的沉淀。

結束打磨

從晶體取出種植機后，晶體要經過一系列步驟才可以最終產生成為成品晶圓。首先是晶體以用鋸子切割的方式加以裁剪在可以看到。

直徑磨削

在晶體生長過程中，晶體的長度的變化直徑也會隨之而產生一定的變化(如下圖所示)。晶圓加工過程，配有各種晶圓支架和自動設備，這些都要求對晶圓的直徑嚴格控制，以盡量減少翹曲和搬運工具造成晶圓破碎。

直徑磨削是在無心磨床上進行的一種機械操作。這臺機器不需要磨砂機就能把晶體磨成正確的直徑，通過夾緊到一個固定中心點的車床式磨床上即可。

晶體取向，電導率和電阻率檢查

在將晶體提交到晶圓制備步驟之前，有必要確定其是否符合我們設計所需要的取向和電阻率規范。

晶體取向(如下圖所示)由x射線衍射或準直光折射可以探測出來。在這兩種方法中，晶體的一端被蝕刻或拋光以去除鋸傷。接下來，晶體被安裝在折射裝置上，儀器和x射線或準直光從晶體表面反射到照相底片(x射線)或屏幕上(準直光)。圖案形成在板或屏上，這樣就可以顯示生長晶體的晶體平面(方向)。下圖所示的模式代表了一個方向。

大多數晶體都生長在離主晶狀體幾度的地方。這種方向的偏離在晶圓制造中提供了幾個好處，特別是離子注入過程中更加常用。其原因將在之后的部分中說明。晶體被放置在一個切片塊上，以確保晶圓將被切割為正確的方向。

因為每個晶體都是摻雜的，一個重要的電學檢查是電導率類型(N或P)，以確保使用正確的摻雜劑類型。熱點探針連接到一個極性計上，它是用來產生空穴或電子的(取決于晶體中的類型）。電導率類型可以被顯示在儀表上。

注入晶體的摻雜量由電阻率決定，并且可以使用四點探頭進行測量。見后面章節對此的詳細描述。后續我們將展示n型和p型硅的電阻率與摻雜濃度的關系。由于摻雜劑的變化，在生長過程中，電阻率將沿著晶體的軸線進行檢查。這種變化導致晶圓片分為幾個電阻率規格范圍。在稍后的過程中，晶圓可以按不同的電阻率范圍來滿足客戶不同規格的要求。

審核編輯：劉清