5月17日,臺積電應邀出席本周的2024年歐洲技術研討會并展出了兩款HBM4基礎Dies,其中一款基于12FFC+(12nm)工藝,另一款則利用N5(5nm)技術進行生產,旨在提升HBM4的性能與能效。
臺積電設計與技術平臺高級總監對此表示:
目前,我們正在攜手眾多HBM存儲伙伴(如美光、三星、SK海力士等)共同推進HBM4在先進制程中的全面集成。12FFC+基礎Dies在滿足HBM性能需求的同時,具有顯著的成本優勢;而N5基礎Dies則可在較低功耗條件下實現HBM4的預期速度。
借助臺積電12FFC+工藝(源于其成熟的16nmFinFET技術),我們將能夠制造出適用于12-Hi及16-HiHBM4存儲器堆棧的基礎芯片,其容量分別高達48GB和64GB。
通過運用12FFC+工藝,我們有望打造出“高性價比”的基礎芯片,這些芯片將通過硅內插件將內存與主機處理器相連接。
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