、氮化鎵、磷化鎵、鍺、磷化銦、鈮酸鋰、藍寶石、硅、碳化硅、玻璃不同材質晶圓的量測。WD4000國產晶圓幾何形貌量測設備自動測量Wafer厚度、表面粗糙度、三維形貌、單
2024-03-15 09:22:08
,而實際的產品誤差值會更小。晶發電子實際測試數據顯示，行業標準為±30ppm，我司產晶振可實現±5ppm。
·溫度頻差
在不同的溫度范圍(-2070℃普通級/民用級晶振；-4085℃工業級晶振；-55
2024-03-04 13:48:39
的 2.5D/3D 封裝技術可以實現芯片之間的高速、低功耗和高帶寬的信號傳輸。常見的垂直 TSV 的制造工藝復雜，容易造成填充缺陷。錐形 TSV 的側壁傾斜，開口較大，有利于膜層沉積和銅電鍍填充，可降低工藝難度和提高填充質量。在相對易于實現的刻蝕條件下制備
2024-02-25 17:19:00
119 
以硅通孔（TSV）為核心的 2.5D/3D 封裝技術可以實現芯片之間的高速、低功耗和高帶寬的信號傳輸。
2024-02-25 16:51:10482 
WD4000無圖晶圓幾何形貌測量系統是通過非接觸測量，將晶圓的三維形貌進行重建，強大的測量分析軟件穩定計算晶圓厚度，TTV，BOW、WARP、在高效測量測同時有效防止晶圓產生劃痕缺陷?？杉嫒莶煌馁|
2024-02-21 13:50:34
熱阻測試和可靠性測試。結果表明，該半燒結型銀漿的工藝操作性好，燒結后膠層空洞率低；當膠層厚度控制在30 μm左右時，剪切強度達到25.73 MPa；采用半燒結型銀漿+TSV轉接板的方式燒結功放芯片，其導熱性能滿足芯片的散熱要求；經過可靠性測
2024-01-17 18:09:11185 
ADuCM360下載程序需要專用轉接板嗎?還是USB轉TTL可直接下載？在網上看到似乎需要一個這樣的轉接板，接口定義也是如此。
2024-01-15 07:27:17
傳統封裝需要將每個芯片都從晶圓中切割出來并放入模具中。晶圓級封裝 (WLP) 則是先進封裝技術的一種 , 是指直接封裝仍在晶圓上的芯片。
2024-01-12 09:29:13336 
WD4000無圖晶圓幾何形貌測量設備采用高精度光譜共焦傳感技術、光干涉雙向掃描技術，完成非接觸式掃描并建立3D Mapping圖，實現晶圓厚度、TTV、LTV、Bow、Warp、TIR、SORI、等
2024-01-10 11:10:39
硅通孔技術（TSV，Through Silicon Via）是通過在芯片和芯片之間、晶圓和晶圓之間制作垂直導通，實現芯片之間互連的技術，是2.5D/3D 封裝的關鍵工藝之一。通過垂直互連減小互連長度、信號延遲，降低電容、電感，實現芯片間低功耗、高速通訊，增加帶寬和實現小型化。
2024-01-09 09:44:131879 
WD4000半導體晶圓厚度測量系統自動測量Wafer厚度、表面粗糙度、三維形貌、單層膜厚、多層膜厚。1、使用光譜共焦對射技術測量晶圓Thickness、TTV、LTV、BOW、WARP、TIR
2024-01-09 09:08:07
元件，具有完全的偏振靈活性。其他功能包括溫度增益補償和溫度報告。該芯片的所有引腳均具有 ESD 保護，采用 +1.2V 電源供電，并采用 WLCSP（晶圓級芯片級
2024-01-02 15:34:01
TC-Wafer是將高精度溫度傳感器鑲嵌在晶圓表面，對晶圓表面的溫度進行實時測量。通過晶圓的測溫點了解特定位置晶圓的真實溫度，以及晶圓整體的溫度分布，同還可以監控半導體設備控溫過程中晶圓發生的溫度
2023-12-21 08:58:53
WD4000晶圓幾何形貌測量設備采用白光光譜共焦多傳感器和白光干涉顯微測量雙向掃描技術，完成非接觸式掃描并建立表面3D層析圖像，實現Wafer厚度、翹曲度、平面度、線粗糙度、總體厚度變化(TTV
2023-12-20 11:22:44
本篇文章將探討用于晶圓級封裝(WLP)的各項材料，從光刻膠中的樹脂，到晶圓承載系統(WSS)中的粘合劑，這些材料均在晶圓級封裝中發揮著重要作用。
2023-12-15 17:20:36807 
中圖儀器WD4000無圖晶圓幾何形貌量測系統自動測量Wafer厚度、表面粗糙度、三維形貌、單層膜厚、多層膜厚。它采用白光光譜共焦多傳感器和白光干涉顯微測量雙向掃描技術，完成非接觸式掃描并建立表面3D
2023-12-14 10:57:17
以來迅速發展的新型微電子封裝技術，包括焊球陣列封裝（BGA）、芯片尺寸封裝（CSP）、圓片級封裝（WLP）、三維封裝（3D）和系統封裝（SIP）等項技術。介紹它們的發展狀況和技術特點。同時，敘述了微電子
2023-12-11 01:02:56
~ 3.63V)
針對低功耗設計進行優化
支持最小封裝尺寸至1.6 x 1.2 x 0.6mm
氣密金屬陶瓷封裝
通過AEC-Q200認證（車規級）
02
SPXO & TCXO
2023-12-07 09:30:19
設計時，AD2S1210的時鐘輸入采用8.192MHZ的有源晶振，選擇晶振時對有源晶振的功率有什么要求？？？一個有源晶振能不能給兩個AD2S1210芯片提供時鐘輸入？？？感謝！
2023-12-07 07:07:43
晶圓測溫系統tc wafer晶圓表面溫度均勻性測溫晶圓表面溫度均勻性測試的重要性及方法 在半導體制造過程中，晶圓的表面溫度均勻性是一個重要的參數
2023-12-04 11:36:42
率低；當膠層厚度控制在30μm左右時，剪切強度達到25.73MPa；采用半燒結型銀漿+TSV轉接板的方式燒結功放芯片，其導熱性能滿足芯片的散熱要求；經過可靠性測試后，燒結芯
2023-12-04 08:09:57446 
3D-IC 中 硅通孔TSV 的設計與制造
2023-11-30 15:27:28212 
三星電子和sk海力士用于tsv蝕刻的設備都是Syndion。synthion是典型的深硅蝕刻設備，深度蝕刻到晶片內部，用于tsv和溝槽等的高度和寬度比的形成。泛林集團 sabre 3d將用于用銅填充蝕刻的晶圓孔來制作線路的tsv線路。
2023-11-30 10:15:57324 你好：
我目前在用adau1442，現在調試方式都是用貴公司的USBI轉接板，我是想了解，是否可以不通過USBI轉接板直接進行軟件控制呢或者貴公司可以提供轉接板資料我直接集成到我的電路板上，這樣以便產品的推廣。
謝謝
2023-11-30 07:30:44
TSV是2.5D和3D集成電路封裝技術中的關鍵實現技術。半導體行業一直在使用HBM技術將DRAM封裝在3DIC中。
2023-11-27 11:40:20211 
請問像AD8233一樣的晶圓封裝在PCB中如何布線，芯片太小，過孔和線路都無法布入，或者有沒有其他封裝的AD8233
2023-11-14 07:01:48
并瓜分全部的市場份額，在新應用催化下，也為后端封測廠和TSV設備公司帶來了市場機會。 硅通孔 /? TSV(Through-Silicon Via) 硅通孔TSV是一種能讓3D封裝遵循摩爾定律演進的互連
2023-11-09 13:41:212341 
在上篇文章中介紹了扇入型晶圓級芯片封裝(Fan-In WLCSP)、扇出型晶圓級芯片封裝(Fan-Out WLCSP)、重新分配層(RDL)封裝、倒片(Flip Chip)封裝，這篇文章著重介紹硅通孔(TSV)封裝工藝。
2023-11-08 10:05:531825 
。WD4000晶圓幾何形貌測量及參數自動檢測機采用高精度光譜共焦傳感技術、光干涉雙向掃描技術，完成非接觸式掃描并建立3D Mapping圖，實現晶圓厚度、TTV、LTV、B
2023-11-06 10:49:18
WD4000系列半導體晶圓幾何形貌自動檢測機采用高精度光譜共焦傳感技術、光干涉雙向掃描技術，完成非接觸式掃描并建立3D Mapping圖，實現晶圓厚度、TTV、LTV、Bow、Warp、TIR
2023-11-06 10:47:07
專利摘要顯示，本公開實施例提供了一種封裝結構和封裝方法，涉及半導體封裝技術領域。該封裝結構包括轉接板以及間隔貼裝在轉接板上的第一器件、第二器件和第三器件，第一器件、第二器件和第三器件之間相互間隔設置，以在第三器件朝向第一器件和第二器件的一側形成第一間隙槽，第一器件和第二器件之間形成第二間隙槽
2023-11-06 10:44:22301 
SOM-3588-LGA 是一款基于Rockchip RK3588芯片平臺，采用LGA（506pin）封裝設計的一款極小尺寸的商規級核心板?，F在核心板 SOM-3588-LGA（商業級
2023-10-23 11:50:30
WD4000半導體晶圓表面三維形貌測量設備自動測量Wafer厚度、表面粗糙度、三維形貌、單層膜厚、多層膜厚?？蓮V泛應用于襯底制造、晶圓制造、及封裝工藝檢測、3C電子玻璃屏及其精密配件、光學加工、顯示
2023-10-23 11:05:50
WD4000半導體晶圓檢測設備自動測量Wafer厚度、表面粗糙度、三維形貌、單層膜厚、多層膜厚。1、使用光譜共焦對射技術測量晶圓Thickness、TTV、LTV、BOW、WARP、TIR、SORI
2023-10-19 11:08:24
WD4000無圖晶圓幾何量測系統自動測量 Wafer 厚度 、表面粗糙度 、三維形貌 、單層膜厚 、多層膜厚 。使用光譜共焦對射技術測量晶圓 Thickness 、TTV 、LTV 、BOW
2023-10-18 09:09:00
[迪拜，阿聯酋，2023年10月17日]今日，在GITEX2023期間，主題為“IP商機無限，共贏智能化未來”的商業市場IP Club備受矚目。來自阿聯酋、沙特等多個國家和地區的70多位伙伴共聚一堂
2023-10-17 23:30:02370 
手冊，更有MAX77540EVKIT: Evaluation Kit for the MAX77540 in
WLP Package Data Sheet的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料
2023-10-16 19:10:59
MAX6069: 1μA WLP Precision Shunt Voltage Reference Data Sheet的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，MAX6069: 1μA WLP
2023-10-16 18:45:26
MAX17227JEVK-WLP: Evaluation Kit for the MAX17227J Data Sheet的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，MAX17227JEVK-WLP
2023-10-16 18:35:32
手冊，更有Evaluation Kit for the MAX18000 and MAX18002 in WLP Package Data Sheet的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料
2023-10-12 18:53:03
MAX38647BEVKIT: MAX38647B WLP Evaluation Kit Data Sheet的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，MAX38647BEVKIT: MAX38647B WLP
2023-10-12 18:47:52
:WLP包裝數據表MAX77837MAX77837的 MAX77837評價包的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，MAX77837EVKIT:WLP包裝數據表MAX77837MAX77837
2023-10-10 19:15:37
)數據表的評估工具包的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，MAX77857WGEVKIT:MAX77857(WLP)數據表的評估工具包真值表，MAX77857WGEVKIT:MAX77857(WLP)數據表的評估工具包管腳等資料，希望可以幫助到廣大的電子工程師們。
2023-10-09 18:38:40
MAX400008-MAX400009:220ns, 12微A, 6-Bum WLP 與關閉數據表的比較的引腳圖、接線圖、封裝手冊、中文資料、英文資料，MAX400008-MAX400009:220ns, 12微A, 6-Bum
2023-10-07 17:52:07
先進封裝技術以SiP、WLP、2.5D/3D為三大發展重點。先進封裝核心技術包括Bumping凸點、RDL重布線、硅中介層和TSV通孔等，依托這些技術的組合各廠商發展出了滿足多樣化需求的封裝解決方案，SiP系統級封裝、WLP晶圓級封裝、2.5D/3D封裝為三大發展重點。
2023-09-28 15:29:371608 
先進封裝中硅通孔(TSV)銅互連電鍍研究進展
2023-09-06 11:16:42534 
的頂部和底部都暴露出來，用銅填充的過孔就可以通過晶片提供互連。這提供了由晶片隔離和保護的堅固耐用的互連。它還提供了使用小得多的體積的互連，同時減少了對與現代微電子封裝相關的大多數封裝的需求。本工作使用兩種方法生產銅基TSV，
2023-08-30 17:19:11326 
PFA花籃（PFA wafer Cassette） 又名 清洗花藍 ，鐵氟龍卡匣 ， 鐵氟龍晶舟盒 ，鐵氟龍晶圓盒為承載半導體晶圓片/硅片
2023-08-29 08:57:51
先進封裝處于晶圓制造與封測的交叉區域 先進封裝處于晶圓制造與封測制程中的交叉區域，涉及IDM、晶圓代工、封測廠商。先進封裝要求在晶圓劃片前融入封裝工藝步驟，具體包括應用晶圓研磨薄化、重布線（RDL
2023-08-07 10:59:46852 
來源：半導體風向標 從HBM存儲器到3D NAND芯片，再到CoWoS，硬件市場上有許多芯片是用英文稱為TSV構建的，TSV是首字母縮寫，意為“通過硅通孔”并翻譯為via硅的事實，它們垂直地穿過
2023-07-26 10:06:15619 TSV不僅賦予了芯片縱向維度的集成能力，而且它具有最短的電傳輸路徑以及優異的抗干擾性能。隨著摩爾定律慢慢走到盡頭，半導體器件的微型化也越來越依賴于集成TSV的先進封裝。
2023-07-25 10:09:36470 
SD NAND 測試板，CSSDBRD010轉接板，適用LGA-8
2023-07-05 09:10:05
編者注：TSV是通過在芯片與芯片之間、晶圓和晶圓之間制作垂直導通；TSV技術通過銅、鎢、多晶硅等導電物質的填充，實現硅通孔的垂直電氣互聯，這項技術是目前唯一的垂直電互連技術，是實現3D先進封裝的關鍵技術之一。
2023-07-03 09:45:342001 
隨著三維集成技術的發展，如何將不同材料、結構、工藝、功能的芯片器件實現一體化、多功能集成化是未來系統集成發展的重點?；?b class="flag-6" style="color: red">TSV、再布線（RDL）、微凸點（Micro Bump）、倒裝焊（FC）等關鍵工藝的硅轉接基板集成技術是將處理器、存儲器等多種芯片集成到同一個基板上，可提供高密度引腳的再分布。
2023-07-01 10:35:211392 
晶圓測溫系統，晶圓測溫熱電偶，晶圓測溫裝置一、引言隨著半導體技術的不斷發展，晶圓制造工藝對溫度控制的要求越來越高。熱電偶作為一種常用的溫度測量設備，在晶圓制造中具有重要的應用價值。本文
2023-06-30 14:57:40
小型0.73mm x 0.73mm（約兩個0402電阻大?。?引腳晶圓級封裝(WLP)，以及5引腳SOT23封裝。該器件系列采用1.7V至5.5V（ VCC&nbs
2023-06-28 11:35:45
GE211是機智云自行研發的定制轉接板，主要適用于白色智能家電等設備應用。轉接板采用ESP32-C3-WROOM-02通信模塊，具備支持WiFi和BLE的雙模無線通信能力，并且還包含TTL電平轉換
2023-06-27 18:02:57
不同封裝的晶振，有什么差別沒有
2023-06-26 06:09:47
硅通孔(Through Si Vias，TSV)硅轉接基板技術作為先進封裝的一種工藝方式，是實現千級IO芯片高密度組裝的有效途徑，近年來在系統集成領域得到快速應用。
2023-06-16 16:11:33342 
芯片功能測試常用5種方法有板級測試、晶圓CP測試、封裝后成品FT測試、系統級SLT測試、可靠性測試。
2023-06-09 16:25:42
由于摩爾定律逐漸接近其物理極限，為進一步追求速度、功耗、功能與制造成本的平衡，后道封裝更加強調封裝集成度、I/O引腳密度及功能集成度，因此SiP、2.52D/3D集成及WLP成為未來集成電路后道封裝
2023-05-31 11:02:401312 
無論是采用Fan-in還是Fan-out，WLP晶圓級封裝和PCB的連接都是采用倒裝芯片形式，芯片有源面朝下對著印刷電路板，可以實現最短的電路徑，這也保證了更高的速度和更少的寄生效應。
2023-05-24 10:15:581529 
隨著晶圓代工制程不斷縮小，摩爾定律逼近極限，先進封裝是后摩爾時代的必然選擇。其中，利用高端封裝融合最新和成熟節點，采用系統封裝(SiP)和基于小芯片的方法，設計和制造最新的SoC產品已經成為
2023-05-23 12:29:112873 
隨著半導體工藝的不斷進步，封裝技術也在逐漸演變。晶圓級封裝（Wafer-Level Packaging，WLP）和傳統封裝技術之間的差異，以及這兩種技術在半導體行業的發展趨勢和應用領域，值得我們深入了解。
2023-05-12 13:26:05681 
請教一下，有部分工程師使用的0402以上阻容件封裝焊盤呈子彈頭設計（焊盤內測導圓），這樣設計走什么優缺點呢？
2023-05-11 11:56:44
半導體大規模生產過程中需要在晶圓上沉積集成電路芯片，然后再分割成各個單元，最后再進行封裝和焊接，因此對晶圓切割槽尺寸進行精準控制和測量，是生產工藝中至關重要的環節。
2023-05-09 14:12:38
硅通孔（TSV） 是當前技術先進性最高的封裝互連技術之一?；?TSV 封裝的核心工藝包括 TSV 制造、RDL/微凸點加工、襯底減薄、圓片鍵合與薄圓片拿持等。
2023-05-08 10:35:242021 
半導體大規模生產過程中需要在晶圓上沉積集成電路芯片，然后再分割成各個單元，最后再進行封裝和焊接，因此對晶圓切割槽尺寸進行精準控制和測量，是生產工藝中至關重要的環節。
2023-04-28 17:41:49
MICROFJ-60035-TSV-TR1
2023-04-06 23:35:33
MICROFJ-30035-TSV-TR
2023-04-06 23:31:03
MICROFJ-60035-TSV-TR
2023-04-06 23:31:03
，封裝無需向芯片外擴展，使得WLP的封裝尺寸幾乎等于芯片尺寸。）
2.高傳輸速度（與傳統金屬引線產品相比，WLP一般有較短的連接線路，在高效能要求如高頻下，會有較好的表現。）
3.高密度連接（WLP可運用數組式連接，芯片
2023-04-06 17:50:56
0 wafer晶圓GDP703202DG恒流1mA表壓2Mpa裸片壓力傳感器die產品概述：GDP0703 型壓阻式壓力傳感器晶圓采用 6 寸 MEMS 產線加工完成，該壓力晶圓的芯片由一個彈性膜及集成
2023-04-06 14:48:12
是2.5D封裝，將光芯片和電芯片都和一個中介板相連（通過TSV和bump），中介板可以實現芯片間高速互聯，這個中介板稱為interposer?！?b class="flag-6" style="color: red">TSV是硅通孔，可以實現硅芯片內部的互聯；bump是金屬
2023-03-29 10:48:47
TSV911AIDCKR
2023-03-28 13:13:59
采用 SO-8 封裝的 16 位軌至軌微功耗 DAC
2023-03-28 01:07:56
采用 SO-8 封裝的 16 位軌至軌微功耗 DAC
2023-03-23 08:13:43
采用 SO-8 封裝的 16 位軌至軌微功耗 DAC
2023-03-23 05:00:40
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