轉變,不少專注GaN器件的Fabless公司正在 有著越來越大的影響力。 ? 器件設計 GaN器件設計根據類型我們可以分為三個部分,分別是:射頻、功率和光電子,這次主要關注的是射頻以及功率方面的應用。 ? ? GaN射頻器件設計 GaN射頻器件主要可以分為三種:大
2022-07-18 01:59:45
4002 電力電子將在未來幾年發展,尤其是對于組件,因為 WBG 半導體技術正變得越來越流行。高工作溫度、電壓和開關頻率需要 GaN 和 SiC 等 WBG 材料的能力。從硅到 SiC 和 GaN 組件的過渡標志著功率器件發展和更好地利用電力的重要一步。
2022-07-27 10:48:41
761 ![](https://file.elecfans.com/web2/M00/56/39/pYYBAGLeR4mAfPwZAAEeabE99YA908.png)
在任何電力電子轉換器中,熱設計都是一項重要的考慮因素。熱設計經優化后,工程師能夠將 GaN 用于各種功率級別、拓撲和應用中。此應用手冊論述了 TI LMG341XRxxx GaN 功率級系列非常重要
2022-11-18 09:42:25
719 電子發燒友網報道(文/梁浩斌)今年10月,英飛凌以8.3億美元完成對功率GaN公司GaN Systems的收購,成為了功率GaN領域史上最大規模的一筆收購,這筆收購的價值甚至比2022年整個功率
2023-11-10 00:24:00
1758 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/AD/4A/wKgaomVMs62AcXTVABcyYsl-M8U535.png)
電子發燒友網報道(文/梁浩斌)在我們談論第三代半導體的時候,常說的碳化硅功率器件一般是指代SiC MOSFET(金屬-氧化物半導體場效應晶體管),而氮化鎵功率器件最普遍的則是GaN HEMT(高電子
2023-12-27 09:11:36
1220 電子發燒友網報道(文/梁浩斌)充電樁市場隨著高壓直流快充的推廣,在一些400kW以上的充電樁中已經采用了SiC功率器件。同為第三代半導體的GaN,由于在高頻應用上的優勢,一些廠商也在推動GaN進入到
2024-02-21 09:19:28
3852 ? 電子發燒友網報道(文/梁浩斌)繼去年英飛凌收購GaN Systems之后,2024年1月,另一家汽車芯片大廠瑞薩也收購了功率GaN公司Transphorm。 ? Transphorm在2022
2024-02-26 06:30:00
1552 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/C1/CB/wKgaomXZuO6AQJblAAbEEGkYCps349.png)
電子發燒友網報道(文/梁浩斌)功率GaN的大規模應用,其實也只有六七年的歷史,從2018手機快速充電器上才正式吹響了普及的號角。目前,從晶體管來看,功率GaN主要的產品是HEMT(高電子遷移率晶體管
2024-02-28 00:13:00
1844 GaN功率IC使能4倍功率密度150W AC/DC變換器設計
2023-06-21 07:35:15
GaN功率半導體帶來AC-DC適配器的革命(氮化鎵)
2023-06-19 11:41:21
半導體的關鍵特性是能帶隙,能帶動電子進入導通狀態所需的能量。寬帶隙(WBG)可以實現更高功率,更高開關速度的晶體管,WBG器件包括氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC),以及其他半導體。 GaN和SiC
2022-08-12 09:42:07
100V,輸出電壓對應為50V,在輸出功率達100W的條件下,半橋BUCK工況波形如圖4所示。由圖可以看出,整體波形良好,Vds過沖電壓最大值為136.7V,處于200V GaN器件的安全工作區內。
圖4
2023-06-25 15:59:21
材料在制作耐高溫的微波大功率器件方面也極具優勢。筆者從材料的角度分析了GaN 適用于微波器件制造的原因,介紹了幾種GaN 基微波器件最新研究動態,對GaN 調制摻雜場效應晶體管(MODFETs)的工作原理以及特性進行了具體分析,并同其他微波器件進行了比較,展示了其在微波高功率應用方面的巨大潛力。
2019-06-25 07:41:00
GaN技術的出現讓業界放棄TWT放大器,轉而使用GaN放大器作為許多系統的輸出級。這些系統中的驅動放大器仍然主要使用GaAs,這是因為這種技術已經大量部署并且始終在改進。下一步,我們將尋求如何使用電路設計,從這些寬帶功率放大器中提取較大功率、帶寬和效率。
2019-09-04 08:07:56
為什么
GaN可以在市場中取得主導地位?簡單來說,相比LDMOS硅技術而言,
GaN這一材料技術,大大提升了效率和
功率密度。約翰遜優值,表征高頻器件的材料適合性優值, 硅技術的約翰遜優值僅為1,
GaN最高,為324。而GaAs,約翰遜優值為1.44??隙ǖ卣f,
GaN是高頻器件材料技術上的突破?! ?/div>
2019-06-26 06:14:34
較GaN FET與硅FET二者的退化機制,并討論波形監視的必要性。使用壽命預測指標功率GaN落后于RF GaN的主要原因在于需要花時間執行數個供貨商所使用的成本縮減策略。最知名的就是改用6英寸的硅基板,以及
2019-07-12 12:56:17
帶寬的要求。在許多這樣的系統中,人們傾向于使用一個涵蓋所有頻帶的信號鏈。半導體技術的進步使高功率寬帶放大器功能突飛猛進。GaN革命席卷了整個行業,并且可以讓MMIC在幾十種帶寬下生成1 W以上的功率
2018-10-17 10:35:37
`IGN0450M250是一款高功率GaN-on-SiC RF功率晶體管,旨在滿足P波段雷達系統的獨特需求。它在整個420-450 MHz頻率范圍內運行。 在100毫秒以下,10%占空比脈沖條件
2021-04-01 10:35:32
我們正在使用 ModusToolbox 對其進行開發。通常,Eclipse 支持的實時監視變量不可見。
2024-01-19 06:14:52
電機控制工具包和 L9907 的文檔經常引用 SPC5 電機控制實時監視器。即使我們沒有購買帶有電機、L9907 和 SPC560P 的套件,實時監視器是否仍然可以從某個地方下載?實時監視器不隨 SPC5 Studio 的電機控制工具包插件一起提供。預先感謝您提供在哪里可以找到它的任何線索!
2022-12-15 07:59:44
新型和未來的 SiC/GaN 功率開關將會給方方面面帶來巨大進步,從新一代再生電力的大幅增加到電動汽車市場的迅速增長。其巨大的優勢——更高功率密度、更高工作頻率、更高電壓和更高效率,將有助于實現更緊
2018-10-30 11:48:08
基于SiC/GaN的新一代高密度功率轉換器SiC/GaN具有的優勢
2021-03-10 08:26:03
WFM700M波形監視器美國泰克WFM700系列多格式波形監視器WFM700M具有WFM700A的全部功能,此外它還具有數字分析能力,包括HD和SD格式的眼圖自動測量、抖動測量和數據測量,這對
2018-12-07 15:08:11
氮化鎵(GaN)這種寬帶隙材料將引領射頻功率器件新發展并將砷化鎵(GaAs)和LDMOS(橫向擴散金屬氧化物半導體)器件變成昨日黃花?看到一些媒體文章、研究論文、分析報告和企業宣傳文檔后你當然會這樣
2019-07-31 07:54:41
金屬有機物化學氣相淀積(MOCVD) 或分子束外延(MBE) 技術而制成。GaN-on-SiC 方法結合了GaN 的高功率密度功能與SiC 出色的導熱性和低射頻損耗。這就是GaN-on-SiC 成為高
2019-08-01 07:24:28
元件來適應略微增加的開關頻率,但由于無功能量循環而增加傳導損耗[2]。因此,開關模式電源一直是向更高效率和高功率密度設計演進的關鍵驅動力?! 』?SiC 和 GaN 的功率半導體器件 碳化硅
2023-02-21 16:01:16
基于平面矩陣的高頻高效LLC模塊基于GaN功率集成電路的CPRS變壓器
2023-06-16 06:48:18
升級到半橋GaN功率半導體
2023-06-21 11:47:21
單片GaN器件集成驅動功率轉換的效率、密度和可靠性
2023-06-21 09:59:28
使用 C2000? MCU 和 LMG3410 控制交錯連續導通模式 (CCM) 圖騰柱 (TTPL) 無橋功率因數校正功率級的方法,LMG3410 是一種單通道 GaN 功率級一個 70-m
2022-04-12 14:11:49
在過去的十多年里,行業專家和分析人士一直在預測,基于氮化鎵(GaN)功率開關器件的黃金時期即將到來。與應用廣泛的MOSFET硅功率器件相比,基于GaN的功率器件具有更高的效率和更強的功耗處理能力
2019-06-21 08:27:30
請大佬詳細介紹一下關于基于Si襯底的功率型GaN基LED制造技術
2021-04-12 06:23:23
在現有空間內繼續提高功率,但同時又不希望增大設備所需的空間,”德州儀器產品經理Masoud Beheshti說,“如果不能增大尺寸,那么只能提升功率密度?!?了解如何利用德州儀器的GaN產品系列實現
2019-03-01 09:52:45
氮化鎵(GaN)是最接近理想的半導體開關的器件,能夠以非常高的能效和高功率密度實現電源轉換。但GaN器件在某些方面不如舊的硅技術強固,因此需謹慎應用,集成正確的門極驅動對于實現最佳性能和可靠性至關重要。本文著眼于這些問題,給出一個驅動器方案,解決設計過程的風險。
2020-10-28 06:59:27
開關模式功率轉換和工業控制器使用開關模式晶體管、半導體控整流器和相關晶閘管器件,通過調節輸入波形的占空比來控制功率。產生的波形非常復雜,因此要測量和監視其功率水平,設計人員必須確定電流和電壓波形的均
2021-01-20 07:29:31
與碳化硅 (SiC)FET 和硅基FET 相比,氮化鎵 (GaN) 場效應晶體管 (FET) 可顯著降低開關損耗和提高功率密度。這些特性對于數字電源轉換器等高開關頻率應用大有裨益,可幫助減小磁性元件
2022-11-04 06:18:50
氮化鎵(GaN) 功率放大器(PA) 設計是當前的熱門話題。出于多種原因,GaN HEMT 器件已成為滿足大多數新型微波功率放大器需求的領先解決方案。過去,PA 設計以大致的起點開始并運用大量
2019-07-31 08:13:22
作為一項相對較新的技術,氮化鎵(GaN) 采用的一些技術和思路與其他半導體技術不同。對于基于模型的GaN功率放大器(PA) 設計新人來說,在知曉了非線性GaN模型的基本概念(非線性模型如何幫助進行
2019-07-31 06:44:26
怎么用顯示波形實時實時顯示數值
2016-01-14 21:26:22
采用TI最新的GaN技術設計,圖1a所示的功率級開關節點波形真的引人矚目。其在120V / ns轉換速率下,從0V升到480V,并具有小于50V的過沖。 圖1:TI 600V半橋功率級——開關波形
2022-11-15 06:43:06
所有功率級設計者期望在開關節點看到完美的方波波形??焖偕仙?下降邊降低了開關損耗,而低過沖和振鈴最小化功率FET上的電壓應力。采用TI最新的GaN技術設計,圖1a所示的功率級開關節點波形真的引人矚目
2019-08-26 04:45:13
您好,有人能告訴我如何在原理圖窗口中添加GaN器件,因為當我在ADS的原理圖窗口中搜索它時,它只顯示GaAs,JFET和BJT器件。我想做一個功率放大器模擬,我需要一個GaN器件。請提出你的建議
2019-01-17 15:55:31
`根據Yole Developpement指出,氮化鎵(GaN)組件即將在功率半導體市場快速發展,從而使專業的半導體企業受惠;另一方面,他們也將會發現逐漸面臨來自英飛凌(Infineon)/國際
2015-09-15 17:11:46
今天的博文是一個動手操作項目:你將用一個氮化鎵 (GaN) 功率級、一個Hercules? 微控制器和一個滾輪來調節一盞燈的亮度。我將會談到其中的硬件和固件。先給你的焊接設備充上電,我們馬上開始。你
2022-11-17 06:56:35
氮化鎵(GaN)功率集成電路集成與應用
2023-06-19 12:05:19
最近做的一套控制系統需要對監視的電壓電流值生成實時的波形圖,形式類似于下圖這個樣子的。有幾個功能點:1. 同時采集兩條曲線,分別是電壓和電流的實時值。2. 橫軸為當前是時間,格式為“是分秒年月日
2017-11-03 23:56:46
今天的博文是一個動手操作項目:你將用一個氮化鎵 (GaN) 功率級、一個Hercules™ 微控制器和一個滾輪來調節一盞燈的亮度。我將會談到其中的硬件和固件。先給你的焊接設備充
2018-08-31 07:15:04
針對可靠的高功率和高頻率電子設備,制造商正在研究氮化鎵(GaN)來制造具有高開關頻率的場效應晶體管(FET)由于硅正在接近其理論極限,制造商現在正在研究使用寬帶隙(WBG)材料來制造高效率的大功率
2022-06-15 11:43:25
用于無線充電應用的高壓GaN功率半導體單級6.78 MHz功率放大器設計
2023-06-21 11:45:06
描述此參考設計基于 LMG1210 半橋 GaN 驅動器和 GaN 功率的高電子遷移率晶體管 (HEMT),實現了一款數兆赫茲功率級設計。憑借高效的開關和靈活的死區時間調節,此參考設計不僅可以顯著
2018-10-17 15:39:59
泰克-Tektronix WFM7100HD功能的波形監視器,適合于HD數字視頻、SD數字視頻或復合模擬視頻的任意組合的視頻系統,它能滿足高性能的監視和測量需求。支持HD、SD和復合模擬視頻格式帶有
2022-07-30 11:29:56
哈姆雷特(Hamlet)MicroFlex是全球最小的一款支持多種信號格式和標準的便攜式波形、矢量、音頻、圖象監視監聽儀表。
2010-07-13 21:53:28
17 5861V波形監視器是具備快速顯示復合信號的幅度、時域和頻率響應等功能的高精確度波形監視器。本機具備了各種模式和觸發功能,特別適合于視頻信號的監看。
2010-08-31 18:22:25
23 功率氮化鎵 (GaN) 器件是電源設計人員工具箱內令人激動的新成員。特別是對于想要深入研究GaN的較高開關頻率如何能夠導致更高頻率和更高功率密度的開發人員來說。RF GaN是一項已大批量生產的經驗證技術,由于其相對于硅材料所具有的優勢,這項技術用于蜂窩基站和數款軍用/航空航天系統中的功率放大器。
2016-11-05 01:10:11
791 ![](https://file1.elecfans.com//web2/M00/A6/97/wKgZomUMPuqAQnzbAAANdJax2ic665.jpg)
實時波形顯示,好資料,又需要的下來看看。
2016-12-15 14:47:50
14 DSP控制系統中實時波形的捕獲與分析
2017-10-20 10:17:21
11 INA230是一款具有I2C接口(特有16個可編程地址)的雙向電流和功率監視器。
2018-05-15 15:45:27
8 本章介紹為 MPLAB 數據監視與控制界面 (DMCI)開發的實時數據監視 (RTDM)軟件,它集成在 MPLAB IDE 8.10 或更高版本中。這些 DMCI 功能解決了以實時方式監視和修改數據的需求。本用戶指南提供一些信息來幫助用戶將 RTDM 融合到嵌入式解決方案中。
2018-06-05 17:28:00
22 本文檔的主要內容詳細介紹的是使用LabVIEW設計的生成波形和過程監視器,很好用。rGenerate Waveform VI ,它的作用是返回波形中的某一點。進程監視器(Process
2019-08-05 08:00:00
8 前不久,Hangzhou Zhongheng Electric Co., Ltd(HZZH)就利用Transphorm的TPH3205WS-GaN器件成功開發出一種基于GaN的超高效功率模塊。
2020-04-27 16:46:16
3692 對于氮化鎵(GaN)功率放大器,設計師需要考慮非線性操作,包括RF電流-電壓(I-V)波形會發生的狀況。優化非線性行為設計的一種方法就是仿真內部I-V波形。
2020-07-17 10:25:00
8 介紹了Si襯底功率型GaN基LED芯片和封裝制造技術,分析了Si襯底功率型GaN基LED芯片制造和封裝工藝及關鍵技術,提供了
2021-04-21 09:55:20
3870 ![](https://file.elecfans.com/web1/M00/EB/A3/o4YBAGB_hXOATlbpAAD2e9sB1kk965.png)
GaN材料是第三代半導體的典型代表,具備寬禁帶、高擊穿場強、高熱導率和高峰值電子漂移速度等優質性能。因此,GaN材料可以很好地滿足耐高溫、高頻率和功率大的工作要求,GaN功率晶體管一直是L和S波段
2022-04-14 09:12:14
395 意法半導體?在PCIM Europe?虛擬會議上首次向業界展示了該公司用于汽車應用的集成式?STi 2 GaN系列 GaN 功率器件?。利用臺積電的 GaN 技術及其自身獨特的設計和封裝專業知識
2022-08-03 10:44:57
641 ![](https://file.elecfans.com/web2/M00/28/5C/poYBAGHEMHWAAF2LAAJmDREu6OM931.png)
。與此同時,一種新材料氮化鎵 (GaN) 正朝著理論性能邊界穩步前進,該邊界比老化的硅 MOSFET 好 6000 倍,比當今市場上最好的 GaN 產品好 300 倍(圖1)。 圖 1:一平方毫米器件的理論導通電阻與基于 Si 和 GaN 的功率器件的阻斷電壓能力。第 4 代(紫色圓點)和
2022-08-04 11:17:55
587 ![](https://file.elecfans.com/web2/M00/28/7F/pYYBAGHETk2AC_4oAACdpV_pOAk842.jpg)
的限制,并且高溫性能和低電流特性較差。高壓 Si FET 在頻率和高溫性能方面也受到限制。因此,設計人員越來越多地尋求采用高效銅夾封裝的寬帶隙 (WBG) 半導體。 功率氮化鎵技術 GaN 技術,特別是 GaN-on-Silicon (GaN-on-Si) 高電子遷移率晶體
2022-08-04 09:52:16
1078 ![](https://file.elecfans.com/web2/M00/28/84/pYYBAGHEU7-ALnB3AACzVI81Lxo236.png)
氮化鎵 (GaN) 是需要高頻率工作(高 Fmax)、高功率密度和高效率的應用的理想選擇。與硅相比,GaN 具有達 3.4 eV 的 3 倍帶隙,達 3.3 MV/cm 的 20 倍臨界電場擊穿
2022-09-19 09:33:21
1670 利用C2000實時MCU 提高GaN 數字電源設計實用性
2022-10-28 12:00:14
1 基于模型的 GaN PA 設計基礎知識:內部電流-電壓 (I-V) 波形的定義及其必要性
2022-12-26 10:16:23
1149 ![](https://file.elecfans.com/web2/M00/86/85/pYYBAGOlKGuAG_pgAADKMNwEhkg305.png)
GaN功率HEMT設計+GaN寬帶功率放大器設計
2023-01-30 14:17:44
556 功率 GaN 技術:高效功率轉換的需求-AN90021
2023-02-17 19:43:38
1 您可以通過多種方式控制GaN功率級。LMG5200 GaN 半橋功率級的 TI 用戶指南使用無源元件和分立邏輯門的組合。在這篇文章中,我將描述如何使用Hercules微控制器驅動它。圖 1 顯示了用于驅動 LMG5200 的 Hercules 模塊。
2023-04-14 10:07:41
963 ![](https://file.elecfans.com/web2/M00/9F/06/poYBAGQ4uMaAIviOAAEJWJ9qgks557.png)
氮化鎵(GaN)是用于在干擾器中構建RF功率放大器(PA)的主要技術。GaN 具有獨特的電氣特性 – 3.4 eV 的帶隙使 GaN 的擊穿場比其他射頻半導體技術高 20 倍。這不僅是GaN的高溫可靠性的原因,也是功率密度能力的原因。因此,GaN使干擾設備能夠滿足上述所有要求。
2023-05-24 10:48:09
1059 ![](https://file.elecfans.com/web2/M00/A7/C2/pYYBAGRteouAEPNlAAhqBdsCPWc432.png)
GaN功率器件是雷達T/R組件或發射功放組件中的核心元器件,隨著器件的輸出功率和功率密度越來越高,器件的長期可靠性成為瓶頸。文章對雷達脈沖工作條件下GaN功率器件的失效機理進行了分析和研究,指出
2023-03-03 14:04:05
1074 ![](https://file.elecfans.com/web2/M00/3F/D6/poYBAGJqO-mASPG4AAAes7JY618194.jpg)
GaN因其特性,作為高性能功率半導體材料而備受關注,近年來其開發和市場導入不斷加速。GaN功率器件有兩種類型:水平型(在硅晶圓上生長GaN晶體)和垂直型(原樣使用GaN襯底)。
2023-09-13 15:05:25
659 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/A4/37/wKgaomUBX8aAJI7sAAART7H4AiY480.jpg)
論文研究氮化鎵GaN功率集成技術
2023-01-13 09:07:47
3 功率信號源是一種能夠產生高功率輸出信號的電子設備。它常用于實驗室、工業生產以及各種應用領域中,如無線通信、音頻放大和激光器驅動等。功率信號源可以輸出多種不同的波形,下面將介紹一些常見的輸出波形類型
2023-11-27 17:22:09
258 ![](https://file1.elecfans.com//web2/M00/B1/71/wKgaomVkX8GANw2HAACUcmr_Oy0742.png)
隨著半導體技術的發展,垂直GaN功率器件逐漸憑借其優勢逐漸應用在更多的領域中。高質量的GaN單晶材料是制備高性能器件的基礎。
2023-12-27 09:32:54
374 ![](https://file1.elecfans.com/web2/M00/B9/78/wKgaomWLfyKAe1VOAAAX0EsYDJs180.jpg)
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