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電子發燒友網>可編程邏輯> 新思科技提供跨臺積公司先進工藝的參考流程,助力加速模擬設計遷移

新思科技提供跨臺積公司先進工藝的參考流程,助力加速模擬設計遷移

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2023-08-24 17:37:47657

思科技3DIC Compiler獲得三星多裸晶芯集成工藝流程的認證

思科技經認證的多裸晶芯片系統設計參考流程和安全的Die-to-Die IP解決方案,加速了三星SF 5/4/3工藝和I-Cube及X-Cube技術的設計和流片成功。 新思科技3DIC
2023-09-14 09:38:28839

Cadence 定制/模擬設遷移流程加速 TSMC 先進制程技術的采用

流程,能兼容所有的 TSMC(臺積電)先進節點,包括最新的 N3E 和 N2 工藝技術。 這款生成式設計遷移流程由 Cadence 和 TSMC 共同開發,旨在實現定制和模擬 IC 設計在 TSMC
2023-09-27 10:10:04301

思科技設備在臺積電流片2nm芯片

N2納米片工藝的數字設計流程正在實現多次流片,而模擬設流程已在多個設計啟動中采用。預計將于2024年提供樣品。 這是在領先工藝上同時提供模擬設流程和庫與數字設計流程和庫的重大舉措,特別是從FINFET晶體管轉向納米片、全柵(GAA)器件之際。由此需要新的設計和
2023-10-08 16:49:24285

Cadence 數字和定制/模擬設流程獲 TSMC 最新 N2 工藝認證

的生產力 基于 AI 驅動的 Virtuoso Studio 的定制/模擬流程支持電路優化,功能經過增強,可將設計遷移吞吐量提升 3 倍 雙方的共同客戶正在積極使用 N2 PDK 來開發 AI、大規模計算
2023-10-10 16:05:04270

思科技攜手臺積公司加速2nm工藝創新,為先進SoC設計提供經認證的數字和模擬設流程

。 Synopsys.ai? EDA解決方案中的模擬設遷移流程可實現臺積公司工藝節點的快速設計遷移。 新思科技接口IP和基礎IP的廣泛產品組合正在開發中,將助力縮短設計周期并降低集成風險。 ? 加利福尼亞州桑尼維爾, 2023 年 10 月 18 日 – 新思科技(Synopsys, I
2023-10-19 11:44:22104

思科技攜手臺積公司加速N2工藝下的SoC創新

思科技近日宣布,其數字和定制/模擬設流程已通過臺積公司N2工藝技術認證,能夠幫助采用先進工藝節點的SoC實現更快、更高質量的交付。新思科技這兩類芯片設計流程的發展勢頭強勁,其中數字設計流程已實現
2023-10-24 16:42:06475

思科技攜手是德科技、Ansys面向臺積公司4 納米射頻FinFET工藝推出全新參考流程,助力加速射頻芯片設計

摘要: 全新參考流程針對臺積公司 N4PRF 工藝打造,提供開放、高效的射頻設計解決方案。 業界領先的電磁仿真工具將提升WiFi-7系統的性能和功耗效率。 集成的設計流程提升了開發者的生產率,提高了
2023-10-30 16:13:05106

思科技可互操作工藝設計套件助力開發者快速上手模擬設

計 新思科技攜手Ansys 和 Keysight 共同推出全新射頻設計參考流程,能夠為現代射頻集成電路設計提供完整解決方案 新思科技(Synopsys)近日宣布,其模擬設遷移流程已應用于臺積公司N4P、N3E 和 N2 在內的多項先進工藝。作為新思科技定制設計系列產品
2023-11-09 10:59:40436

思科技攜手合作伙伴開發針對臺積公司N4P工藝的射頻設計參考流程

(RF)設計和接口IP五項大獎。新思科技與臺積公司長期穩固合作,持續提供經過驗證的解決方案,包括由Synopsys.ai全棧式AI驅動型EDA解決方案支持的認證設計流程,幫助共同客戶加快創新型人工智能
2023-11-14 10:31:46376

思科技于2023臺積公司OIP生態系統論壇上榮獲多項年度合作伙伴大獎

多個獎項高度認可新思科技在推動先進工藝硅片成功和技術創新領導方面所做出的卓越貢獻 摘要 : 新思科技全新數字與模擬設流程認證針對臺積公司N2和N3P工藝提供經驗證的功耗、性能和面積(PPA)結果
2023-11-14 14:18:45120

模擬設計中噪聲分析的11個誤區

電子發燒友網站提供模擬設計中噪聲分析的11個誤區.pdf》資料免費下載
2023-11-28 10:25:190

思科技與英特爾深化合作,以新思科技IP和經Intel 18A工藝認證的EDA流程加速先進芯片設計

?芯片制造商與EDA解決方案和廣泛的IP組合緊密合作, 能夠提升產品性能并加快上市時間 摘要: 新思科技數字和模擬EDA流程經過認證和優化,針對Intel 18A工藝實現功耗、性能和面積目標
2024-03-05 10:16:5984

思科技攜手英特爾加速Intel 18A工藝下高性能芯片設計

思科技數字和模擬 EDA 流程經過認證和優化,針對Intel 18A工藝實現功耗、性能和面積目標
2024-03-05 17:23:44238

思科技與英特爾深化合作加速先進芯片設計

近日,新思科技與英特爾宣布深化合作,共同加速先進芯片設計的步伐。據悉,新思科技的人工智能驅動的數字和模擬設流程已經成功通過英特爾代工的Intel 18A工藝認證,這一突破性的進展標志著雙方在芯片設計領域的合作邁上了新臺階。
2024-03-06 10:33:59180

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