新思科技IP成功在臺積公司3nm工藝實現流片

基于臺積公司N3E工藝技術的新思科技IP能夠為希望降低集成風險并加快首次流片成功的芯片制造商建立競爭優勢

符合標準規范的新思科技接口IP，包括112G以太網、LPDDR5X、DDR5、PCIe、USB/DisplayPort和MIPI C/D-PHY，實現了廣泛的互操作性

基于臺積公司N3E工藝技術的廣泛IP組合與新思科技的認證數字和定制設計解決方案強強結合，能夠提高性能并極大限度地降低功耗

新思科技近日宣布，基于臺積公司N3E工藝技術可提供廣泛的接口IP產品組合，成功引領了新一輪先進芯片設計浪潮。

新思科技的半導體IP在最通用的協議等多條產品線上實現了流片成功，能夠提供業界領先的功耗、性能、面積（PPA）和低延遲。

新思科技面向臺積公司N3E工藝的IP為臺積公司N3P集成提供了一條快捷路徑，助力開發者加速開發人工智能（AI）、高性能計算（HPC）和移動設計。

我們與新思科技的長期合作，能夠讓雙方的共同客戶受益于已經在臺積公司先進工藝技術上得到驗證的廣泛IP組合。

新思科技IP在臺積公司N3E工藝上實現流片成功印證了我們在長期合作中付出的努力，共同幫助開發者應對其SoC設計上嚴格的PPA和延遲要求，并加速下一代AI、HPC和移動應用的芯片創新。

新思科技提供了廣泛的高質量IP組合，助力開發者實現他們的設計目標，并以更低的風險將必要的IP快速集成到他們的設計中。

新思科技面向臺積公司3納米工藝的IP已被數十家領先公司采用，助力他們加快開發周期，快速實現流片成功并加速上市時間。

審核編輯：劉清